金属-有机框架材料在超级电容器中的优势和进展 被引量：2

1

作者 卢春宇 井源 +4 位作者 魏晓飞 姚世伟 王智飞 王姝斌 戴昉纳 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期1-15,共15页

金属-有机框架(Metal-organic framework,MOF)材料因其出色的比表面积、众多的活性位点、可调的孔径范围和灵活的框架结构,在气体分离、储能和催化等领域发挥着重要的作用.近年来,采用高表面积、永久孔隙以及包含固有的氧化还原活性位点... 金属-有机框架(Metal-organic framework,MOF)材料因其出色的比表面积、众多的活性位点、可调的孔径范围和灵活的框架结构,在气体分离、储能和催化等领域发挥着重要的作用.近年来,采用高表面积、永久孔隙以及包含固有的氧化还原活性位点的MOF材料作为超级电容器的电极材料引起了研究者们的关注.本文主要从MOF在超级电容器领域的研究出发,着重介绍了其性能和结构对超级电容器电化学性能的影响,阐述了关于MOF性能调控和结构设计的研究进展.首先,MOF的电导率是影响超级电容器能量密度和功率密度的一大关键性能,而其材料的特殊结构又直接影响了导电率.其次,MOF丰富的活性位点和可调的孔径尺寸等特点都为其导电性能的提升创造了条件.此外,MOF的结构稳定性与超级电容器的循环性能密切相关,稳定结构的构建是增强超级电容器循环性能的重要前提.最后,对MOF未来在超级电容器领域中的研究进行了展望,结构的调控仍然是这一领域的重要研究方向. 展开更多

关键词 金属-有机框架材料 超级电容器 导电率 稳定性 结构调控

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基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体结构的太赫兹辐射产生

2

作者 黄彬 刘翔 +1 位作者 余健雄 杜海伟 《光电工程》 CSCD 北大核心 2024年第12期110-118,共9页

利用超短激光脉冲泵浦半导体表面或者半导体异质结可以产生太赫兹脉冲辐射。基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体异质结的太赫兹辐射产生物理模型,通过数值模拟和理论分析研究了载流子密度和速度在半导体内部的变化规律,分析了超短... 利用超短激光脉冲泵浦半导体表面或者半导体异质结可以产生太赫兹脉冲辐射。基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体异质结的太赫兹辐射产生物理模型,通过数值模拟和理论分析研究了载流子密度和速度在半导体内部的变化规律,分析了超短激光脉宽、载流子寿命以及半导体厚度等参数对太赫兹辐射的影响和物理机制。结果显示,超短激光脉宽的增加会提高太赫兹脉冲的幅值,降低太赫兹脉冲中心频率和半峰全宽;载流子寿命和半导体材料厚度的增加对太赫兹辐射的中心频率和半峰全宽有不同程度的降低作用。通过分析不同参数对产生太赫兹辐射的影响,获得了该作用过程优化宽带太赫兹脉冲产生的途径和参数。本文结果对开展相关实验提供了较好的理论参考。 展开更多

关键词 太赫兹 超短激光 金属-绝缘体-半导体 异质结 脉宽

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溶胶-凝胶技术制备超级电容器金属氧化物电极材料的研究进展

3

作者 张瑞珠 熊先文 何方 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期40-43,共4页

金属氧化物电极材料兼有双电层电容和法拉第准电容,溶胶-凝胶技术制备金属氧化物电极材料可有效地提高比容量且制备的材料纯度高、工艺简单等,使超级电容器性能得到显著的提高,引起了许多研究者的广泛关注。综述了超级电容器的特征、应... 金属氧化物电极材料兼有双电层电容和法拉第准电容,溶胶-凝胶技术制备金属氧化物电极材料可有效地提高比容量且制备的材料纯度高、工艺简单等,使超级电容器性能得到显著的提高,引起了许多研究者的广泛关注。综述了超级电容器的特征、应用范围,并详细地介绍了溶胶-凝胶技术制备金属氧化物电极材料的优点和存在的问题及研究进展情况,为促进新型储能电极材料的研究提供科学参考。 展开更多

关键词 超级电容器 溶胶-凝胶技术 金属氧化物 法拉第准电容

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第一性原理计算绝缘体-金属转变临界掺杂浓度:Co重掺杂Si体系 被引量：1

4

作者 薛晓晚 杨影影 +4 位作者 秦圆 吴爱民 王旭东 黄昊 姚曼 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第2期342-348,共7页

