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载流子注入速率调控实现高效稳定的量子点发光二极管
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作者 陈烨 杨尊先 郭太良 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第4期317-325,共9页
基于量子点(QDs)的发光二极管器件(QLEDs)因其出色的色彩饱和度和方便的溶液制造工艺而引起了学术界的极大兴趣。目前,镉基红绿蓝光QLEDs的外量子效率(EQE)都已经达到理论极限,但是还存在严重的载流子注入不平衡的现象,这会导致器件的... 基于量子点(QDs)的发光二极管器件(QLEDs)因其出色的色彩饱和度和方便的溶液制造工艺而引起了学术界的极大兴趣。目前,镉基红绿蓝光QLEDs的外量子效率(EQE)都已经达到理论极限,但是还存在严重的载流子注入不平衡的现象,这会导致器件的稳定性和寿命大幅度降低。文章通过一种简单的方法对电子传输层(ETL)进行掺杂处理,从而降低电子迁移率,使器件实现更为平衡的载流子注入。在ZnMgO的乙醇溶液中加入适量的乙醇胺(EA)溶液,胺根离子(NH_(2)^(-))可以填补ZnMgO中的氧空位,从而调控ZnMgO的电子迁移率。对比于控制器件,优化器件的EQE提升到14.6%,电流效率(CE)提升到60.7 cd/A,分别提升了1.87倍和1.94倍,同时峰值亮度达到252402 cd/m^(2)。 展开更多
关键词 量子发光二极管 电子传输层 载流子注入 乙醇胺
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基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管
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作者 黄兴云 谢潇婷 +1 位作者 杨开宇 李福山 《发光学报》 北大核心 2025年第6期1120-1128,共9页
目前,通过各种量子点图案化技术制备的高分辨率量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)普遍面临低效率的问题,其主要原因是像素之间存在较大的漏电流。为了解决该问题,本文采用纳米压印技术制备了蜂窝状聚甲基丙烯酸... 目前,通过各种量子点图案化技术制备的高分辨率量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)普遍面临低效率的问题,其主要原因是像素之间存在较大的漏电流。为了解决该问题,本文采用纳米压印技术制备了蜂窝状聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)薄膜,并将其作为电荷阻挡层应用在QLED发光层中,成功获得了分辨率为8467像素每英寸(Pixel per inch,PPI)的红色QLED器件。由于PMMA良好的绝缘特性,电荷阻挡层成功隔绝了电子传输层和空穴传输层的直接接触,所制备器件的漏电流相较于无阻挡层图案化器件大幅降低,使其外量子效率(External quantum efficiency,EQE)得到较大提升,最大EQE达到了15.31%,最大亮度为100274 cd/m2。 展开更多
关键词 量子发光二极管(QLED) 纳米压印 高分辨率 电荷阻挡层
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基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究
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作者 廖明月 何敏 +2 位作者 陈平 张巧明 雷衍连 《发光学报》 北大核心 2025年第7期1262-1270,共9页
量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空... 量子点发光二极管(QLED)因其优异的光学性能和可溶液加工特性,成为下一代显示和照明技术的有力候选。然而,传统空穴注入材料(如PEDOT∶PSS)存在诸多问题,限制了其性能提升。本文采用硫氰酸亚铜(Copper thiocyanate,简写为CuSCN)作为空穴注入层,绿色CdSe/ZnS量子点作为发光层,结合不同空穴传输层(Hole transport layer,简写为HTL),如PVK和Poly-TPD,通过溶液加工工艺制备了绿色QLED器件,并对比分析了交流驱动与直流驱动下器件的光电性能。研究发现,CuSCN与PVK之间的能级势垒导致界面电荷束缚,降低了器件性能;而引入poly-TPD后,由于其更高的空穴迁移率和更浅的HOMO能级,有效减少了界面电荷束缚,显著提高了器件的发光亮度和电流效率,最大发光亮度和最大电流效率分别为132 075 cd/m^(2)和15.6 cd/A。本研究揭示了CuSCN/HTL界面电荷束缚对QLED性能的影响机制,为无机CuSCN在高效溶液加工QLED中的应用提供了理论支持和实践指导。 展开更多
