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表面等离激元金属-绝缘体-半导体波导激光器研究进展
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作者 何庆叶 李国辉 +3 位作者 潘登 冀婷 王文艳 崔艳霞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1839-1854,共16页
纳米激光器在光通信、全息技术、生物医疗成像等领域有着广泛的应用前景。表面等离激元(Surface plasmon polariton,SPP)沿着金属表面传播,基于该特性可制成突破衍射极限的低阈值纳米激光器。它们不但具有小尺寸特征,同时还能激发Purcel... 纳米激光器在光通信、全息技术、生物医疗成像等领域有着广泛的应用前景。表面等离激元(Surface plasmon polariton,SPP)沿着金属表面传播,基于该特性可制成突破衍射极限的低阈值纳米激光器。它们不但具有小尺寸特征,同时还能激发Purcell效应,表现出更高的自发辐射效率。近年来,金属-绝缘体-半导体(MIS)波导结构的SPP激光器因具有超强的模式约束能力被大量报道。本文以基于MIS结构的SPP激光器为主题进行综述。首先,介绍了SPP激光器的工作原理,接着分别介绍了基于MIS波导结构的纳米片型和纳米线型SPP激光器的工作原理。然后,依据增益介质材料的不同,依次介绍了增益介质分别为Ⅱ-Ⅵ半导体、Ⅲ-Ⅴ半导体以及钙钛矿的SPP MIS波导激光器研究进展。最后,总结全文,并对基于MIS波导的SPP激光器未来的发展和挑战进行了展望。 展开更多
关键词 表面等离激元 金属-绝缘体-半导体 激光器 纳米片 纳米线
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基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体结构的太赫兹辐射产生
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作者 黄彬 刘翔 +1 位作者 余健雄 杜海伟 《光电工程》 CSCD 北大核心 2024年第12期110-118,共9页
利用超短激光脉冲泵浦半导体表面或者半导体异质结可以产生太赫兹脉冲辐射。基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体异质结的太赫兹辐射产生物理模型,通过数值模拟和理论分析研究了载流子密度和速度在半导体内部的变化规律,分析了超短... 利用超短激光脉冲泵浦半导体表面或者半导体异质结可以产生太赫兹脉冲辐射。基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体异质结的太赫兹辐射产生物理模型,通过数值模拟和理论分析研究了载流子密度和速度在半导体内部的变化规律,分析了超短激光脉宽、载流子寿命以及半导体厚度等参数对太赫兹辐射的影响和物理机制。结果显示,超短激光脉宽的增加会提高太赫兹脉冲的幅值,降低太赫兹脉冲中心频率和半峰全宽;载流子寿命和半导体材料厚度的增加对太赫兹辐射的中心频率和半峰全宽有不同程度的降低作用。通过分析不同参数对产生太赫兹辐射的影响,获得了该作用过程优化宽带太赫兹脉冲产生的途径和参数。本文结果对开展相关实验提供了较好的理论参考。 展开更多
关键词 太赫兹 超短激光 金属-绝缘体-半导体 异质结 脉宽
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基于复合绝缘层SiN_x/PMMA的有机金属-绝缘层-半导体器件 被引量:1
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作者 谢强 闫闯 +4 位作者 朱阳阳 孙强 王璐 王丽娟 孙丽晶 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期773-780,共8页