基于密度泛函理论的第一性原理方法,本文旨在探索确定绝缘体-金属转变临界浓度的理论计算方法.以Co重掺杂Si为研究对象,构建并计算了10个Co不同掺杂浓度模型的晶体结构、杂质形成能及其电子性质.发现在Co掺杂Si体系的带隙中形成了杂质能... 基于密度泛函理论的第一性原理方法,本文旨在探索确定绝缘体-金属转变临界浓度的理论计算方法.以Co重掺杂Si为研究对象,构建并计算了10个Co不同掺杂浓度模型的晶体结构、杂质形成能及其电子性质.发现在Co掺杂Si体系的带隙中形成了杂质能级,杂质能级的位置和宽度随着Co浓度的增加呈线性变化.当Co掺杂浓度较高时杂质形成能逐渐稳定,且杂质能级穿过费米能级使体系表现出金属性.综合杂质形成能的变化趋势,以及杂质能级极小值与费米能级间的距离条件,可预测出发生绝缘体-金属转变的Co掺杂浓度为2.601Wingdings 2MC@10^(20) cm^(-3),与实验结果相一致.上述两条依据应用于S重掺杂Si体系和Se重掺杂Si体系同样成立. 展开更多

关键词 重掺杂 绝缘体-金属转变 临界浓度 中间带 第一性原理

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金属-绝缘体颗粒膜的巨霍尔效应研究进展

5

作者 郝身芬 王良民 +4 位作者 张兆刚 余天 李杏清 李定国 陈鹏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F11期217-220,共4页

介绍了金属-绝缘体颗粒膜巨霍尔效应的研究背景及样品的制备与测量,总结了近年来该领域的研究进展和应用前景,最后对研发应用中存在的问题和趋势提出了自己的看法。

关键词 金属-绝缘体颗粒膜 巨霍尔效应 金属体积分数 逾渗阈值

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表面等离激元金属-绝缘体-半导体波导激光器研究进展

6

作者 何庆叶 李国辉 +3 位作者 潘登 冀婷 王文艳 崔艳霞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1839-1854,共16页

纳米激光器在光通信、全息技术、生物医疗成像等领域有着广泛的应用前景。表面等离激元(Surface plasmon polariton,SPP)沿着金属表面传播,基于该特性可制成突破衍射极限的低阈值纳米激光器。它们不但具有小尺寸特征,同时还能激发Purcel... 纳米激光器在光通信、全息技术、生物医疗成像等领域有着广泛的应用前景。表面等离激元(Surface plasmon polariton,SPP)沿着金属表面传播,基于该特性可制成突破衍射极限的低阈值纳米激光器。它们不但具有小尺寸特征,同时还能激发Purcell效应,表现出更高的自发辐射效率。近年来,金属-绝缘体-半导体(MIS)波导结构的SPP激光器因具有超强的模式约束能力被大量报道。本文以基于MIS结构的SPP激光器为主题进行综述。首先,介绍了SPP激光器的工作原理,接着分别介绍了基于MIS波导结构的纳米片型和纳米线型SPP激光器的工作原理。然后,依据增益介质材料的不同,依次介绍了增益介质分别为Ⅱ-Ⅵ半导体、Ⅲ-Ⅴ半导体以及钙钛矿的SPP MIS波导激光器研究进展。最后,总结全文,并对基于MIS波导的SPP激光器未来的发展和挑战进行了展望。 展开更多

关键词 表面等离激元 金属-绝缘体-半导体 激光器 纳米片 纳米线

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3D MIM电容器原子层沉积可控生长及电学性能

7

作者 穆继亮 徐方良 +2 位作者 孙雅薇 李芬 丑修建 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期517-522,共6页

为提高电容器的比电容,设计了基于三维（3D）结构的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器。采用原子层沉积（ALD）技术制备电容器功能薄膜层,通过建立3D结构原子层沉积理论模型,拟合得到了原子层沉积过程中薄膜覆盖率与3D结构之间的依赖关系... 为提高电容器的比电容,设计了基于三维（3D）结构的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器。采用原子层沉积（ALD）技术制备电容器功能薄膜层,通过建立3D结构原子层沉积理论模型,拟合得到了原子层沉积过程中薄膜覆盖率与3D结构之间的依赖关系。基于该模型优化了工艺参数,制备了不同介质层厚度的电容器,并对器件进行了C-V和I-V特性测试,得到电容器击穿场强和介电常数均值分别为6.68 MV/cm和7.95。同时,制备的3D MIM电容器的比电容达到212.5 fF/μm2,相比常规平面电容器,其电容密度提高了一个数量级。且该电容器击穿场强和介电常数与薄膜厚度之间具有良好的线性关系,表明理论模型合理,实现了基于3D结构的原子层沉积薄膜可控生长。 展开更多

