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La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3∶Ag_x多晶靶材的制备及其电输运性质
1
作者
曹明刚
刘翔
+5 位作者
张辉
尚杰
段云彪
兰军
张少春
张鹏翔
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期214-216,262,共4页
采用固相反应法制备了不同Ag掺杂量的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)∶Agx(x为摩尔百分比,x=0.00、0.01、0.05、0.10、0.20、0.30、0.40)多晶靶材,XRD图谱显示所制备样品均为纯相的赝立方钙钛矿结构,并且随着Ag掺杂量的增加,a轴和b轴在0≤x≤0.4...
采用固相反应法制备了不同Ag掺杂量的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)∶Agx(x为摩尔百分比,x=0.00、0.01、0.05、0.10、0.20、0.30、0.40)多晶靶材,XRD图谱显示所制备样品均为纯相的赝立方钙钛矿结构,并且随着Ag掺杂量的增加,a轴和b轴在0≤x≤0.40范围内有微小的涨落;另外R-T曲线显示,0≤x≤0.05时,金属-绝缘转变温度(Tp)开始升高很快,0.05<x≤0.40时逐渐变缓,最大值为192K,这比化学共沉淀法制备的多晶靶材(273K)低约80K,分析其原因可能是粉体粒度的不同所致。
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关键词
LCMO∶Agx
固相法
多晶靶材
金属-绝缘转变温度
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职称材料
银掺杂对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜性能的影响
2
作者
曹晓凤
蒋洪川
+2 位作者
张万里
彭斌
杨仕清
《红外技术》
CSCD
北大核心
2007年第4期222-225,共4页
用射频磁控溅射法在不同温度的Si(001)基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜与银掺杂量为1(mol)%的La0.67Ca0.33MnO3-Ag薄膜,并用四探针法测量其电阻随温度的变化关系。发现由于银以金属形式存在于LCMO薄膜晶界处,使晶界处的电传导特性得...
用射频磁控溅射法在不同温度的Si(001)基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜与银掺杂量为1(mol)%的La0.67Ca0.33MnO3-Ag薄膜,并用四探针法测量其电阻随温度的变化关系。发现由于银以金属形式存在于LCMO薄膜晶界处,使晶界处的电传导特性得以改善,结晶温度降低至773 K以下,晶粒内双交换作用在晶界的传导加强,薄膜金属-绝缘转变温度升高到261 K,并在高温处薄膜的电阻-温度曲线有附加峰的出现。
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关键词
掺杂
射频磁控溅射
金属-绝缘转变温度
附加峰
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职称材料
题名
La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3∶Ag_x多晶靶材的制备及其电输运性质
1
作者
曹明刚
刘翔
张辉
尚杰
段云彪
兰军
张少春
张鹏翔
机构
昆明理工大学光电子新材料研究所
德国马普固体物理所
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期214-216,262,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50974066)
云南省自然科学基金资助项目(2009ZC013M)
文摘
采用固相反应法制备了不同Ag掺杂量的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)∶Agx(x为摩尔百分比,x=0.00、0.01、0.05、0.10、0.20、0.30、0.40)多晶靶材,XRD图谱显示所制备样品均为纯相的赝立方钙钛矿结构,并且随着Ag掺杂量的增加,a轴和b轴在0≤x≤0.40范围内有微小的涨落;另外R-T曲线显示,0≤x≤0.05时,金属-绝缘转变温度(Tp)开始升高很快,0.05<x≤0.40时逐渐变缓,最大值为192K,这比化学共沉淀法制备的多晶靶材(273K)低约80K,分析其原因可能是粉体粒度的不同所致。
关键词
LCMO∶Agx
固相法
多晶靶材
金属-绝缘转变温度
Keywords
LCMO∶Ag_x
solid
-
phase sintering
polycrystalline target
metal
-
insulation transition temperature
分类号
TM205 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
银掺杂对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜性能的影响
2
作者
曹晓凤
蒋洪川
张万里
彭斌
杨仕清
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2007年第4期222-225,共4页
基金
电子科技大学青年基金资助
文摘
用射频磁控溅射法在不同温度的Si(001)基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜与银掺杂量为1(mol)%的La0.67Ca0.33MnO3-Ag薄膜,并用四探针法测量其电阻随温度的变化关系。发现由于银以金属形式存在于LCMO薄膜晶界处,使晶界处的电传导特性得以改善,结晶温度降低至773 K以下,晶粒内双交换作用在晶界的传导加强,薄膜金属-绝缘转变温度升高到261 K,并在高温处薄膜的电阻-温度曲线有附加峰的出现。
关键词
掺杂
射频磁控溅射
金属-绝缘转变温度
附加峰
Keywords
Doping
RF
-
magnetron sputtering
metal
-
insulator（MI） transitiom appendent peaks
分类号
TB42 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3∶Ag_x多晶靶材的制备及其电输运性质
曹明刚
刘翔
张辉
尚杰
段云彪
兰军
张少春
张鹏翔
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
在线阅读
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职称材料
2
银掺杂对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜性能的影响
曹晓凤
蒋洪川
张万里
彭斌
杨仕清
《红外技术》
CSCD
北大核心
2007
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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