为改善有机半导体器件的界面性能,在氮化硅层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)构成复合绝缘层。首先,利用原子力显微镜研究了不同浓度的PMMA复合绝缘层的表面形貌及粗糙度。接着,蒸镀六联苯(p-6P)、酞菁铜和金电极,构成有机的金属-绝缘层-... 为改善有机半导体器件的界面性能,在氮化硅层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)构成复合绝缘层。首先,利用原子力显微镜研究了不同浓度的PMMA复合绝缘层的表面形貌及粗糙度。接着,蒸镀六联苯(p-6P)、酞菁铜和金电极,构成有机的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件。最后,研究了MIS器件的回滞效应及电性能。实验结果表明,复合绝缘层的粗糙度为单绝缘层的1/5,大约1.4 nm。复合绝缘层上的p-6P薄膜随着PMMA浓度增加形成更大更有序的畴,但单绝缘层上薄膜呈无序颗粒状。复合绝缘层的有机MIS器件几乎没有回滞现象,但单绝缘层的器件最大回滞电压约为12.8 V,界面陷阱电荷密度约为1.16×1012 cm-2。复合绝缘层有机薄膜晶体管的迁移率为1.22×10-2 cm2/(V·s),比单绝缘层提高了60%,饱和电流提高了345%。基于复合绝缘层的MIS器件具有更好的界面性能和电性能,可应用到有机显示领域。 展开更多
关键词 复合绝缘 金属-绝缘-半导体 聚甲基丙烯酸甲酯 氮化硅 回滞效应
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测量计算金属-半导体接触电阻率的方法 被引量:13
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作者 李鸿渐 石瑛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期155-159,共5页
如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。... 如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法。 展开更多
关键词 金属-半导体接触 接触电阻率 传输线模型
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用直线四探针头测量金属-半导体的接触电阻率 被引量:2
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作者 陈存礼 华文玉 《应用科学学报》 CAS CSCD 1989年第1期61-64,共4页
本文提出一种用直线四探针头测量金属-半导体欧姆接触接触电阻率的简捷方法.导出了适用于薄层半导体材料的接触电阻率表达式,经实验验证结果与线性传输线模型一致.
关键词 直线四探针头 金属-半导体 电阻率
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(Y_(2-x)Pb_(x))Ru_(2)O_(7)中金属-绝缘体转变调控研究
6
作者 焦媛媛 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2024年第3期161-165,共5页
烧绿石结构的Y 2 Ru_(2)O_(7)表现为反铁磁Mott绝缘体基态,而具有相同结构的Pb_(2)Ru_(2)O_(6.5)则呈现顺磁金属基态。为深入理解此差异,本研究采用固相反应法合成(Y_(2-x)Pb_(x))Ru_(2)O_(7)系列多晶材料,并系统研究了Pb^(2+)掺杂浓度... 烧绿石结构的Y 2 Ru_(2)O_(7)表现为反铁磁Mott绝缘体基态,而具有相同结构的Pb_(2)Ru_(2)O_(6.5)则呈现顺磁金属基态。为深入理解此差异,本研究采用固相反应法合成(Y_(2-x)Pb_(x))Ru_(2)O_(7)系列多晶材料,并系统研究了Pb^(2+)掺杂浓度x对其晶体结构和电阻率、磁化率等物理性质的影响。结果表明,(Y_(2-x)Pb_(x))Ru_(2)O_(7)(0≤x≤2.0)材料在x=0.5时经历了金属-绝缘体转变。通过与类似结构的烧绿石氧化物对比后发现,Pb^(2+)替代Y^(3+)不仅引入了额外的载流子,其6s^(2)存在的孤对电子还可能增强费米面附近的态密度,这两个因素的综合作用可能是其出现金属-绝缘体转变的原因。该类4d/5d烧绿石氧化物为研究受到强烈几何挫折的关联电子奇异物性提供了关键的材料平台。 展开更多
关键词 烧绿石 金属-绝缘体转变 Pb^(2+)掺杂 Y_(2)Ru_(2)O_(7)
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基于二维材料的快速响应金属-半导体-金属结构光电探测器研究进展 被引量:7
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作者 何嘉玉 陈克强 +6 位作者 冀婷 石林林 冯琳 李国辉 郝玉英 张晗 崔艳霞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期745-762,共18页