关键词 原子层沉积(ALD) 三维结构 金属-绝缘体-金属(mim)电容器 微电子机械系统(MEMS) 电学性能

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阳极氧化制备硅基氧化铝薄膜MIM电容器 被引量：1

8

作者 吕雁慧 郭丽芳 +1 位作者 李刚 李廷鱼 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第6期493-498,504,共7页

提出了一种在常温下通过简单的恒电流阳极氧化制备Al_2O_3薄膜构建金属-介质-金属(MIM)结构电容器的方法,通过控制阳极氧化时间制备出不同厚度Al_2O_3薄膜,避免了高成本且复杂的制备工艺。首先探究了不同Al_2O_3薄膜厚度对MIM电容器的... 提出了一种在常温下通过简单的恒电流阳极氧化制备Al_2O_3薄膜构建金属-介质-金属(MIM)结构电容器的方法,通过控制阳极氧化时间制备出不同厚度Al_2O_3薄膜,避免了高成本且复杂的制备工艺。首先探究了不同Al_2O_3薄膜厚度对MIM电容器的电容特性的影响,发现厚度为25.1 nm的Al_2O_3薄膜层构成的电容器性能最佳。它的能量密度值最大,为3.55 J/cm^3;其电容密度较大,可达到5.05fF/μm^2;其漏电流性能好,在0.8 V时漏电流密度仅为9.36 nA/cm^2。此外,对该电容器电容变化率与施加电压时间的关系也进行了研究,当施加电压为2 V时,可预测工作十年后的电容变化率仅为1.82%。因此,通过阳极氧化制备介质层构建硅基MIM结构为制备低成本、可集成的储能电容器提供了一种新方案。 展开更多

关键词 AL2O3薄膜 阳极氧化 硅(Si) 金属-介质-金属(mim)电容器 储能电容

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超细(Ba,Sr,Cd)TiO_3基多层陶瓷电容器陶瓷的研究 被引量：1

9

作者 黄新友 陈志刚 +2 位作者 赵晨 高春华 陈祥冲 《电子器件》 CAS 2007年第3期762-765,共4页

采用溶液-溶胶-凝胶法制备(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3纳米粉体,利用所得到的纳米粉体研究了(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3基多层陶瓷电容器用超细陶瓷的制备.对比研究了超细电容器陶瓷和传统固相法电容器陶瓷的性能.采用扫描电镜分析了两种... 采用溶液-溶胶-凝胶法制备(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3纳米粉体,利用所得到的纳米粉体研究了(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3基多层陶瓷电容器用超细陶瓷的制备.对比研究了超细电容器陶瓷和传统固相法电容器陶瓷的性能.采用扫描电镜分析了两种方法得到的陶瓷的显微结构.结果表明:采用纳米粉体制备的(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3基电容器陶瓷具有晶粒尺寸约为1μm,其性能为:介电常数为1409.44,介质损耗为0.0175,陶瓷的密度是5.22g·cm-3,烧结温度为1300℃,大大降低了烧结温度,比传统固相法的陶瓷性能有较大的改善. 展开更多

关键词 无机非金属材料 超细陶瓷 多层陶瓷电容器 溶胶-凝胶法 钛酸钡锶镉 陶瓷

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(CoFe)Se_(2)@NC超级电容器电极材料的制备及其电化学性能 被引量：1

10

作者 李宽 肖倩 +5 位作者 卞梓垚 李凯楠 赵匡健 曹海静 朱燕艳 方泽波 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第2期133-139,共7页

