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钛基片的化学机械抛光技术研究 被引量:5
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作者 戴媛静 裴惠芳 +1 位作者 潘国顺 刘岩 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期131-136,共6页
采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面... 采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面有不同程度的吸附缓蚀作用,氨水和F-的络合、扩散作用能破坏缓蚀膜层,两者的中间平衡状态才能得到最佳抛光效果.抛光后钛表层XPS测试结果显示钛表层经过化学氧化形成疏松氧化层后,再通过磨粒和抛光垫的机械作用去除. 展开更多
关键词 钛基片 化学机械抛光 纳米级粗糙度 抛光机理
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纯钛表面制备钛酸钡薄膜的技术参数研究 被引量:2
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作者 王慧 吴文慧 +2 位作者 岳奇 陈浩哲 杨红光 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期69-72,共4页
目的探讨在纯钛基片上制备钛酸钡薄膜的技术参数,为增强钛瓷结合强度奠定研究基础。方法以碳酸钡和钛酸丁酯为原料,利用溶胶-凝胶法在纯钛基片上制备钛酸钡薄膜,对比不同浓度溶胶、不同干燥机制条件下制备的薄膜的质量。结果 180℃干燥... 目的探讨在纯钛基片上制备钛酸钡薄膜的技术参数,为增强钛瓷结合强度奠定研究基础。方法以碳酸钡和钛酸丁酯为原料,利用溶胶-凝胶法在纯钛基片上制备钛酸钡薄膜,对比不同浓度溶胶、不同干燥机制条件下制备的薄膜的质量。结果 180℃干燥、380℃热处理、升温速率6℃/min和120℃干燥、300℃热处理、升温速率3℃/min两种条件相比,前一种条件制备的薄膜退火后开裂程度大。采用0.3 mol/L钛酸钡溶胶,在后一种条件下制备的薄膜基本完好,无裂纹;而采用0.35 mol/L钛酸钡溶胶,在相同条件下制备的薄膜裂纹较明显。结论采用0.3 mol/L钛酸钡溶胶,在120℃干燥、300℃热处理、升温速率3℃/min的条件下制备薄膜,薄膜质量最佳。 展开更多
关键词 钛基片 酸钡薄膜 溶胶-凝胶法 制备参数
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