关键词 硫氰酸亚铜 量子发光二极管 空穴注入层 束缚电荷 交流驱动
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基于多功能苯乙基溴化铵修饰层的喷墨打印钙钛矿量子点发光二极管 被引量:1
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作者 陈逸群 林立华 +1 位作者 胡海龙 李福山 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1343-1353,共11页
钙钛矿量子点(PQD)的喷墨打印技术在全彩显示应用中具有巨大潜力,但一些关键问题仍然影响其发光效率,例如不平衡的载流子注入、低质量的钙钛矿薄膜以及PQD自身的非辐射复合通道等。为解决这些问题,我们引入了界面修饰层苯乙基溴化铵(PEA... 钙钛矿量子点(PQD)的喷墨打印技术在全彩显示应用中具有巨大潜力,但一些关键问题仍然影响其发光效率,例如不平衡的载流子注入、低质量的钙钛矿薄膜以及PQD自身的非辐射复合通道等。为解决这些问题,我们引入了界面修饰层苯乙基溴化铵(PEABr)以平衡器件的载流子传输。PEABr与钙钛矿二元溶剂(甲苯、萘)具有相似的结构,可改善PQD的印刷特性和成膜能力,并有效钝化PQD膜的Br-空位和界面缺陷。基于这一策略,成功实现了在414 cd/m^(2)亮度下,最大外量子效率(EQE)达到8.82%、电流效率(CE)达到29.15 cd/A的喷墨打印钙钛矿量子点发光二极管(PeLED),为喷墨打印技术在未来显示领域中的应用提供了有益的思路。 展开更多
关键词 钙钛矿量子 喷墨打印 电致发光器件 界面修饰
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量子点发光二极管传输层研究进展 被引量:1
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作者 李晓云 杜晓宇 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第9期1-5,共5页
量子点发光二极管(QLED)凭借着色纯度好、半最大发射带宽窄、无机成分寿命长、合成工艺简单等优点,在显示和固态照明等领域表现出广泛的应用潜力。近年来,QLED的性能提升迅速,有取代有机发光二极管(OLED)的趋势。QLED的传输层材料的选... 量子点发光二极管(QLED)凭借着色纯度好、半最大发射带宽窄、无机成分寿命长、合成工艺简单等优点,在显示和固态照明等领域表现出广泛的应用潜力。近年来,QLED的性能提升迅速,有取代有机发光二极管(OLED)的趋势。QLED的传输层材料的选择对提高器件的载流子注入起到了至关重要的作用。传输层的化学性质及其界面也会对器件的稳定性和寿命产生影响。本文总结了QLED传输层的研究现状,分析了制约QLED性能的因素,介绍了其性能改进的方向方法,并展望了QLED的未来发展。 展开更多
关键词 量子发光二极管 电子传输层 空穴传输层
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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
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作者 陈晓丽 陈佩丽 +3 位作者 卢思 朱艳青 徐雪青 苏秋成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期69-77,共9页
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量... 采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。 展开更多
关键词 HF InP/GaP/ZnS量子 光学性能 发光二极管
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InP量子点发光材料:从合成到器件应用的研究进展(特邀)
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作者 汪瑶 翁其新 +4 位作者 时应章 王志文 宋玉洁 孙小卫 张文达 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第7期39-53,共15页