快速响应光电探测器在光通信、高速摄影、生物医学成像等领域有广泛的需求。目前,市场上应用的快速响应光电探测器大多基于硅、砷化镓等传统的无机半导体材料,但是其制作工艺复杂、成本较高,并且机械灵活性差。以石墨烯、二硫化钼为代... 快速响应光电探测器在光通信、高速摄影、生物医学成像等领域有广泛的需求。目前,市场上应用的快速响应光电探测器大多基于硅、砷化镓等传统的无机半导体材料,但是其制作工艺复杂、成本较高,并且机械灵活性差。以石墨烯、二硫化钼为代表的二维材料具有独特的层状结构以及良好的光学、电学、热学和机械特性,是制备光电探测器的理想材料。尤其是部分二维材料所拥有的超高载流子迁移率特性,十分适用于研制快速响应光电探测器。近年来,一系列基于二维材料的金属-半导体-金属结构光电探测器(Metal-semiconductor-metal photodetectors,MSM-PDs)被陆续报道,很多具有1μs以下的快速响应特性。本文以基于二维材料的快速响应MSM-PDs为主题进行综述。首先介绍了MSM-PDs中的基本结构及工作原理,深入剖析了决定其响应速度的主要因素。随后介绍了石墨烯、过渡金属硫化物、黑磷、二维钙钛矿、三元硒氧铋等二维材料的分子结构、光学、电学等特性,并对各类二维材料在MSM-PDs的应用进行对比。然后分类介绍了响应速度在1μs以下的欧姆接触型、肖特基接触型以及基于表面等离激元效应二维材料MSM-PDs的研究进展。最后总结全文,并对二维材料在快速响应光电探测器中的应用前景及发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 光电探测器 快速响应 二维材料 石墨烯 过渡金属硫化物 黑磷 二维钙钛矿 金属-半导体-金属
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金属-半导体转变的研究现状及应用前景 被引量:1
8
作者 柯才军 陈西曲 《科学技术与工程》 2009年第15期4398-4405,共8页
20世纪60年代理论预言金属-半导体转变,但在随后的30年间实验研究未获进展,直到20世纪90年代才取得了飞速发展。Ⅳ族金属元素Sn、Pb和Ⅴ族金属元素Sb、Bi的外延膜先后观察到了金属-半导体转变,并提出了"空穴导电"模型,取代以... 20世纪60年代理论预言金属-半导体转变,但在随后的30年间实验研究未获进展,直到20世纪90年代才取得了飞速发展。Ⅳ族金属元素Sn、Pb和Ⅴ族金属元素Sb、Bi的外延膜先后观察到了金属-半导体转变,并提出了"空穴导电"模型,取代以往的"电荷中性"模型。在超细金属微粒的研究上,由于金属能带转变为半导体禁带能隙结构,发现了很多相应的、与块状金属不同的光、电、磁、热、力学和化学特性,有力地推动了学科的发展。 展开更多
关键词 金属-半导体转变 量子尺寸效应 空穴导电模型 纳米效应
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GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制
9
作者 陈小红 蔡加法 +2 位作者 程翔 邓彩玲 陈松岩 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期47-50,共4页
用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测... 用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明,探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值,并在364 nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21A/W. 展开更多
关键词 GAN 金属-半导体-金属(MSM)结构 紫外探测器
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基于半导体-金属相变材料的宽谱、偏振选择的红外光开关(英文)
10
作者 张璇如 王威 +1 位作者 向斌 陆亚林 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第9期2787-2792,共6页
