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MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响
被引量：
2
1
作者
胡晓宁
李言谨
方家熊
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期165-168,共4页
根据金属 -碲镉汞接触的基本电流 -电压关系 ,深入讨论了金属 -半导体 (MS)接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件 I- V特性的影响 ,并对实际器件的测量数据进行了分析比较 .
关键词
I
-
V特性
金属-碲镉汞接触
碲
镉
汞
光伏器件
红外焦平面器件
界面
输运特性
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职称材料
题名
MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响
被引量：
2
1
作者
胡晓宁
李言谨
方家熊
机构
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期165-168,共4页
基金
国家自然科学基金 (编号 1980 5 0 14 )
苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室开放课题部分资助项目&&
文摘
根据金属 -碲镉汞接触的基本电流 -电压关系 ,深入讨论了金属 -半导体 (MS)接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件 I- V特性的影响 ,并对实际器件的测量数据进行了分析比较 .
关键词
I
-
V特性
金属-碲镉汞接触
碲
镉
汞
光伏器件
红外焦平面器件
界面
输运特性
Keywords
current
-
voltage characteristic
M
-
MCT contact
MCT PV device
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响
胡晓宁
李言谨
方家熊
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
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