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金锗合金在电子工业中的应用 被引量:16
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作者 阳岸恒 谢宏潮 《贵金属》 CAS CSCD 2007年第1期63-66,共4页
金锗合金有着低的接触电阻及与衬底粘附性好等特点,主要用于M/S(金属/半导体)中以形成欧姆接触;同时,由于其良好的润湿性、导电性和导热性及较低的封接温度和热膨胀系数,在电子封装中也得到广泛应用。
关键词 属材料 金锗合金 电子封装 属/半导体系统 欧姆接触
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金锗合金中锗含量标准分析方法浅析 被引量:4
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作者 朱武勋 朱利亚 +1 位作者 李光俐 罗英章 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2014年第A01期164-167,共4页
介绍了行业标准——金锗合金化学分析方法两个标准分析方法的制定过程。第1部分,锗量的测定采用电感耦合等离子体发射光谱法,测定范围为0.5%~5%;第2部分锗量的测定新采用碘酸钾电位滴定法,测定范围为5%~30%。
关键词 分析化学 金锗合金 分离 测定
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微波炉溶样N_2O-AAS法测定金锗和金锗锑合金中的锗
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作者 杨萍 李勇军 周岭 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第S2期372-373,共2页
采用微波炉密闭溶解金锗、金锗锑合金试样后,经冰柜快速冷却,用N2O-AAS法测定其中的锗。试样的分析结果表明本方法具有良好的精密度和回收率。
关键词 金锗合金 合金 微波炉 N2O-AAS法.
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Ni对AuGe_(12)合金组织和性能的影响 被引量:9
4
作者 谢宏潮 阳岸恒 +2 位作者 庄滇湘 李曲波 贺晓燕 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期35-39,共5页
通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99Ni1、(Au88Ge12)97Ni3、(Au88Ge12)95Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗... 通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99Ni1、(Au88Ge12)97Ni3、(Au88Ge12)95Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗大GeNi化合物,扰乱Ge在金中均匀分布,使Ge颗粒变得粗大。随Ni加入量增加,产生GeNi化合物集聚,AuGeNi合金金相组织粗大,合金的硬度、强度降低,加工性能变差,合金熔化温度范围变宽。 展开更多
关键词 属材料 金锗合金 合金 蒸发材料 机械性能 显微组织
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Au-12Ge钎料箔材的工艺集成制备与组织演化研究
5
作者 张顺猛 熊凯 +3 位作者 朱振永 许思勇 李传维 毛勇 《贵金属》 CAS 北大核心 2022年第2期25-30,35,共7页
Au-12Ge共晶合金传统生产工艺操作复杂,重复性差,成品率低。本文采用一体式加工工艺,制备出厚度为20μm的箔材钎料。采用扫描电子显微镜(SEM)研究Au-12Ge共晶合金铸态、不同轧制变形量的显微组织形貌,采用同步热分析仪(DSC)研究Au-12Ge... Au-12Ge共晶合金传统生产工艺操作复杂,重复性差,成品率低。本文采用一体式加工工艺,制备出厚度为20μm的箔材钎料。采用扫描电子显微镜(SEM)研究Au-12Ge共晶合金铸态、不同轧制变形量的显微组织形貌,采用同步热分析仪(DSC)研究Au-12Ge箔材的共晶转变温度。结果表明,Au-12Ge共晶合金的铸态组织为Au相和Ge相,随着热轧变形量的增大,Au-12Ge共晶合金组织Ge相经历细化分散到粗化过程,粗大的Ge晶粒内部包裹软质的Au相;Au-12Ge共晶合金箔材的熔点为361℃。 展开更多
关键词 属材料 钎料 金锗合金 箔材 一体式加工 组织演化
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n型GaAs欧姆接触电极制备工艺
6
作者 左芬 翟章印 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第4期606-610,共5页
目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩... 目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500℃时可得到很小的比接触电阻率(10^(-6)Ω·cm^(2)),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗。退火温度低于400℃或高于500℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用。 展开更多
关键词 砷化镓 半导体 欧姆接触 合金 电极材料 离子溅射 比接触电阻率
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