量子点(Quantum Dots,QDs)作为一种新型纳米材料,具有优异的光学性质。随着研究的深入,量子点已在光电器件、生物成像、太阳能电池、显示技术等领域发挥重要作用。磷化铟(InP)量子点因其低毒性、高光效,被视为镉基量子点的潜在替代品而... 量子点(Quantum Dots,QDs)作为一种新型纳米材料,具有优异的光学性质。随着研究的深入,量子点已在光电器件、生物成像、太阳能电池、显示技术等领域发挥重要作用。磷化铟(InP)量子点因其低毒性、高光效,被视为镉基量子点的潜在替代品而受到广泛关注,其发光光谱覆盖整个可见光区域,光致发光量子产率(PLQY)、光电性能上与镉基量子点相当。然而,InP量子点在前驱体材料、生长机制、核壳晶格匹配性等方面与镉基量子点相比存在显著差异,这些差异在一定程度上影响了其光学性能,从而制约了在显示器件中的应用。综述了InP量子点材料及其量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)的发展现状。首先,系统地介绍了InP量子点的基本特性,重点从色纯度提升和缺陷态消除等角度深入探讨了其光学性能的优化与改进。随后,详细分析了量子点结构设计(电荷传输层和界面工程)对InP QLED器件性能的影响,并综述了近年来InP QLED的研究进展及其在相关领域的应用成果。最后,概述了InP量子点体系的发展以及面临的主要挑战,并提出了对InP量子点体系未来发展的期望,旨在为InP量子点体系的进一步研究和应用提供启示与方向。 展开更多
关键词 InP量子 色纯度 发光二极管 显示器件
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自浸润式纳米压印耦合实现量子点发光二极管性能提升 被引量:1
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作者 梁龙 郑悦婷 +2 位作者 林立华 胡海龙 李福山 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期613-620,共8页
胶体量子点材料因其优良的窄发射光谱、可调发射波长、高发光效率和优异的稳定性而被广泛研究,且同时具有溶液可加工性使得量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有广泛的适用性和应用。然而,器件自身存在的基底... 胶体量子点材料因其优良的窄发射光谱、可调发射波长、高发光效率和优异的稳定性而被广泛研究,且同时具有溶液可加工性使得量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有广泛的适用性和应用。然而,器件自身存在的基底模式导致QLED器件大量光子被限制在内部无法利用。本文基于纳米压印工艺同时利用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)材料本身的表面结合能开发出溶剂自浸润式纳米压印工艺,对压力依赖度低的同时简化了工艺流程,制备出高质量周期性的1.3,1,0.5μm三种尺寸的微纳结构图案层,对红、绿、蓝三色QLED器件进行耦合实现光提取。在这种情况下,1.3μm微纳结构耦合绿光QLED器件亮度达到715069 cd·m^(-2),最大外量子效率(External quantum efficiency,EQE)和电流效率分别提升至12.5%和57.3 cd·A^(-1);1μm尺寸耦合的蓝光QLED器件各电学性能提升接近200%;0.5μm尺寸耦合红光QLED器件EQE也从17.3%提升至20.5%。并通过角分布测试,证明微纳结构不会对QLED器件发光强度造成影响,仍然接近朗伯体发射。本工作提出的溶剂自浸润式纳米压印工艺及QLED光提取方法,为QLED的性能提升提供了一条简单有效的途径。 展开更多
关键词 量子发光二极管 纳米压印 耦合光学性能 光学仿真
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离子掺杂调控双钙钛矿量子点发光性能的研究进展 被引量:1
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作者 张丽媛 王查斯娜 +1 位作者 胡井香 詹传郎 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1-15,共15页
铅基卤化物钙钛矿发光材料因具有灵活的晶体结构、带隙可调性、缺陷容忍性和高荧光量子产率等优异性能而备受关注.但金属铅的毒性和钙钛矿的稳定性一直是阻碍其商业应用急需解决的问题.因此,需要探索更绿色环保的非铅金属卤化物类钙钛... 铅基卤化物钙钛矿发光材料因具有灵活的晶体结构、带隙可调性、缺陷容忍性和高荧光量子产率等优异性能而备受关注.但金属铅的毒性和钙钛矿的稳定性一直是阻碍其商业应用急需解决的问题.因此,需要探索更绿色环保的非铅金属卤化物类钙钛矿发光材料.近年来,通过替换铅离子发展起来的非铅双钙钛矿结构成功实现了低毒性和高稳定性,但由于其是间接带隙或因为宇称禁阻的直接带隙而造成光致发光效率极低.为了解决此问题,研究人员开发了离子掺杂策略,实现了光致发光效率的提升.本文综合评述了非铅双钙钛矿材料的晶体结构和发光性能,归纳了主族金属、稀土金属和过渡金属掺杂对非铅双钙钛矿发光性能的影响及其发光机制.最后,对离子掺杂策略的应用和进一步提升非铅双钙钛矿发光材料的性能进行了总结和展望. 展开更多
关键词 钙钛矿量子 离子掺杂 光致发光量子效率 自陷激子态发光
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镉系量子点材料的制备及其发光二极管结构优化
