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α、β粒子在钝化注入平面硅探测器中的脉冲形状分析被引量：2: 1; 作者田新肖无云 +1 位作者王善强梁卫平《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1255-1258,共4页; 利用钝化注入平面硅探测器(PIPS)测量α、β时,某些情况下只通过能量甄别无法区分这两种粒子,而通过脉冲形状甄别的方法可以很好地解决这一问题。通过研究α、β粒子在PIPS中脉冲形状不同的机制,分析了脉冲形状的特征;测量分析了一款PIP... 展开更多; 关键词 α、β粒子钝化注入平面硅探测器脉冲形状; 在线阅读下载PDF 职称材料

a－Si：O：H对硅平面三极管的表面钝化: 2; 作者邹永庆华厚玉《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期41-43,共3页; 采用ａ－Ｓｉ：Ｏ：Ｈ对硅平面三极管表面进行二次钝化，可以使器件正向特性曲线明显变平，饱和区、截止区变窄，反向击穿特性显著变硬，击穿电压有所提高，漏电流有了较大的减小，而且具有较强的Ｎａ￣＋阻挡能力。; 关键词硅平面三极管表面钝化硅器件 a-硅∶氧∶氢; 在线阅读下载PDF 职称材料

PIPS探测器对γ辐射特性的实验研究被引量：1: 3; 作者沈春霞青建华王斌《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期281-284,348,共5页; 介绍了钝化离子注入半导体探测器(PIPS),该探测器的γ辐射剂量原理。实验分析研究了探测器对γ的辐射特性,为射线仪器的研制提供了实验依据。; 关键词半导体探测器钝化离子注入辐射测量; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究被引量：1: 4; 作者陈仁芳张丽平 +3 位作者吴卓鹏李振飞孟凡英刘正新《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期103-108,共6页; 基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本... 展开更多; 关键词氢注入硅异质结太阳电池非晶硅薄膜钝化缺陷态; 在线阅读下载PDF 职称材料

128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14: 5; 作者吕衍秋徐运华 +6 位作者韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期333-337,共5页; 报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温... 展开更多; 关键词探测器焦平面 INGAAS 钝化; 在线阅读下载PDF 职称材料

