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题名金属钼圆基片平面研磨及其表面创成机理研究
被引量：2
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作者
阎秋生
陈缘靓
夏江南
雒梓源
汪涛
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机构
广东工业大学机电工程学院
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出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第12期181-192,共12页
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基金
国家重点研发计划(2023YFE0204400)
广东省基础与应用基础研究基金(2023A1515010922)。
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文摘
目的实现金属钼圆基片高效平坦化加工,获得超光滑表面。方法采用游离磨料对钼圆基片进行平面研磨加工,研究磨料种类及研磨盘转速、研磨压力、研磨时间等工艺参数对研磨效果的影响规律,通过材料去除率(MRR)与表面粗糙度(Ra)的建模分析,对比钼材与高硬脆和高塑性材料,揭示其研磨工艺特性、探究其表面创成机理。结果钼圆基片材料去除快慢和表面形貌受各因素作用的综合影响。CeO_(2)磨料适合钼圆基片的研磨加工,材料去除方式为二体、三体摩擦塑性去除;在研磨过程中,MRR随研磨盘转速、研磨压力的递增而先增大后减小,在研磨盘转速为60 r/min、研磨压力为0.026 MPa条件下MRR达到最大;除磨料因素外,其他工艺因素对表面粗糙度的影响较小;MRR和Ra随加工时间的延长而趋于稳定;使用粒径W1 CeO_(2)磨料在研磨盘转速为60 r/min、研磨压力为0.026 MPa下研磨40 min后,表面粗糙度Ra由46 nm降至9.53 nm,MRR达1.16 mg/min。结论采用游离磨料研磨方法在优化工艺条件下可以有效降低表面粗糙度,获得良好表面。
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关键词
钼圆基片
研磨
工艺参数
材料去除率
表面粗糙度
加工机理
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Keywords
molybdenum wafer substrates
lapping
process parameter
material removal rate
surface roughness
machining mechanism
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分类号
TG580.68
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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