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作者 孟宗羿 杨尊先 郭太良 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期401-408,共8页
量子点(QDs)纳米晶体具备出众的窄半峰宽,且尺寸和发光波长易调节等优点,成为纳米材料领域的新星,而量子点电致发光二极管(QLED)的应用也随之得到研究人员的关注。文章的研究通过材料配比的设计,调节CdZnS-QDs的尺寸和发光波长,使其在Cd... 量子点(QDs)纳米晶体具备出众的窄半峰宽,且尺寸和发光波长易调节等优点,成为纳米材料领域的新星,而量子点电致发光二极管(QLED)的应用也随之得到研究人员的关注。文章的研究通过材料配比的设计,调节CdZnS-QDs的尺寸和发光波长,使其在CdSe-QDs基QLED中辅助器件的性能提升,最终能得到光致发光波长在425~455 nm的蓝紫色CdZnS-QDs。使用宽带隙的CdZnS-QDs作为器件的无机插入层材料,能够对CdSe-QDs作为发光层的QLED的能带匹配、激子传递和界面修饰等进行优化。通过对比实验探索最佳的QDs合成策略,精确控制QDs的发光峰位,并将得到的结晶性强且尺寸均匀的量子点制备CdSe-QDs基电致发光器件,在发光层与无机电子传输层之间插入制备的CdZnS-QDs,得到的器件在电流密度为1000 mA/cm^(2)时,亮度从227188 cd/m^(2)提升到313775 cd/m^(2),最大的电流效率达到38.1 Cd/A。该方法可以为QLED结构的设计提供新的思路。 展开更多
关键词 无机插入层 量子发光二极管 CdZnS 量子
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LiCl掺杂PEDOT∶PSS提高蓝光量子点发光二极管的性能
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作者 王艳林 曹松 +2 位作者 余春燕 周利通 翟光美 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期771-780,共10页
基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率... 基于全溶液制备的量子点发光二极管(QLEDs)通常存在电子-空穴注入不平衡的问题,严重地限制了蓝光QLEDs器件性能的提升。本文研究了不同浓度的金属卤化物(Li Cl)掺杂对聚(乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)薄膜的形貌、导电率、透光性以及所制备QLEDs器件性能的影响规律。实验结果表明,Li Cl的掺杂浓度(质量分数)为2%时蓝光QLED器件性能的提升效果最佳,这主要归因于Li Cl掺杂后的PEDOT∶PSS薄膜导电率和透光性的增强以及器件中空穴注入效率的提高。相较于未掺杂的PEDOT∶PSS基QLED器件,基于Li Cl掺杂的蓝光QLED器件的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率分别从5 083 cd·m^(-2)、0.91 cd·A^(-1)、0.59 lm·W^(-1)和2.31%提升到7 451 cd·m^(-2)、1.38 cd·A^(-1)、0.89 lm·W^(-1)和3.51%。结果表明,采用Li Cl掺杂PEDOT∶PSS空穴注入层是提高蓝光QLED性能的一种有效策略。 展开更多
关键词 蓝光量子发光二极管 PEDOT∶PSS LiCl掺杂 空穴注入层 空穴注入
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2-己基癸酸改性的全溶液制备的CsPbBr_(3)量子点发光二极管
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作者 吴加其 王程杨 +1 位作者 陆红波 朱俊 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期875-882,共8页
钙钛矿量子点发光二极管是极具发展潜力的新型显示技术。全无机CsPbX3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点具有优异的光电性能,然而合成CsPbX3量子点时往往需要油酸(OA)和油胺(OAm)等配体的参与,这些配体和量子点之间的动态结合方式使其极易从量子... 钙钛矿量子点发光二极管是极具发展潜力的新型显示技术。全无机CsPbX3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点具有优异的光电性能,然而合成CsPbX3量子点时往往需要油酸(OA)和油胺(OAm)等配体的参与,这些配体和量子点之间的动态结合方式使其极易从量子点表面脱落,进而引发量子点的不稳定性现象。此外,油酸油胺的绝缘特性会阻碍发光二极管中载流子的传输并恶化器件性能。鉴于此,本文以CsPbBr_(3)量子点为研究对象,采用短链配体2-己基癸酸(DA)部分取代长链OA配体,系统探究了不同DA/OA摩尔比对CsPbBr_(3)量子点光学性能的影响。结果表明,经DA修饰的CsPbBr_(3)量子点表现出高达88.64%的光致发光量子产率。随后,将优化后的CsPbBr_(3)量子点应用到全溶液制备的发光二极管中,器件的最高亮度和最大外量子效率分别从9 cd·m^(-2)和0.04%提升至155 cd·m^(-2)和0.14%。接着,通过优化钙钛矿发光层和空穴传输层之间的能级匹配,进一步将器件的亮度和外量子效率提升至436 cd·m^(-2)和0.20%。 展开更多
