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钯(Ⅱ)离子印迹聚合物的制备及其对钯(Ⅱ)离子的分离和富集性能
被引量：
8
1
作者
薛庆华
《理化检验（化学分册）》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期783-786,共4页
以钯(Ⅱ)离子作为印迹离子,采用硅胶表面修饰技术,合成了钯(Ⅱ)离子印迹聚合物,并研究了离子印迹聚合物和非印迹聚合物对钯(Ⅱ)离子的分离富集特性,结果表明:对钯(Ⅱ)离子的富集,离子印迹聚合物与非印迹聚合物的吸附量分别是26.71 mg.g-...
以钯(Ⅱ)离子作为印迹离子,采用硅胶表面修饰技术,合成了钯(Ⅱ)离子印迹聚合物,并研究了离子印迹聚合物和非印迹聚合物对钯(Ⅱ)离子的分离富集特性,结果表明:对钯(Ⅱ)离子的富集,离子印迹聚合物与非印迹聚合物的吸附量分别是26.71 mg.g-1和10.13 mg.g-1,这说明离子印迹聚合物比非印迹聚合物对印迹离子的选择性高得多。提出以此作为钯(Ⅱ)离子的富集方法与电感耦合等离子体原子发射光谱法测定相结合,分析了两件地质标准物质,测得钯的含量与标准值一致。
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关键词
电感耦合等
离子
体原子发射光谱法
印迹聚合物
钯
(
ⅱ
)
离子
富集
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职称材料
题名
钯(Ⅱ)离子印迹聚合物的制备及其对钯(Ⅱ)离子的分离和富集性能
被引量：
8
1
作者
薛庆华
机构
青海师范大学化学系
出处
《理化检验（化学分册）》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期783-786,共4页
文摘
以钯(Ⅱ)离子作为印迹离子,采用硅胶表面修饰技术,合成了钯(Ⅱ)离子印迹聚合物,并研究了离子印迹聚合物和非印迹聚合物对钯(Ⅱ)离子的分离富集特性,结果表明:对钯(Ⅱ)离子的富集,离子印迹聚合物与非印迹聚合物的吸附量分别是26.71 mg.g-1和10.13 mg.g-1,这说明离子印迹聚合物比非印迹聚合物对印迹离子的选择性高得多。提出以此作为钯(Ⅱ)离子的富集方法与电感耦合等离子体原子发射光谱法测定相结合,分析了两件地质标准物质,测得钯的含量与标准值一致。
关键词
电感耦合等
离子
体原子发射光谱法
印迹聚合物
钯
(
ⅱ
)
离子
富集
Keywords
ICP-AES determination
Imprinted polymer
Palladium ion
Enrichment
分类号
O652.63 [理学—分析化学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
钯(Ⅱ)离子印迹聚合物的制备及其对钯(Ⅱ)离子的分离和富集性能
薛庆华
《理化检验（化学分册）》
CAS
CSCD
北大核心
2009
8
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