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Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展
1
作者
刘甜甜
怀俊彦
+4 位作者
王书杰
顾占彪
张文雅
史艳磊
邵会民
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期597-608,共12页
作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述...
作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述和讨论了Na助熔剂法GaN结晶的发展历程与最新技术,包括Ga-N的结晶热力学性质、熔体结构、助熔剂选择、单点籽晶技术、多点籽晶技术、孔隙与位错控制、形貌演化与生长条件优化等。最后,对比其他体GaN技术,展望了Na助熔剂法的挑战与机遇。
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关键词
氮化镓
体单晶
位错
晶体生长
钠助熔剂法
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职称材料
基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展
被引量：
1
2
作者
王本发
王守志
+6 位作者
王国栋
俞娇仙
刘磊
李秋波
武玉珠
徐现刚
张雷
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第2期183-195,共13页
宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN...
宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN单晶生长方法。钠助熔剂法自20世纪90年代末期被发明以来,经过20多年的发展,钠助熔剂法生长的晶体在尺寸与质量上都取得了长足的进步。本文从晶体生长原理和关键工艺(籽晶选择、温度梯度以及添加剂)等方面综述了钠助熔剂法生长GaN单晶研究进展,并对其面临的挑战和未来发展趋势进行了展望。
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关键词
氮化镓单晶
钠助熔剂法
原料比
温度梯度
添加剂
籽晶
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职称材料
题名
Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展
1
作者
刘甜甜
怀俊彦
王书杰
顾占彪
张文雅
史艳磊
邵会民
机构
江苏省生产力促进中心
中国电子科技集团公司第十四研究所
固态微波器件与电路全国重点实验室
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期597-608,共12页
文摘
作为第三代半导体的关键材料之一,Ⅲ族氮化物在过去几十年中因其应用于光电子和微电子器件而得到了广泛的研究,如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。Na助熔剂法已成为生长高质量GaN晶体的重要技术之一。综述和讨论了Na助熔剂法GaN结晶的发展历程与最新技术,包括Ga-N的结晶热力学性质、熔体结构、助熔剂选择、单点籽晶技术、多点籽晶技术、孔隙与位错控制、形貌演化与生长条件优化等。最后,对比其他体GaN技术,展望了Na助熔剂法的挑战与机遇。
关键词
氮化镓
体单晶
位错
晶体生长
钠助熔剂法
Keywords
gallium nitride
bulk single crystal
dislocation
crystal growth
Na flux method
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展
被引量：
1
2
作者
王本发
王守志
王国栋
俞娇仙
刘磊
李秋波
武玉珠
徐现刚
张雷
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
齐鲁工业大学(山东省科学院)
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第2期183-195,共13页
基金
国家自然科学基金(52202265,51872164)。
文摘
宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN单晶生长方法。钠助熔剂法自20世纪90年代末期被发明以来,经过20多年的发展,钠助熔剂法生长的晶体在尺寸与质量上都取得了长足的进步。本文从晶体生长原理和关键工艺(籽晶选择、温度梯度以及添加剂)等方面综述了钠助熔剂法生长GaN单晶研究进展,并对其面临的挑战和未来发展趋势进行了展望。
关键词
氮化镓单晶
钠助熔剂法
原料比
温度梯度
添加剂
籽晶
Keywords
gallium nitride single crystal
sodium flux method
raw material ratio
temperature gradient
additive
seed crystal
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ga-N熔体热力学性质及钠助熔剂法制备GaN单晶的研究进展
刘甜甜
怀俊彦
王书杰
顾占彪
张文雅
史艳磊
邵会民
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于钠助熔剂法的GaN单晶生长研究进展
王本发
王守志
王国栋
俞娇仙
刘磊
李秋波
武玉珠
徐现刚
张雷
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
1
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职称材料
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