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基于热阻拓扑关系的高频电源金氧半场效晶体管的散热设计及仿真被引量：4: 1; 作者胡海拉王石刚 +1 位作者莫锦秋范进秋《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期180-184,共5页; 研究了高频电源中金氧半场效晶体管(MOSFET)的散热设计问题,分析了MOSFET的热性能参数,建立了单个和耦合器件散热的热阻拓扑模型,推导出各接触面的温度公式,由此得到工程中选取散热器的切实依据,并用于实际高频电源中耦合MOSFET的散热处... 展开更多; 关键词金氧半场效晶体管散热设计热阻模型计算流体动力学仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳化硅功率器件技术综述与展望被引量：116: 2; 作者盛况任娜徐弘毅《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期1741-1752,共12页; 碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶... 展开更多; 关键词碳化硅功率器件二极管结型场效应晶体管金氧半场效晶体管绝缘栅双极型晶体管门极可断晶闸管; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种叉车用交流调速控制器散热设计: 3; 作者李春卉侍才洪 +1 位作者张学玲胡军中《中国工程机械学报》 2013年第3期252-254,共3页; 金氧半场效晶体管(MOSFET)承受着上百安培的电流,如果热量不能及时散去,控制器进行热保护甚至烧坏MOSFET,因此,提高控制器的散热性能至关重要.分析了24V、250A调速控制器的MOSFET的最大功率损耗,并根据最大功率损耗以及散热器的热阻确... 展开更多; 关键词调速控制器金氧半场效晶体管散热性能 ANSYS仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

单点常导电磁悬浮实验装置研究被引量：2: 4; 作者胡海林万金安 +2 位作者杨星陈雨晖曹泽华《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2023年第5期141-147,共7页; 为了研究单点常导电磁悬浮系统的系统结构和控制算法,该文设计一套小型实验装置。针对现有悬浮斩波器输出的电流纹波较大和悬浮损耗较高等问题,使用第三代功率半导体SiC MOSFET优化悬浮斩波器,实现高开关频率和低开关损耗。实验结果表明... 展开更多; 关键词单点常导电磁悬浮悬浮斩波器悬浮实验台架碳化硅金氧半场效晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于热阻拓扑关系的高频电源金氧半场效晶体管的散热设计及仿真被引量：4: 1; 作者胡海拉王石刚莫锦秋范进秋; 机构上海交通大学机械与动力工程学院; 出处《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期180-184,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(50875196); 文摘研究了高频电源中金氧半场效晶体管(MOSFET)的散热设计问题,分析了MOSFET的热性能参数,建立了单个和耦合器件散热的热阻拓扑模型,推导出各接触面的温度公式,由此得到工程中选取散热器的切实依据,并用于实际高频电源中耦合MOSFET的散热处理.同时,采用计算流体动力学分析软件ICEPAK对所选散热器按工况进行仿真验证.结果表明,该热阻拓扑模型可满足工程设计的要求.; 关键词金氧半场效晶体管散热设计热阻模型计算流体动力学仿真; Keywords metal-oxide-semiconductor field-effect transistor（MOSFET） thermal design thermal resistance model computational fluid dynamics（CFD） simulation; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳化硅功率器件技术综述与展望被引量：116: 2; 作者盛况任娜徐弘毅; 机构浙江大学电气工程学院; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期1741-1752,共12页; 基金国家重点研发计划项目(2018YFB0905703) 国家自然科学基金项目(51777187,U1766222)。; 文摘碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述。最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望。; 关键词碳化硅功率器件二极管结型场效应晶体管金氧半场效晶体管绝缘栅双极型晶体管门极可断晶闸管; Keywords silicon carbide(SiC) power device diodes junction field effect transistor(JFET) metal-oxidesemiconductor field effect transistor(MOSFET) insulator gate bipolar transistor(IGBT) gate turn-off thyristor(GTO); 分类号 TM461.5 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种叉车用交流调速控制器散热设计: 3; 作者李春卉侍才洪张学玲胡军中; 机构军事交通学院军事物流系军事医学科学院卫生装备研究所浙江美科斯叉车有限公司; 出处《中国工程机械学报》 2013年第3期252-254,共3页; 文摘金氧半场效晶体管(MOSFET)承受着上百安培的电流,如果热量不能及时散去,控制器进行热保护甚至烧坏MOSFET,因此,提高控制器的散热性能至关重要.分析了24V、250A调速控制器的MOSFET的最大功率损耗,并根据最大功率损耗以及散热器的热阻确定了铝片散热器的尺寸.通过ANSYS仿真得到散热片动态温度场和热负荷满足控制器的散热要求,从而有效提高了调速控制器的使用效率和可靠性.; 关键词调速控制器金氧半场效晶体管散热性能 ANSYS仿真; Keywords governing controller MOSFET （ Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect Transistd ） dissipation property ANSYS simulation; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单点常导电磁悬浮实验装置研究被引量：2: 4; 作者胡海林万金安杨星陈雨晖曹泽华; 机构江西理工大学电气工程与自动化学院江西省磁悬浮技术重点实验室; 出处《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2023年第5期141-147,共7页; 基金国家自然科学基金项目(52262050) 江西理工大学教学改革研究课题(XJG-2020-5)。; 文摘为了研究单点常导电磁悬浮系统的系统结构和控制算法,该文设计一套小型实验装置。针对现有悬浮斩波器输出的电流纹波较大和悬浮损耗较高等问题,使用第三代功率半导体SiC MOSFET优化悬浮斩波器,实现高开关频率和低开关损耗。实验结果表明,基于SiC MOSFET的悬浮斩波器可有效降低电流纹波并减小功率损耗。单点常导电磁悬浮实验涉及自动控制原理、电力电子技术、模拟电路、数字电路等多门学科,该装置可作为自动控制原理和电力电子技术的实验教学装置,帮助本科生深入课程内容和提升实践动手能力。; 关键词单点常导电磁悬浮悬浮斩波器悬浮实验台架碳化硅金氧半场效晶体管; Keywords routine conductive single-point electromagnetic levitation levitation chopper levitation test bench SiC MOSFET; 分类号 TP23 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于热阻拓扑关系的高频电源金氧半场效晶体管的散热设计及仿真	胡海拉王石刚莫锦秋范进秋	《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	碳化硅功率器件技术综述与展望	盛况任娜徐弘毅	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2020	116	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种叉车用交流调速控制器散热设计	李春卉侍才洪张学玲胡军中	《中国工程机械学报》	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	单点常导电磁悬浮实验装置研究	胡海林万金安杨星陈雨晖曹泽华	《实验技术与管理》 CAS 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料