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金锗合金在电子工业中的应用
被引量:
16
1
作者
阳岸恒
谢宏潮
《贵金属》
CAS
CSCD
2007年第1期63-66,共4页
金锗合金有着低的接触电阻及与衬底粘附性好等特点,主要用于M/S(金属/半导体)中以形成欧姆接触;同时,由于其良好的润湿性、导电性和导热性及较低的封接温度和热膨胀系数,在电子封装中也得到广泛应用。
关键词
金
属材料
金锗合金
电子封装
金
属/半导体系统
欧姆接触
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职称材料
金锗合金中锗含量标准分析方法浅析
被引量:
4
2
作者
朱武勋
朱利亚
+1 位作者
李光俐
罗英章
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第A01期164-167,共4页
介绍了行业标准——金锗合金化学分析方法两个标准分析方法的制定过程。第1部分,锗量的测定采用电感耦合等离子体发射光谱法,测定范围为0.5%~5%;第2部分锗量的测定新采用碘酸钾电位滴定法,测定范围为5%~30%。
关键词
分析化学
金锗合金
分离
测定
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职称材料
微波炉溶样N_2O-AAS法测定金锗和金锗锑合金中的锗
3
作者
杨萍
李勇军
周岭
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第S2期372-373,共2页
采用微波炉密闭溶解金锗、金锗锑合金试样后,经冰柜快速冷却,用N2O-AAS法测定其中的锗。试样的分析结果表明本方法具有良好的精密度和回收率。
关键词
金锗合金
金
锗
锑
合金
微波炉
N
2
O-AAS法.
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职称材料
Ni对AuGe_(12)合金组织和性能的影响
被引量:
9
4
作者
谢宏潮
阳岸恒
+2 位作者
庄滇湘
李曲波
贺晓燕
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期35-39,共5页
通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99Ni1、(Au88Ge12)97Ni3、(Au88Ge12)95Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗...
通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99Ni1、(Au88Ge12)97Ni3、(Au88Ge12)95Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗大GeNi化合物,扰乱Ge在金中均匀分布,使Ge颗粒变得粗大。随Ni加入量增加,产生GeNi化合物集聚,AuGeNi合金金相组织粗大,合金的硬度、强度降低,加工性能变差,合金熔化温度范围变宽。
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关键词
金
属材料
金锗合金
金
锗
镍
合金
蒸发材料
机械性能
显微组织
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职称材料
Au-12Ge钎料箔材的工艺集成制备与组织演化研究
5
作者
张顺猛
熊凯
+3 位作者
朱振永
许思勇
李传维
毛勇
《贵金属》
CAS
北大核心
2022年第2期25-30,35,共7页
Au-12Ge共晶合金传统生产工艺操作复杂,重复性差,成品率低。本文采用一体式加工工艺,制备出厚度为20μm的箔材钎料。采用扫描电子显微镜(SEM)研究Au-12Ge共晶合金铸态、不同轧制变形量的显微组织形貌,采用同步热分析仪(DSC)研究Au-12Ge...
Au-12Ge共晶合金传统生产工艺操作复杂,重复性差,成品率低。本文采用一体式加工工艺,制备出厚度为20μm的箔材钎料。采用扫描电子显微镜(SEM)研究Au-12Ge共晶合金铸态、不同轧制变形量的显微组织形貌,采用同步热分析仪(DSC)研究Au-12Ge箔材的共晶转变温度。结果表明,Au-12Ge共晶合金的铸态组织为Au相和Ge相,随着热轧变形量的增大,Au-12Ge共晶合金组织Ge相经历细化分散到粗化过程,粗大的Ge晶粒内部包裹软质的Au相;Au-12Ge共晶合金箔材的熔点为361℃。
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关键词
金
属材料
钎料
金锗合金
箔材
一体式加工
组织演化
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职称材料
n型GaAs欧姆接触电极制备工艺
6
作者
左芬
翟章印
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第4期606-610,共5页
目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩...
目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500℃时可得到很小的比接触电阻率(10^(-6)Ω·cm^(2)),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗。退火温度低于400℃或高于500℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用。
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关键词
砷化镓
半导体
欧姆接触
金
锗
镍
合金
电极材料
离子溅射
比接触电阻率
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职称材料
题名
金锗合金在电子工业中的应用
被引量:
16
1
作者
阳岸恒
谢宏潮
机构
贵研铂业股份有限公司
出处
《贵金属》
CAS
CSCD
2007年第1期63-66,共4页
文摘
金锗合金有着低的接触电阻及与衬底粘附性好等特点,主要用于M/S(金属/半导体)中以形成欧姆接触;同时,由于其良好的润湿性、导电性和导热性及较低的封接温度和热膨胀系数,在电子封装中也得到广泛应用。
关键词
金
属材料
金锗合金
电子封装
金
属/半导体系统
欧姆接触
Keywords
metal materials
Au-Ge alloy
electron package
M/S system
ohmic contact
分类号
TG146.31 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
金锗合金中锗含量标准分析方法浅析
被引量:
4
2
作者
朱武勋
朱利亚
李光俐
罗英章
机构
贵研铂业股份有限公司稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室
出处
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第A01期164-167,共4页
文摘
介绍了行业标准——金锗合金化学分析方法两个标准分析方法的制定过程。第1部分,锗量的测定采用电感耦合等离子体发射光谱法,测定范围为0.5%~5%;第2部分锗量的测定新采用碘酸钾电位滴定法,测定范围为5%~30%。
关键词
分析化学
金锗合金
分离
测定
Keywords
analysis chemistry
AuGe alloys
Ge
analysis
分类号
O655.23 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
微波炉溶样N_2O-AAS法测定金锗和金锗锑合金中的锗
3
作者
杨萍
李勇军
周岭
机构
北京有色金属研究总院
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第S2期372-373,共2页
文摘
采用微波炉密闭溶解金锗、金锗锑合金试样后,经冰柜快速冷却,用N2O-AAS法测定其中的锗。试样的分析结果表明本方法具有良好的精密度和回收率。
关键词
金锗合金
金
锗
锑
合金
微波炉
N
2
O-AAS法.