提出了一种基于半导体-金属相变材料和掩埋金属光栅结构的新型红外光开关。该结果由电磁场有限元方法计算得到。设计了在近红外波段表现出宽谱的、偏振选择的全光开关效应。掩埋金属光栅极大的提高了二氧化钒薄膜作为光开关的消光比,使... 提出了一种基于半导体-金属相变材料和掩埋金属光栅结构的新型红外光开关。该结果由电磁场有限元方法计算得到。设计了在近红外波段表现出宽谱的、偏振选择的全光开关效应。掩埋金属光栅极大的提高了二氧化钒薄膜作为光开关的消光比,使得该结构在亚波长尺寸获得了高的消光比。结构的光学响应随入射角变化并不敏感。结构的透过、吸收特性可由结构参数进行调节。此设计在红外光通信、光计算以及军事探测、无损检测等领域具有潜在的应用。 展开更多
关键词 半导体-金属相变材料 宽谱光开关 掩埋光栅
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金属-无机半导体-金属光电探测器的研究进展 被引量:2
11
作者 高琳华 崔艳霞 +4 位作者 梁强兵 刘艳珍 李国辉 范明明 郝玉英 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第8期221-239,共19页
金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PDs)本身固有的高速、高响应率、易集成等特性使其在光纤通信、传感、制导等多个领域受到广泛关注。文中围绕金属-无机半导体-金属光电探测器展开综述。首先介绍了MSM-PDs的基本结构,包含共面和垂直两... 金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PDs)本身固有的高速、高响应率、易集成等特性使其在光纤通信、传感、制导等多个领域受到广泛关注。文中围绕金属-无机半导体-金属光电探测器展开综述。首先介绍了MSM-PDs的基本结构,包含共面和垂直两种类型。紧接着,介绍了MSM-PDs具体的工作原理,除了常见的光电导型及肖特基型工作原理,还介绍了以金属作为吸光层的热载流子光电探测器的工作原理。随后,详细介绍了以GaAs、InGaAs、Si/Ge等无机材料作为半导体层的MSM-PDs在过去所取得的研究进展。此外,还介绍了利用金属微纳结构拓展较宽带隙半导体材料MSM-PDs在红外波段响应特性的研究进展。最后,总结全文并对MSM-PDs未来的发展做出了展望。 展开更多
关键词 金属-半导体-金属 光电探测器 肖特基 红外 金属微纳结构
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金属-绝缘体复合薄膜中的纳米颗粒形态控制 被引量:1
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作者 李戈扬 吴亮 +1 位作者 张流强 李鹏兴 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期396-398,共3页
本文采用多靶磁控溅射仪旋转基片的方法,利用红外灯管加热基片,制备了不同基片温度的Ag-SiO2复合薄膜(15.0at%Si)。采用TEM分析了薄膜的微观结构并测定了薄膜的电阻率。研究结果表明:通过改变基片温度,可以控... 本文采用多靶磁控溅射仪旋转基片的方法,利用红外灯管加热基片,制备了不同基片温度的Ag-SiO2复合薄膜(15.0at%Si)。采用TEM分析了薄膜的微观结构并测定了薄膜的电阻率。研究结果表明:通过改变基片温度,可以控制Ag-SiO2复合薄膜中Ag粒子的形态;当基片温度高于300℃时,复合膜中孤立的Ag颗粒直径为10~100nm;薄膜的电阻率亦可通过基片加热在102~106μΩ·cm范围内改变。 展开更多
关键词 纳米颗粒 微结构 复合薄膜 金属-绝缘体
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过程工程所等金属-半导体复合物核壳纳米结构研究获进展
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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2411-2411,共1页
金属-半导体复合物的“等离子体协同效应”,使其在光催化,光电器件以及激光等领域都具有广泛的应用前景。因此,如何精确地控制合成金属一半导体复合物纳米结构,已然成了研究热点。
关键词 金属-半导体 纳米结构 复合物 过程工程 核壳 协同效应 等离子体 光电器件
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退火对Al-Al_2O_3-Ti/Au金属-绝缘体-金属电子源发射特性的影响 被引量:1
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作者 胡一华 薛涛 +1 位作者 张小宁 刘纯亮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1228-1233,共6页