关键词 CsPbBr_(3)量子 新型显示技术 发光二极管 配体取代 全溶液制备
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多色高发光效率CsPbX3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点的制备及其在发光二极管中的应用 被引量:7
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作者 黄国斌 骆登峰 张茂升 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期932-938,共7页
采用室温合成法制备出一系列具有高发光效率和多色发光的CsPbX 3钙钛矿量子点(PQDs),反应全过程快速简便,且通过调节不同的卤素组成(Cl,Br,I)可以实现CsPbX3 PQD的多色发光。通过表征证明,CsPbX3 PQDs呈立方晶型,平均粒径约为10 nm,发... 采用室温合成法制备出一系列具有高发光效率和多色发光的CsPbX 3钙钛矿量子点(PQDs),反应全过程快速简便,且通过调节不同的卤素组成(Cl,Br,I)可以实现CsPbX3 PQD的多色发光。通过表征证明,CsPbX3 PQDs呈立方晶型,平均粒径约为10 nm,发射光谱覆盖可见光波长范围为410~630 nm,半峰宽14~38 nm,荧光量子产率10%~90%。最后将CsPbX3 PQDs应用于发光二极管(LED)器件的制备中,在恒定电压下工作时,能保持LED器件的发光颜色、强度和颜色坐标不变。 展开更多
关键词 钙钛矿 量子 发光 室温合成法 发光二极管
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全无机钙钛矿量子点的合成、性质及发光二极管应用进展 被引量:22
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作者 刘王宇 陈斐 +1 位作者 孔淑祺 唐爱伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期117-133,共17页
近年来,全无机铯铅卤素钙钛矿(CsPb X 3,X=Cl,Br,I)量子点由于其色纯度高、具有可调谐的发射波长(410~760 nm)、窄的半峰宽(12~42 nm)和较高的荧光量子产率(最高可达95%以上)以及可全溶液处理等优势而受到人们的高度关注,在显示和照明... 近年来,全无机铯铅卤素钙钛矿(CsPb X 3,X=Cl,Br,I)量子点由于其色纯度高、具有可调谐的发射波长(410~760 nm)、窄的半峰宽(12~42 nm)和较高的荧光量子产率(最高可达95%以上)以及可全溶液处理等优势而受到人们的高度关注,在显示和照明领域有着较为广阔的应用前景。本文首先介绍了近年来发展起来的全无机钙钛矿量子点的液相合成方法,如高温热注射法、一步反应法、阴离子交换法和过饱和重结晶法等;其次介绍了全无机钙钛矿量子点的形貌、尺寸和晶型调控及材料组分、反应温度和杂质离子对其发光性能的影响,进而总结了无铅全无机钙钛矿量子点的研究进展;然后介绍了全无机钙钛矿量子点在发光二极管方面的应用进展;最后概述了全无机钙钛矿量子点在未来发展中存在的挑战和机遇。 展开更多
关键词 全无机钙钛矿 量子 合成方法 光电性能 发光二极管
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高效率钙钛矿量子点发光二极管研究进展 被引量:13
15
作者 皮慧慧 李国辉 +1 位作者 周博林 崔艳霞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期650-667,共18页
钙钛矿量子点具有光致发光量子产率高、发光光谱可调、光谱宽度窄、缺陷容忍度高以及独特的量子限域效应等优点,因此成为研制新型高效率发光二极管(LED)的热门材料。本文介绍了近几年基于钙钛矿量子点LED的研究最新进展。首先,介绍了钙... 钙钛矿量子点具有光致发光量子产率高、发光光谱可调、光谱宽度窄、缺陷容忍度高以及独特的量子限域效应等优点,因此成为研制新型高效率发光二极管(LED)的热门材料。本文介绍了近几年基于钙钛矿量子点LED的研究最新进展。首先,介绍了钙钛矿量子点独特的晶体结构及钙钛矿发光器件的工作原理。然后,阐述了合成高光致发光量子产率(PLQY)量子点的方法及提高钙钛矿量子点LED效率的若干方法。最后,分析了当前钙钛矿量子点LED所面临的挑战如不稳定性及毒性,以及可应用在显示和照明方面的高效率LED所展现的前景。本综述为研制更高效率以及更加安全的钙钛矿量子点发光器件提供了有益的见解。 展开更多
