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题名非晶铟镓锌氧薄膜晶体管钼/铜源漏电极的研究
被引量：2
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作者
张磊
刘国超
董承远
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机构
上海交通大学电子工程系
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期823-829,共7页
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基金
国家自然科学基金(61474075)资助项目~~
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文摘
针对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZOTFT)的钼/铜源漏电极开展研究。实验证明,单层Mo源漏电极与栅绝缘层之间的粘附性好、表面粗糙度较小、电阻率较大,而单层Cu源漏电极与栅绝缘层之间的结合性差且Cu原子扩散问题严重、表面粗糙度较大、电阻率较小。为了实现优势互补,我们设计了双层Mo(20nm)/Cu(80nm)源漏电极,并采用优化工艺制备了包含该电极结构的a-IGZOTFT。器件具有良好的电学特性,场效应迁移率为8.33cm^2·V^(-1)·s^(-1),阈值电压为6.0V,亚阈值摆幅为2.0V/dec,开关比为1.3×10~7,证明了双层Mo/Cu源漏电极的可行性和实用性。
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关键词
平板显示
非晶铟镓锌氧
薄膜晶体管
钼/铜电极
磁控溅射
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Keywords
flat panel displays
amorphous InGaZnO
thin film transistors
Mo/Cu electrodes
magnetron sputtering
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分类号
TN321
[电子电信—物理电子学]
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