研究了退火工艺对金属-绝缘体-金属(MIM)器件(Al-Al2O3-Ti/Au结构)的发射特性的影响。在对MIM器件Ti/Au顶电极进行退火处理后,金属离子渗入绝缘层形成掺杂,器件发射电流密度提高,有效发射面积增大,并有较高发射效率,在加速电压200 V,器... 研究了退火工艺对金属-绝缘体-金属(MIM)器件(Al-Al2O3-Ti/Au结构)的发射特性的影响。在对MIM器件Ti/Au顶电极进行退火处理后,金属离子渗入绝缘层形成掺杂,器件发射电流密度提高,有效发射面积增大,并有较高发射效率,在加速电压200 V,器件偏置电压13.5 V时电子发射电流密度达到1056.6μA/cm2,最大发射效率为4.7%,最优退火温度为300℃。在对MIM器件的Al底电极进行退火处理后,可以减小电化学氧化的电解质掺杂,提高器件发射寿命,器件工作于非电形成状态,电子发射电流密度波动小。对Al底电极的单独退火可使器件同时具有发射大、稳定性好的优点,在提高MIM发射性能的同时,缩短了器件制备周期。 展开更多
关键词 金属-绝缘体-金属 电子发射特性 退火 电形成
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第一性原理计算绝缘体-金属转变临界掺杂浓度:Co重掺杂Si体系 被引量:1
15
作者 薛晓晚 杨影影 +4 位作者 秦圆 吴爱民 王旭东 黄昊 姚曼 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第2期342-348,共7页
基于密度泛函理论的第一性原理方法,本文旨在探索确定绝缘体-金属转变临界浓度的理论计算方法.以Co重掺杂Si为研究对象,构建并计算了10个Co不同掺杂浓度模型的晶体结构、杂质形成能及其电子性质.发现在Co掺杂Si体系的带隙中形成了杂质能... 基于密度泛函理论的第一性原理方法,本文旨在探索确定绝缘体-金属转变临界浓度的理论计算方法.以Co重掺杂Si为研究对象,构建并计算了10个Co不同掺杂浓度模型的晶体结构、杂质形成能及其电子性质.发现在Co掺杂Si体系的带隙中形成了杂质能级,杂质能级的位置和宽度随着Co浓度的增加呈线性变化.当Co掺杂浓度较高时杂质形成能逐渐稳定,且杂质能级穿过费米能级使体系表现出金属性.综合杂质形成能的变化趋势,以及杂质能级极小值与费米能级间的距离条件,可预测出发生绝缘体-金属转变的Co掺杂浓度为2.601Wingdings 2MC@10^(20) cm^(-3),与实验结果相一致.上述两条依据应用于S重掺杂Si体系和Se重掺杂Si体系同样成立. 展开更多
关键词 重掺杂 绝缘体-金属转变 临界浓度 中间带 第一性原理
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金属-绝缘体颗粒膜的巨霍尔效应研究进展
16
作者 郝身芬 王良民 +4 位作者 张兆刚 余天 李杏清 李定国 陈鹏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F11期217-220,共4页
介绍了金属-绝缘体颗粒膜巨霍尔效应的研究背景及样品的制备与测量,总结了近年来该领域的研究进展和应用前景,最后对研发应用中存在的问题和趋势提出了自己的看法。
关键词 金属-绝缘体颗粒膜 巨霍尔效应 金属体积分数 逾渗阈值
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β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究
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作者 杜桐 付俊杰 +6 位作者 王紫石 狄静 陶春雷 张赫之 张琦 胡锡兵 梁红伟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期319-328,共10页
