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芳纶纳米纤维/钛酸钡纳米纤维复合电介质薄膜制备与介电性能研究 被引量:3
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作者 魏祎迪 崔芯悦 +5 位作者 张世龙 王策 马宇琪 朱燕灵 赵永生 张广成 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2024年第5期20-25,共6页
选用芳纶纳米纤维(ANF)作为耐高温基体,并填充钛酸钡纳米纤维(BTNF)制备ANF/BTNF纸基复合薄膜,研究不同BTNF填充量对复合薄膜介电性能的影响。结果表明:ANF/BTNF复合薄膜的厚度约为10μm。当BTNF质量分数为0~20%时,随着BTNF填充量的增加... 选用芳纶纳米纤维(ANF)作为耐高温基体,并填充钛酸钡纳米纤维(BTNF)制备ANF/BTNF纸基复合薄膜,研究不同BTNF填充量对复合薄膜介电性能的影响。结果表明:ANF/BTNF复合薄膜的厚度约为10μm。当BTNF质量分数为0~20%时,随着BTNF填充量的增加,复合薄膜的介电常数和电气强度均提升。当BTNF的质量分数增大到40%时,复合薄膜的介电常数显著提升,但是在高频区快速降低,介质损耗因数显著增大,同时复合薄膜的电气强度略微下降。因此,BTNF质量分数为20%的ANF/20BTNF复合薄膜综合介电性能最佳,在1 kHz时介电常数达到4.78,电气强度为8.90 kV/mm。 展开更多
关键词 芳纶纳米纤维 钛酸钡纳米纤维 复合电介质 介电性能
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