金属-有机框架(MOF)衍生的过渡金属硒化物和多孔碳纳米复合材料具有巨大的储能优势,是应用于电化学储能的优良电极材料。采用共沉淀法制备CoFe类普鲁士蓝(CoFe-PBA)纳米立方,并通过静电组装在CoFe-PBA上包覆聚吡咯(PPy)得到CoFe-PBA@PPy... 金属-有机框架(MOF)衍生的过渡金属硒化物和多孔碳纳米复合材料具有巨大的储能优势,是应用于电化学储能的优良电极材料。采用共沉淀法制备CoFe类普鲁士蓝(CoFe-PBA)纳米立方,并通过静电组装在CoFe-PBA上包覆聚吡咯(PPy)得到CoFe-PBA@PPy;通过在400℃氮气中退火并硒化成功制备了氮掺杂的碳(NC)包覆(CoFe)Se_(2)的(CoFe)Se_(2)@NC纳米复合材料,并对其结构和形貌进行了表征。以(CoFe)Se_(2)@NC为电极制备了超级电容器,测试了其电化学性能,结果表明,在电流密度1 A/g时超级电容器的比电容达到1047.9 F/g,在电流密度5 A/g下1000次循环后具有良好的循环稳定性和96.55%的比电容保持率。由于其性能优越、无毒、成本低和易于制备,未来(CoFe)Se_(2)@NC纳米复合材料在超级电容器中具有非常大的应用潜力。 展开更多

关键词 超级电容器 纳米材料 复合材料 共沉淀法 金属-有机框架(MOF) 电化学储能

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基于MIS电容器的Al_(2)O_(3)与In_(0.74)Al_(0.26)As的界面特性

11

作者 万露红 邵秀梅 +3 位作者 李雪 顾溢 马英杰 李淘 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期384-388,共5页

采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X... 采用In_(0.74)Al_(0.26)As/In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(x)Al_(1-x)As异质结构多层半导体作为半导体层,制备了金属-绝缘体-半导体(MIS)电容器。其中,SiN_(x)和SiN_(x)/Al_(2)O_(3)分别作为MIS电容器的绝缘层。高分辨率透射电子显微镜和X射线光电子能谱的测试结果表明,与通过电感耦合等离子体化学气相沉积生长的SiN_(x)相比,通过原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)可以有效地抑制Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As界面的In2O3的含量。根据MIS电容器的电容-电压测量结果,计算得到SiN_(x)/Al_(2)O_(3)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度比SiN_(x)/In_(0.74)Al_(0.26)As的快界面态密度低一个数量级。因此,采用原子层沉积生长的Al_(2)O_(3)作为钝化膜可以有效地降低Al_(2)O_(3)和In_(0.74)Al_(0.26)As之间的快界面态密度,从而降低In_(0.74)Ga_(0.26)As探测器的暗电流。 展开更多

关键词 INALAS 原子层沉积 Al_(2)O_(3) SiN_(x)金属-绝缘体-半导体电容器 界面态密度

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基于三矩形谐振腔非通MIM波导的四重法诺传感

12

作者 王叶壮 沈宏君 +1 位作者 陈俊坤 王雅雯 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第3期116-123,共8页

为了得到高灵敏度的生物传感器,设计了一种可以激发出四重法诺共振的非通金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)波导传感器.采用了上下对称结构,由一个竖放矩形谐振腔和两个横放矩形谐振腔与总线波导共同作用而得到了四重法诺共... 为了得到高灵敏度的生物传感器,设计了一种可以激发出四重法诺共振的非通金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)波导传感器.采用了上下对称结构,由一个竖放矩形谐振腔和两个横放矩形谐振腔与总线波导共同作用而得到了四重法诺共振.采用了有限时域差分方法计算了此结构的传输特性与Z方向的归一化磁场,并详细分析了其法诺共振的产生机理.通过计算结构几何参数调节后的透射光谱,从而得出了四处法诺共振峰透射率和共振位置可以通过改变结构几何参数而获得独立调节.此外还发现在结构中添加不同浓度的葡萄糖溶液可以实现高折射率传感灵敏度(S),获得最高灵敏度2736.98nm/RIU,可以看出此结构对于折射率变化有很高的灵敏度,这为设计和优化纳米级别的折射率传感器提供了新的思路,还可以应用于电路构建前进行性能测试. 展开更多

关键词 金属-绝缘体-金属 传感器 谐振腔 法诺共振 灵敏度

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Ni_xSiO_(2(1-x))颗粒膜的光学和磁光特性研究

13

作者 张荣君 李合印 +6 位作者 朱晓松 周鹏 李晶 王松有 申作成 郑玉祥 陈良尧 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期57-60,共4页