本文成功制备了β-Ga_(2)O_(3)基金属半导体金属(MSM)型日盲紫外光电探测器。在室温下偏压为5 V时,具有高质量外延的器件的响应度达到469.6 mA/W(对应外量子效率(EQE)为229.2%),光暗电流比为5.26×10^(3)。为了研究β-Ga_(2)O_(3)基... 本文成功制备了β-Ga_(2)O_(3)基金属半导体金属(MSM)型日盲紫外光电探测器。在室温下偏压为5 V时,具有高质量外延的器件的响应度达到469.6 mA/W(对应外量子效率(EQE)为229.2%),光暗电流比为5.26×10^(3)。为了研究β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器在高温环境下的潜在应用,对该器件在高温下的电流-电压(I-V)和光响应(I-T)特性进行了测试,分析器件在高温下的载流子输运机制。结果表明:在300~375 K时,器件的暗电流主要由低压下的热离子场发射(TFE)和高压下的普尔-弗兰克发射(PFE)主导,由PFE模型拟合的I-V曲线可知,PFE由导带下的0.200 eV附近的缺陷引起;根据光响应特性拟合结果,得到上升时间拟合活化能为0.280 eV,下降时间拟合活化能为0.036 eV。由分析结果可知,光电流的输运过程如下:光生电子首先被导带下0.200~0.280 eV附近的缺陷能级捕获并通过PFE发射进入到导带产生光电流。光生载流子的复合过程为:光电子更倾向于被导带下的0.036 eV附近的缺陷能级捕获,进而与价带中的光生空穴复合。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 金属半导体金属 日盲紫外光电探测器 热离子场发射 普尔-弗兰克发射 缺陷
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射频激励金属-陶瓷结构矩形波导CO_2激光器的设计与工艺 被引量:2
18
作者 刘玉华 唐令西 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期370-372,共3页
通过分析波导激光器中的耦合损耗,给出了金属-陶瓷结构CO2波导激光器的设计方案,并对2 mm×2 mm×140 mm的金属-陶瓷结构RF激励波导CO2激光器进行了实验研究,获得3.39 W的输出功率,效率为6%。该项研究对此类器件的进一步发展提... 通过分析波导激光器中的耦合损耗,给出了金属-陶瓷结构CO2波导激光器的设计方案,并对2 mm×2 mm×140 mm的金属-陶瓷结构RF激励波导CO2激光器进行了实验研究,获得3.39 W的输出功率,效率为6%。该项研究对此类器件的进一步发展提供了技术借鉴。 展开更多
关键词 金属-陶瓷结CO2波导激光器 耦合损耗 光洁度 内外电极结构
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金属-半导体金刚石薄膜的接触性质研究
19
作者 刘兴钊 杨邦朝 +1 位作者 李言荣 贾宇明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期127-127,共1页
金属-半导体金刚石薄膜的接触性质研究刘兴钊,杨邦朝,李言荣,贾宇明(电子科技大学.成都610054)一、引言金刚石薄膜由于具有载流子饱和速率大、击穿电压高、介电常数低、热导率高等优异性能,被认为是大功率、高瞻及恶劣环... 金属-半导体金刚石薄膜的接触性质研究刘兴钊,杨邦朝,李言荣,贾宇明(电子科技大学.成都610054)一、引言金刚石薄膜由于具有载流子饱和速率大、击穿电压高、介电常数低、热导率高等优异性能,被认为是大功率、高瞻及恶劣环境下使用的电子元件的理想材料.在金... 展开更多
关键词 半导体 金刚石薄膜 金属-半导体 接触
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基于应变锗的金属—半导体—金属光电探测器 被引量:1
20
作者 李鸿翔 张倩 +1 位作者 刘冠宇 薛忠营 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期747-754,共8页
通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和... 通过对锗(Ge)半导体材料进行拉伸应变和n型掺杂,可以提高其电子迁移率和发光性能。将薄膜卷曲技术与微电子加工技术相结合,制备出悬浮的Ge微米带结构,实现了单轴和双轴2种不同的应变状态,并且可以通过调整光刻图案来控制Ge的应变状态和大小。利用这一方法,制备出了高性能双轴应变Ge对称型肖特基接触金属-半导体-金属(MSM)光电探测器。经测试,在1 V偏压和入射功率为1 000 nW的863 nm激光下,该探测器具有低至nA量级的暗电流和高达713的电流开/关比。该性能的实现主要是依赖于双轴应变和掺杂对Ge能带的修饰。研究结果展示了应变Ge在光电探测领域的优势,也证明了其在Si兼容光学通信设备中的应用潜力。 展开更多
关键词 绝缘体上锗(GOI) 应变锗(Ge) 肖特基接触 光电探测器 金属-半导体-金属(MSM)
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