飞行时间二次离子质谱仪(Time of flight secondary ion mass spectrometry,TOF-SIMS)对所有元素具有极高的检测灵敏度,应用此方法研究了经550℃退火处理,Au/AuBe/Au与GaP金属-半导体的各元素强度分布特性,依次分析金属表面、金属层内...飞行时间二次离子质谱仪(Time of flight secondary ion mass spectrometry,TOF-SIMS)对所有元素具有极高的检测灵敏度,应用此方法研究了经550℃退火处理,Au/AuBe/Au与GaP金属-半导体的各元素强度分布特性,依次分析金属表面、金属层内、金属-半导体界面、半导体内部,使用O2+正离子与Cs+负离子分析Au、Be、O、Ga、P五类元素在各层内的强度,观察金属层与半导体界面内Be、O、Au、P峰位置的各元素SIMS图,表明在金属表面3~10nm内含有Au、Be、O、Ga、P元素,在金属内部,O元素在AuBe层有明显分布,在半导体材料GaP层内含有Be、Au元素,且Be的扩散深度比Au要深,在AuBe层及界面处用XPS分析化学组分。展开更多
通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化...通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化选择合适的界面层材料,降低电子势垒高度的同时减小隧穿电阻,有利于减小比接触电阻率。采用厚度为1.5 nm的Zn O作界面层,电子势垒高度为0.075 e V,比接触电阻率为2×10-8Ω·cm2,比无界面层的0.26Ω·cm2降低了7个数量级。展开更多
文摘飞行时间二次离子质谱仪(Time of flight secondary ion mass spectrometry,TOF-SIMS)对所有元素具有极高的检测灵敏度,应用此方法研究了经550℃退火处理,Au/AuBe/Au与GaP金属-半导体的各元素强度分布特性,依次分析金属表面、金属层内、金属-半导体界面、半导体内部,使用O2+正离子与Cs+负离子分析Au、Be、O、Ga、P五类元素在各层内的强度,观察金属层与半导体界面内Be、O、Au、P峰位置的各元素SIMS图,表明在金属表面3~10nm内含有Au、Be、O、Ga、P元素,在金属内部,O元素在AuBe层有明显分布,在半导体材料GaP层内含有Be、Au元素,且Be的扩散深度比Au要深,在AuBe层及界面处用XPS分析化学组分。
文摘通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化选择合适的界面层材料,降低电子势垒高度的同时减小隧穿电阻,有利于减小比接触电阻率。采用厚度为1.5 nm的Zn O作界面层,电子势垒高度为0.075 e V,比接触电阻率为2×10-8Ω·cm2,比无界面层的0.26Ω·cm2降低了7个数量级。
