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钡铁氧体薄膜的c轴取向生长 被引量:5
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作者 刘小晰 杨正 松本光功 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期358-360,共3页
首次使用非晶Ba-Fe-O衬底层来控制钡铁氧体(BaM)薄膜的取向生长。这种非晶层决定了六角M相的结晶并改善了其晶化度。应用这种非晶衬底层,制备了c轴垂直于膜表平面的BaM薄膜。其(008)峰的摇摆曲线的半高宽Δθ5... 首次使用非晶Ba-Fe-O衬底层来控制钡铁氧体(BaM)薄膜的取向生长。这种非晶层决定了六角M相的结晶并改善了其晶化度。应用这种非晶衬底层,制备了c轴垂直于膜表平面的BaM薄膜。其(008)峰的摇摆曲线的半高宽Δθ50仅为2. 展开更多
关键词 钡铁氧体薄膜 C轴取向 非晶衬底层 生长
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碳化硅表面钡铁氧体薄膜制备与吸波性能 被引量:2
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作者 张晏清 张雄 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期120-122,共3页
采用柠檬酸盐溶胶-凝胶法在碳化硅表面形成钡铁氧体薄膜。XRD 表明生成的铁氧体为六角磁铅型晶体BaFe_(12)O_(19)。测定了材料在0.1~6.0 GHz 内的介电常数与磁导率。与单纯钡铁氧体比较,碳化硅表面沉积钡铁氧体薄层后复合相吸波频段宽... 采用柠檬酸盐溶胶-凝胶法在碳化硅表面形成钡铁氧体薄膜。XRD 表明生成的铁氧体为六角磁铅型晶体BaFe_(12)O_(19)。测定了材料在0.1~6.0 GHz 内的介电常数与磁导率。与单纯钡铁氧体比较,碳化硅表面沉积钡铁氧体薄层后复合相吸波频段宽化,吸波能力增强。 展开更多
关键词 吸波性能 薄膜制备 硅表面 BAFE12O19 钡铁氧体薄膜 溶胶一凝胶法 柠檬酸盐 介电常数 表面沉积 XRD 磁导率 复合相 碳化硅
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交替溅射法制备BaM铁氧体薄膜的特性研究 被引量:1
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作者 张弘 刘曦 +3 位作者 刘小晰 魏福林 A.S.Kamzin 贺德衍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1380-1383,1393,共5页
以双靶射频溅射和交替沉积的方法制备了不同化学组成的BaM铁氧体薄膜。对所沉积的薄膜进行了两种不同方式的热处理。通过热处理后铁氧体薄膜的X射线衍射(XRD),逆转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)及原子力显微镜(AFM)等微观结构的分析和宏观磁... 以双靶射频溅射和交替沉积的方法制备了不同化学组成的BaM铁氧体薄膜。对所沉积的薄膜进行了两种不同方式的热处理。通过热处理后铁氧体薄膜的X射线衍射(XRD),逆转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)及原子力显微镜(AFM)等微观结构的分析和宏观磁性的测试,结果表明两步骤退火过程对于垂直取向结构的形成是有利的。 展开更多
关键词 钡铁氧体薄膜 垂直各向异性 穆斯堡尔谱
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