关键词 量子 钙钛矿发光二极管 光致发光量子产率 量子效率 电流效率
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基于CsPbBr3钙钛矿量子点的高柔性绿光发光二极管 被引量:7
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作者 郭洁 陆敏 +3 位作者 孙思琪 胡强 张佳 白雪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期233-240,共8页
众所周知,柔性信息显示将在未来的光电应用中发挥重要作用。然而,由于电极材料和柔性衬底的选择有限,制备高效、稳定的柔性发光二极管仍然存在巨大的挑战。以光聚合物作为柔性衬底、CsPbBr3量子点作为发光层,成功地制备了柔性钙钛矿发... 众所周知,柔性信息显示将在未来的光电应用中发挥重要作用。然而,由于电极材料和柔性衬底的选择有限,制备高效、稳定的柔性发光二极管仍然存在巨大的挑战。以光聚合物作为柔性衬底、CsPbBr3量子点作为发光层,成功地制备了柔性钙钛矿发光二极管。为了改善电子的注入和传输,采用Ag作阴极。结果表明,高柔性的钙钛矿发光二极管的最高亮度为10325 cd/m2且具有高色纯度(FWHM=19 nm)。此外,制备的钙钛矿发光二极管具有良好的柔性和机械延展性。在大约180°的弯曲角度下反复弯曲100次后,仍然保持着良好的器件性能。该研究为未来柔性显示器的应用奠定了研究基础。 展开更多
关键词 CsPbBr3量子 光聚合物 银电极 柔性发光二极管
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Mn掺杂CsPbCl3钙钛矿量子点的发光性质 被引量:12
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作者 陈肖慧 季思航 +1 位作者 袁曦 赵家龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期609-614,共6页
研究了不同Mn/Pb量比的Mn掺杂CsPbCl_3(Mn∶CsPbCl_3)钙钛矿量子点的发光性质。Mn/Pb的量比增加引起的Mn^(2+)发光峰的红移,被认为是来源于高浓度Mn^(2+)掺杂下的Mn^(2+)-Mn^(2+)对。进一步研究了Mn∶CsPbCl_3量子点的发光效率与Mn/Pb... 研究了不同Mn/Pb量比的Mn掺杂CsPbCl_3(Mn∶CsPbCl_3)钙钛矿量子点的发光性质。Mn/Pb的量比增加引起的Mn^(2+)发光峰的红移,被认为是来源于高浓度Mn^(2+)掺杂下的Mn^(2+)-Mn^(2+)对。进一步研究了Mn∶CsPbCl_3量子点的发光效率与Mn/Pb的量比之间的关系,发现随着量比达到5∶1时,其发光效率明显下降。这种发光效率下降是由于Mn掺杂浓度引起的发光猝灭。Mn∶CsPbCl_3量子点的变温发光光谱证实,随着温度的升高,Mn离子发光峰蓝移,线宽加宽,但其发光强度明显增加。 展开更多
关键词 钙钛矿 掺杂量子 发光 量子产率
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溴基钙钛矿量子点发光二极管的制备及性能优化
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作者 陈嘉敏 崔向前 +4 位作者 胡陆峰 叶志祥 王宁 李波波 仇明侠 《深圳大学学报(理工版)》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期688-695,共8页
为了研究量子点发光层薄膜厚度对钙钛矿量子点发光二极管(perovskite quantum dot lightemitting diodes,PeLED)电-光转换效率的影响,采用配体辅助再沉淀法(ligand assisted reprecipitation,LARP)室温合成铯铅溴(CsPbBr_(3))钙钛矿量子... 为了研究量子点发光层薄膜厚度对钙钛矿量子点发光二极管(perovskite quantum dot lightemitting diodes,PeLED)电-光转换效率的影响,采用配体辅助再沉淀法(ligand assisted reprecipitation,LARP)室温合成铯铅溴(CsPbBr_(3))钙钛矿量子点,并用其制备出稳定绿光发射的PeLED.通过比较不同发光层厚度CsPbBr_(3)PeLEDs的发光效率,获得量子点发光层的最佳膜厚为43.2 nm.