分类号
TG115.31 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
Ni对AuGe_(12)合金组织和性能的影响
被引量:
9
4
作者
谢宏潮
阳岸恒
庄滇湘
李曲波
贺晓燕
机构
贵研铂业股份有限公司稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室
出处
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期35-39,共5页
基金
国家科技支撑计划项目(2007BAE26B03)
文摘
通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99Ni1、(Au88Ge12)97Ni3、(Au88Ge12)95Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗大GeNi化合物,扰乱Ge在金中均匀分布,使Ge颗粒变得粗大。随Ni加入量增加,产生GeNi化合物集聚,AuGeNi合金金相组织粗大,合金的硬度、强度降低,加工性能变差,合金熔化温度范围变宽。
关键词
金
属材料
金锗合金
金
锗
镍
合金
蒸发材料
机械性能
显微组织
Keywords
metal materials
AuGe alloy
AuGeNi alloy
evaporation materials
mechanical properties
microstructure
分类号
TG146.32 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
Au-12Ge钎料箔材的工艺集成制备与组织演化研究
5
作者
张顺猛
熊凯
朱振永
许思勇
李传维
毛勇
机构
云南大学材料与能源学院材料基因工程研究中心
上海交通大学材料科学与工程学院
出处
《贵金属》
CAS
北大核心
2022年第2期25-30,35,共7页
基金
国家自然科学基金项目(51801179)
云南省重大科技专项(2019ZE001-1,202002AB080001-6,202203ZA080001)
+2 种基金
云南省高层次人才引进计划项目(C619300A023)
云南省教育厅科学研究基金项目(2022J0004)
云南大学教改项目(2021Y35)。
文摘
Au-12Ge共晶合金传统生产工艺操作复杂,重复性差,成品率低。本文采用一体式加工工艺,制备出厚度为20μm的箔材钎料。采用扫描电子显微镜(SEM)研究Au-12Ge共晶合金铸态、不同轧制变形量的显微组织形貌,采用同步热分析仪(DSC)研究Au-12Ge箔材的共晶转变温度。结果表明,Au-12Ge共晶合金的铸态组织为Au相和Ge相,随着热轧变形量的增大,Au-12Ge共晶合金组织Ge相经历细化分散到粗化过程,粗大的Ge晶粒内部包裹软质的Au相;Au-12Ge共晶合金箔材的熔点为361℃。
关键词
金
属材料
钎料
金锗合金
箔材
一体式加工
组织演化
Keywords
metal materials
solder
Au-Ge alloy
foil
integrated processing
microstructure evolution
分类号
TG132 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
n型GaAs欧姆接触电极制备工艺
6
作者
左芬
翟章印
机构
淮阴师范学院物理系
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第4期606-610,共5页
基金
江苏省自然科学基金(BK20140450)
江苏省高校自然科学基金重大项目(19KJA150011)。
文摘
目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500℃时可得到很小的比接触电阻率(10^(-6)Ω·cm^(2)),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗。退火温度低于400℃或高于500℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用。
关键词
砷化镓
半导体
欧姆接触
金
锗
镍
合金
电极材料
离子溅射
比接触电阻率
Keywords
GaAs
semiconductor
ohmic contact
AuGeNi alloy
electrode material
ion sputtering
contact resistivity
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金锗合金在电子工业中的应用
阳岸恒
谢宏潮
《贵金属》
CAS
CSCD
2007
16
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职称材料
2
金锗合金中锗含量标准分析方法浅析
朱武勋
朱利亚
李光俐
罗英章
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2014
4
在线阅读
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职称材料
3
微波炉溶样N_2O-AAS法测定金锗和金锗锑合金中的锗
杨萍
李勇军
周岭
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
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职称材料
4
Ni对AuGe_(12)合金组织和性能的影响
谢宏潮
阳岸恒
庄滇湘
李曲波
贺晓燕
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2011
9
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下载PDF
职称材料
5
Au-12Ge钎料箔材的工艺集成制备与组织演化研究
张顺猛
熊凯
朱振永
许思勇
李传维
毛勇
《贵金属》
CAS
北大核心
2022
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
6
n型GaAs欧姆接触电极制备工艺
左芬
翟章印
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022
0
在线阅读
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职称材料
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