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8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究
被引量：
2
1
作者
傅婧
李豫东
+2 位作者
冯婕
文林
郭旗
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期2128-2134,共7页
本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。...
本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据。
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关键词
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
质子辐照
电离总剂量
位
移损伤剂量
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职称材料
一种提升4T-APS像元量子效率的方法
2
作者
李炘
唐威
+2 位作者
张冰
李栋
何杰
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014年第3期119-121,125,共4页
通过调整钳位光电二极管P+层掺杂浓度与阈值注入浓度,抑制了4T-APS像元传输管亚阈值漏电,提升了像元的满阱能力与量子效率,并应用TCAD工具进行了仿真验证.结果表明,像元满阱容量可由3500e-提升至7900e-,550nm入射光条件下量子效率可提升...
通过调整钳位光电二极管P+层掺杂浓度与阈值注入浓度,抑制了4T-APS像元传输管亚阈值漏电,提升了像元的满阱能力与量子效率,并应用TCAD工具进行了仿真验证.结果表明,像元满阱容量可由3500e-提升至7900e-,550nm入射光条件下量子效率可提升27.8%.
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关键词
互补金属氧化物场效应管
图像传感器
有源像素传感器
钳位光电二极管
满阱能力
量子效率
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职称材料
题名
8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究
被引量：
2
1
作者
傅婧
李豫东
冯婕
文林
郭旗
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期2128-2134,共7页
基金
Supported by National Natural Science Foundation of China (11805269)
Tianshan Youth Project of Autonomous Region under Grant(2019Q085)
Key Deployment Projects of Chinese Academy of Sciences(ZDRW-CN-2020-2)。
文摘
本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据。
关键词
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
质子辐照
电离总剂量
位
移损伤剂量
Keywords
CMOS image sensor
pinned photodiode
proton irradiation
total ionization dose
displacement damage dose
分类号
O571.5 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
一种提升4T-APS像元量子效率的方法
2
作者
李炘
唐威
张冰
李栋
何杰
机构
西安微电子技术研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014年第3期119-121,125,共4页
文摘
通过调整钳位光电二极管P+层掺杂浓度与阈值注入浓度,抑制了4T-APS像元传输管亚阈值漏电,提升了像元的满阱能力与量子效率,并应用TCAD工具进行了仿真验证.结果表明,像元满阱容量可由3500e-提升至7900e-,550nm入射光条件下量子效率可提升27.8%.
关键词
互补金属氧化物场效应管
图像传感器
有源像素传感器
钳位光电二极管
满阱能力
量子效率
Keywords
CMOS
Image Sensor
APS
PPD
Full well capacity
Quantum efficiency
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究
傅婧
李豫东
冯婕
文林
郭旗
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
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职称材料
2
一种提升4T-APS像元量子效率的方法
李炘
唐威
张冰
李栋
何杰
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
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