采用CsPbBr_(3)作为PeLED发光层时的器件外量子效率(external quantum efficiency,EQE)较低,为提高PeLED的电-光转换效率,用FASn_(0.3)Pb_(0.7)Br_(3)量子点替代CsPbBr_(3)作为发光层,并选用聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole,PVK)、聚[(N,N'-(4-正丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺)-ALT-(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)](poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(4,4'-(N-(4-butylphenyl)))],TFB)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzi,Poly-TPD)和聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-triMethylphenyl)aMine,PTAA])等4种不同的空穴传输层.光致发光光谱和电学性能测试结果表明,空穴传输层为TFB时,FASn_(0.3)Pb_(0.7)Br_(3)PeLED由于具有较高的空穴迁移率,EQE最高可达4.2%.实验结果证明TFB适于作为FASn_(0.3)Pb_(0.7)Br_(3)PeLED的空穴传输层材料. 展开更多
关键词 光电子学 CsPbBr_(3)钙钛矿量子 FASn_(0.3)Pb_(0.7)Br_(3)钙钛矿量子 配体辅助再沉淀法 空穴传输层 量子发光二极管
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团聚效应对基于CdSe/ZnS量子点的电致发光二极管性能的影响 被引量:3
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作者 王立 荣佳玲 +2 位作者 曹进 朱文清 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1351-1356,共6页
通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点(Quantum dot,QD)的溶液为发光层薄膜,制备了叠层结构的电致发光二极管,利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系。研究结果表明:随QD厚度的增加,QD纳米粒子薄膜由单层向多层薄... 通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点(Quantum dot,QD)的溶液为发光层薄膜,制备了叠层结构的电致发光二极管,利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系。研究结果表明:随QD厚度的增加,QD纳米粒子薄膜由单层向多层薄膜形成,QD纳米颗粒发生团聚现象,并使器件亮度降低。此外,退火温度对QD薄膜形貌及其发光强度影响很大:当退火温度高于150℃时,产生的热量也会造成QD纳米粒子团聚,并导致QLED器件发光性能下降。 展开更多
关键词 量子 发光二极管 团聚
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氧化锌作为电子传输层的量子点发光二极管 被引量:6
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作者 马航 李邓化 +1 位作者 陈雯柏 叶继兴 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期507-513,共7页
为降低量子点发光二极管(QLED)的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌(ZnO)作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED样品。在该器件结构基础上,采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真... 为降低量子点发光二极管(QLED)的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌(ZnO)作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/QDs/ZnO/Al的QLED样品。在该器件结构基础上,采用隧穿注入和空间电荷限制电流模型仿真分析了载流子在量子点(QDs)层的电流密度。研究发现,当ZnO厚度为50 nm时,poly-TPD的理论最优厚度为40 nm,载流子在QDs层的注入达到相对平衡。通过测试器件的电流密度-电压-亮度-发光效率特性,研究了空穴传输层厚度对QLED器件性能的影响。实验结果表明,当空穴传输层厚度为40 nm时,器件的开启电压为1.7 V,最大发光效率为1.18 cd/A。在9 V电压下,器件最大亮度达到5 225 cd/m^2,远优于其他厚度的器件。实验结果与仿真结果基本吻合。 展开更多
关键词 量子发光二极管 隧穿注入 空间电荷限制电流 电流密度 亮度 电流效率
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