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高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT 被引量：3: 1; 作者李茂林陈万军 +6 位作者王方洲施宜军崔兴涛信亚杰刘超李肇基张波《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期265-269,290,共6页; 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终... 展开更多; 关键词增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT) 阈值电压界面态热氧化退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1: 2; 作者张雪锋季红兵 +2 位作者邱云贞王志亮徐静平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1149-1152,共4页; 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO... 展开更多; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管氮氧钽铪界面层高介电常数介质散射迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响被引量：2: 3; 作者张佩佩张辉 +5 位作者张晓东于国浩徐宁宋亮董志华张宝顺《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第11期815-822,共8页; 由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散。针对此问题,提出了一种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为HEMT器件栅介质的方法,制备了高质量... 展开更多; 关键词 ALGAN/GAN 复合栅介质金属-绝缘层-半导体-高电子迁移率晶体管(mi-shemt) 阈值电压界面态; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT	李茂林陈万军王方洲施宜军崔兴涛信亚杰刘超李肇基张波	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究	张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响	张佩佩张辉张晓东于国浩徐宁宋亮董志华张宝顺	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料