用磁控溅射法制备了一系列 Nix Si O2 (1 - x) 样品 ,并对部分样品作快速退火处理 ,室温下采用椭圆偏振光谱仪和磁光谱仪分别在 1.5～ 4.5 e V的光子能量区测量了样品的复介电常数谱和极向复磁光克尔谱 ,研究了这种金属 -绝缘体型颗粒... 用磁控溅射法制备了一系列 Nix Si O2 (1 - x) 样品 ,并对部分样品作快速退火处理 ,室温下采用椭圆偏振光谱仪和磁光谱仪分别在 1.5～ 4.5 e V的光子能量区测量了样品的复介电常数谱和极向复磁光克尔谱 ,研究了这种金属 -绝缘体型颗粒膜的光学和磁光性质 .发现调整合适的金属含量或对样品作退火处理 ,可以观察到复介电常数的实部从正到负的连续变化 ,而且在一定光子能量区 ,其值为零 ; 展开更多

关键词 光学特性 磁光特性 金属-绝缘体颗粒膜 复介电常数谱 复磁光克尔谱 退火

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一种0.18m单层多晶硅CMOS音频-调制器

14

作者 马绍宇 韩雁 黄小伟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期412-416,共5页

设计了一种应用于18位高精度音频模数转换器(ADC)的三阶Σ-Δ调制器。调制器采用2-1级联结构,优化积分器的增益来提高调制器的动态范围。采用栅源自举技术设计输入信号采样开关,有效提高了采样电路的线性度。芯片采用中芯国际0.18μm混... 设计了一种应用于18位高精度音频模数转换器(ADC)的三阶Σ-Δ调制器。调制器采用2-1级联结构,优化积分器的增益来提高调制器的动态范围。采用栅源自举技术设计输入信号采样开关,有效提高了采样电路的线性度。芯片采用中芯国际0.18μm混合信号CMOS工艺,在单层多晶硅条件的限制下,采用MIM电容,实现了高精度的Σ-Δ调制器电路。测试结果表明,在22.05kHz带宽内,信噪失真比(SNDR)和动态范围(DR)分别达到90dB和94dB。 展开更多

关键词 Σ-Δ调制器 栅源自举 金属-绝缘体-金属电容 模数转换器

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一维C_(36)聚合物的C_(36)分子间的电-声相互作用

15

作者 陈媛梅 黄元河 刘若庄 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第3期196-200,共5页

在用半经验自洽场晶体轨道方法计算能带结构的基础上，并在平均场近似和形变势理论框架下，研究了四种一维线性 C36聚合物模型的 C36分子间电-声耦合常数及其对超导相变和金属-绝缘体相变的影响 .计算结果表明，一维线性 C36聚合物的 C3... 在用半经验自洽场晶体轨道方法计算能带结构的基础上，并在平均场近似和形变势理论框架下，研究了四种一维线性 C36聚合物模型的 C36分子间电-声耦合常数及其对超导相变和金属-绝缘体相变的影响 .计算结果表明，一维线性 C36聚合物的 C36分子间电-声耦合常数极小，对超导相变和金属-绝缘体相变的影响可以完全忽略 . 展开更多

关键词 一维碳36聚合物 富勒烯 分子间相互作用 电-声相互作用 金属-绝缘体相变 量子化学计算 超导相变

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高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT 被引量：3

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作者 李茂林 陈万军 +6 位作者 王方洲 施宜军 崔兴涛 信亚杰 刘超 李肇基 张波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期265-269,290,共6页

采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终... 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al_2O_3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al_2O_3栅介质体缺陷,因此能够减少Al_2O_3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^(11) cm^(-2))。 展开更多

关键词 增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT) 阈值电压 界面态 热氧化 退火

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基于应变锗的金属—半导体—金属光电探测器 被引量：1

17

作者 李鸿翔 张倩 +1 位作者 刘冠宇 薛忠营 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期747-754,共8页

通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和... 通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和大小。利用这一方法,制备出了高性能双轴应变Ge对称型肖特基接触金属-半导体-金属(MSM)光电探测器。经测试,在1 V偏压和入射功率为1 000 nW的863 nm激光下,该探测器具有低至nA量级的暗电流和高达713的电流开/关比。该性能的实现主要是依赖于双轴应变和掺杂对Ge能带的修饰。研究结果展示了应变Ge在光电探测领域的优势,也证明了其在Si兼容光学通信设备中的应用潜力。 展开更多

关键词 绝缘体上锗(GOI) 应变锗(Ge) 肖特基接触 光电探测器 金属-半导体-金属(MSM)

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电磁脉冲对MMIC电路中MIM电容的损伤分析 被引量：1