256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像被引量：5: 6; 作者吕衍秋韩冰 +6 位作者白云徐萌唐恒敬孔令才李雪张永刚龚海梅《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期7-11,共5页; 报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极生长等工艺,制备了256元正照射台面InGaAs线列探测器,278K时平均峰值探测率为1.33×1012cmHz1/2W-1.... 展开更多; 关键词探测器焦平面 INGAAS 钝化扫描成像; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Geant4的α粒子能谱模拟研究及软件设计实现: 7; 作者刘敏俊石睿 +4 位作者杨广王博王洲曾雄闫成杰《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期136-144,共9页; 为进一步发展基于蒙特卡罗模拟方法的α粒子能谱探测参数优化技术,利用PyQt5设计一款调用蒙特卡罗模拟程序包Geant4进行α粒子能谱模拟研究的软件。一方面,建立了测量α粒子的钝化离子注入平面硅探测器(Passivated Implanted Planar Sil... 展开更多; 关键词 PyQt5 GEANT4 钝化离子注入平面硅探测器响应函数探测效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名α、β粒子在钝化注入平面硅探测器中的脉冲形状分析被引量：2: 1; 作者田新肖无云王善强梁卫平; 机构防化研究院第二研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1255-1258,共4页; 文摘利用钝化注入平面硅探测器(PIPS)测量α、β时,某些情况下只通过能量甄别无法区分这两种粒子,而通过脉冲形状甄别的方法可以很好地解决这一问题。通过研究α、β粒子在PIPS中脉冲形状不同的机制,分析了脉冲形状的特征;测量分析了一款PIPS探测器的电压脉冲上升时间及其随偏压的变化;分析得出了对PIPS探测器进行脉冲形状甄别的基本条件,为利用脉冲形状对α、β进行甄别提供了参考。; 关键词 α、β粒子钝化注入平面硅探测器脉冲形状; Keywords alpha and beta particles PIPS detector pulse shape; 分类号 TL81 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名a－Si：O：H对硅平面三极管的表面钝化: 2; 作者邹永庆华厚玉; 机构淮北煤炭师院物理系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期41-43,共3页; 文摘采用ａ－Ｓｉ：Ｏ：Ｈ对硅平面三极管表面进行二次钝化，可以使器件正向特性曲线明显变平，饱和区、截止区变窄，反向击穿特性显著变硬，击穿电压有所提高，漏电流有了较大的减小，而且具有较强的Ｎａ￣＋阻挡能力。; 关键词硅平面三极管表面钝化硅器件 a-硅∶氧∶氢; 分类号 TN325.2 [电子电信—物理电子学] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PIPS探测器对γ辐射特性的实验研究被引量：1: 3; 作者沈春霞青建华王斌; 机构防化指挥工程学院防化研究院二所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期281-284,348,共5页; 文摘介绍了钝化离子注入半导体探测器(PIPS),该探测器的γ辐射剂量原理。实验分析研究了探测器对γ的辐射特性,为射线仪器的研制提供了实验依据。; 关键词半导体探测器钝化离子注入辐射测量; Keywords Semiconductor detector, Passivated Implated Silian（PIPS）, radiation measurement; 分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究被引量：1: 4; 作者陈仁芳张丽平吴卓鹏李振飞孟凡英刘正新; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心中国科学院大学; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期103-108,共6页; 基金中科院先导专项A(XDA17020403) 国家自然科学基金面上项目(62074153) 上海市科技创新行动计划项目(20dz1207103,19DZ1207602)。; 文摘基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本征非晶硅(i-a-Si:H)及N型非晶硅(n-a-Si:H)薄膜钝化层,可显著提升晶体硅的表面钝化质量。通过使用AFORSHET软件模拟SHJ太阳电池入光面的界面缺陷及n-a-Si:H体缺陷对电池性能的影响,分析得到:将氢注入用于处理a-Si:H窗口层,SHJ太阳电池性能的提升源于电池入光侧界面及a-Si:H体材料的结构改善。电池的开路电压(Voc,728.4~736.1 mV)、短路电流密度(Jsc,37.99~38.20 mA/cm2)、填充因子(FF,79.67%~81.07%)及转换效率(Eff,22.04%~22.79%)均得到明显提升。; 关键词氢注入硅异质结太阳电池非晶硅薄膜钝化缺陷态; Keywords hydrogen injection silicon heterojunction solar cell amorphous silicon thin-film passivation defect; 分类号 TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14: 5; 作者吕衍秋徐运华韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅; 机构中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期333-337,共5页; 基金国家自然科学基金重点资助项目(50632060) 国防预研项目; 文摘报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.; 关键词探测器焦平面 INGAAS 钝化; Keywords detector focal plane array InGaAs passivation; 分类号 TN21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像被引量：5: 6; 作者吕衍秋韩冰白云徐萌唐恒敬孔令才李雪张永刚龚海梅; 机构中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期7-11,共5页; 基金国家自然科学基金重点资助项目(50632060); 文摘报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极生长等工艺,制备了256元正照射台面InGaAs线列探测器,278K时平均峰值探测率为1.33×1012cmHz1/2W-1.测试了不同钝化方式探测器典型I-V曲线和探测率,硫化可以减小探测器暗电流,ZnS/聚酰亚胺双层钝化效果最好.并对ZnS/聚酰亚胺双层钝化InGaAs探测器进行了电子辐照研究.256元InGaAs探测器阵列与两个CTIA结构128读出电路互连并封装,在室温时,焦平面响应率不均匀性为19.3%.成功实现了室温扫描成像,图像比较清晰.; 关键词探测器焦平面 INGAAS 钝化扫描成像; Keywords detector focal plane array InGaAs passivation scanning image; 分类号 TN21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Geant4的α粒子能谱模拟研究及软件设计实现: 7; 作者刘敏俊石睿杨广王博王洲曾雄闫成杰; 机构四川轻化工大学计算机科学与工程学院成都理工大学核技术与自动化工程学院; 出处《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期136-144,共9页; 基金国家自然科学基金项目(42074218) 国家自然科学基金区域创新发展联合基金重点项目(U19A2086) 四川轻化工大学研究生创新基金项目(Y2022176)。; 文摘为进一步发展基于蒙特卡罗模拟方法的α粒子能谱探测参数优化技术,利用PyQt5设计一款调用蒙特卡罗模拟程序包Geant4进行α粒子能谱模拟研究的软件。一方面,建立了测量α粒子的钝化离子注入平面硅探测器(Passivated Implanted Planar Silicon)物理模型,根据实际α粒子测量条件对模拟的物理过程、模型材料及粒子源几何形状、成分等参数进行校正,结合PyQt5界面开发平台将粒子源参数、探测器参数修改等功能可视化。在多个探源距和不同真空压强条件下进行模拟实验,得到该模型的探测效率,并将获取的能量沉积成谱后,通过EMG-Landau响应函数模型展宽。另一方面,为验证该探测器模型的准确性,将模拟结果与实测结果的探测效率进行对比,实验结果表明,两者探测效率误差均在5%之内,且EMG-Landau响应函数模型展宽效果良好。本文研究结果验证了该Geant4模拟软件在α粒子能谱研究方面的可靠性,该软件可直观修改α粒子能谱测量条件,简化了模拟步骤,提高了模拟效率,为基于蒙特卡罗模拟方法的α粒子能谱探测参数优化技术提供了有力工具。; 关键词 PyQt5 GEANT4 钝化离子注入平面硅探测器响应函数探测效率; Keywords PyQt5 Geant4 Passivated Implanted Planar Silicon response function detection efficiency; 分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	α、β粒子在钝化注入平面硅探测器中的脉冲形状分析	田新肖无云王善强梁卫平	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	a－Si：O：H对硅平面三极管的表面钝化	邹永庆华厚玉	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	PIPS探测器对γ辐射特性的实验研究	沈春霞青建华王斌	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究	陈仁芳张丽平吴卓鹏李振飞孟凡英刘正新	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究	吕衍秋徐运华韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2006	14	在线阅读下载PDF 职称材料
6	256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像	吕衍秋韩冰白云徐萌唐恒敬孔令才李雪张永刚龚海梅	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2008	5	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于Geant4的α粒子能谱模拟研究及软件设计实现	刘敏俊石睿杨广王博王洲曾雄闫成杰	《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料