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Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te扫描隧道谱的模型解释
1
作者
肖正琼
戴昊光
+2 位作者
刘欣扬
陈平平
查访星
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期300-304,共5页
本工作利用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了分子束外延生长的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。扫描隧道谱(STS)测量表明,此碲镉汞材料的电流-电压(I/V)隧道谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)比其实际材料带隙增大约130%,说明存在明显...
本工作利用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了分子束外延生长的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。扫描隧道谱(STS)测量表明,此碲镉汞材料的电流-电压(I/V)隧道谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)比其实际材料带隙增大约130%,说明存在明显的针尖诱导能带弯曲(TIBB)效应。扫描隧道谱三维TIBB模型计算发现低成像偏压测量时获取的I/V隧道谱数据与理论计算结果有令人满意的一致性。然而较大成像偏压时所计算的I/V谱与实验谱线在较大正偏压区域存在一定偏离。这是目前的TIBB模型未考虑带带隧穿、缺陷辅助隧穿等碲镉汞本身的输运机制对隧道电流的影响造成的。
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关键词
扫描隧道显微镜
扫描隧道谱
HGCDTE
针尖诱导能带弯曲
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职称材料
题名
Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te扫描隧道谱的模型解释
1
作者
肖正琼
戴昊光
刘欣扬
陈平平
查访星
机构
上海大学理学院物理系
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期300-304,共5页
基金
国家自然科学基金面上项目(61874069)。
文摘
本工作利用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了分子束外延生长的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。扫描隧道谱(STS)测量表明,此碲镉汞材料的电流-电压(I/V)隧道谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)比其实际材料带隙增大约130%,说明存在明显的针尖诱导能带弯曲(TIBB)效应。扫描隧道谱三维TIBB模型计算发现低成像偏压测量时获取的I/V隧道谱数据与理论计算结果有令人满意的一致性。然而较大成像偏压时所计算的I/V谱与实验谱线在较大正偏压区域存在一定偏离。这是目前的TIBB模型未考虑带带隧穿、缺陷辅助隧穿等碲镉汞本身的输运机制对隧道电流的影响造成的。
关键词
扫描隧道显微镜
扫描隧道谱
HGCDTE
针尖诱导能带弯曲
Keywords
scanning tunneling microscopy
scanning tunneling spectroscopy
HgCdTe
tip-induced band bending
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
操作
1
Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te扫描隧道谱的模型解释
肖正琼
戴昊光
刘欣扬
陈平平
查访星
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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