18

作者 董作典 宋燕 +3 位作者 史广芹 韩宝妮 唐旭 何婷 《电子产品可靠性与环境试验》 2016年第3期13-18,共6页

电容失效是电子电路中常见的故障。通过对某QPSK调制器微波单片集成电路(MMIC)进行失效分析,确定了该产品出现的故障是由MIM电容引起的,进一步地通过故障原因排查和故障机理分析,得知该MIM电容故障是由电磁脉冲(EMP)引起的,最后通过设... 电容失效是电子电路中常见的故障。通过对某QPSK调制器微波单片集成电路(MMIC)进行失效分析,确定了该产品出现的故障是由MIM电容引起的,进一步地通过故障原因排查和故障机理分析,得知该MIM电容故障是由电磁脉冲(EMP)引起的,最后通过设计试验使故障复现,验证了分析结果的正确性,从而为今后MMIC的老炼试验设计提供了指导。 展开更多

关键词 电磁脉冲 微波单片集成电路 金属-绝缘体-金属电容 失效分析

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La_(0.67)Ca_(0.33-0.5x)Li_xMnO_3多晶陶瓷结构及电学性能研究

19

作者 李迪 陈清明 +3 位作者 陈晓慧 李之昱 张亚林 张辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期184-188,共5页

用溶胶-凝胶法制备La_(0.67)Ca_(0.33-0.5x)Li_xMnO_3(x=0.00,0.05,0.10,0.20)多晶陶瓷,用XRD分析多晶陶瓷的晶体结构,用SEM对多晶陶瓷的微观形貌进行分析,用标准四探针法测量电阻率-温度关系。结果表明,随着Li掺杂量的增加,所有样品均... 用溶胶-凝胶法制备La_(0.67)Ca_(0.33-0.5x)Li_xMnO_3(x=0.00,0.05,0.10,0.20)多晶陶瓷,用XRD分析多晶陶瓷的晶体结构,用SEM对多晶陶瓷的微观形貌进行分析,用标准四探针法测量电阻率-温度关系。结果表明,随着Li掺杂量的增加,所有样品均为斜方晶系,晶胞体积不断减小,金属-绝缘体转变温度(TP)降低,电阻率不断增加,电阻率温度系数(TCR)不断减小。低温区域(T<TP)的电阻率数据可以用ρ(T)=ρ0+ρ_2T^2+ρ_(4.5)T^(4.5)进行拟合;高温区域(T>TP)的电阻率数据可以用小极化子跃迁(SPH)模型和变程跳跃(VRH)模型进行拟合。整个温度区域(100~300K)可以使用渗透模型对电阻率进行拟合。从拟合数据可知极化子激活能Ea随Li掺杂量的增加而增大,这是由于Li的加入减小了Mn^(3+)-O^(2-)-Mn^(4+)的键角,增大了有效带宽的间隙,因此也减弱了双交换作用,增大了电阻率。 展开更多

关键词 LA0.67 Ca0.33-0.5x Lix MnO3多晶 电阻率拟合 金属-绝缘体转变

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Ti掺杂对La_(1.2)Ca_(1.8)Mn_(2-x)Ti_xO_7磁电阻的影响

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作者 陈勤 潘亚林 《安徽建筑工业学院学报（自然科学版）》 2000年第2期69-72,共4页

研究层状钙钛矿结构锰氧化物 La1 .2 Ca1 .8Mn2 - x Tix O7( x=0 .0 0 ,0 .0 5,0 .1 0 )块状样品磁电阻性质 ,发现 Mn位掺杂 Ti4+ 离子使材料电阻率上升 ,电阻率峰值温度 Tp 降低 ,Tp 附近及低温下磁阻增加 ;当 x=0 .1 0时 ,材料在所测... 研究层状钙钛矿结构锰氧化物 La1 .2 Ca1 .8Mn2 - x Tix O7( x=0 .0 0 ,0 .0 5,0 .1 0 )块状样品磁电阻性质 ,发现 Mn位掺杂 Ti4+ 离子使材料电阻率上升 ,电阻率峰值温度 Tp 降低 ,Tp 附近及低温下磁阻增加 ;当 x=0 .1 0时 ,材料在所测温区表现为类绝缘态 ,但在 H=0 .5T外场下可观察到场致的金属 -绝缘体转变 ,同时获得磁电阻 ( MR=〔ρ( H) -ρ( 0 )〕/ρ( 0 ) )高达 -4 3 %。 展开更多

关键词 磁电阻 相关长度 掺杂 外场 层状钙钛矿结构 绝缘态 上升 金属-绝缘体转变 磁阻 交换作用

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