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一种新型凹源HV-NMOS器件研究: 1; 作者孙伟锋易扬波 +2 位作者吴烜王平吴建辉《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期286-290,共5页; 设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特... 展开更多; 关键词高压N型金属-氧化物-半导体凹源缓冲区场极板击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展被引量：1: 2; 作者何进张兴黄如《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期389-396,共8页; MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。; 关键词 MOS器件超浅结离子掺杂纳米技术金属-氧化物-半导体场效应器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片被引量：1: 3; 作者黄伟胡南中 +1 位作者李海鸥于宗光《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1858-1862,共5页; 本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺... 展开更多; 关键词 BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光自提取结终端高低侧全桥驱动; 在线阅读下载PDF 职称材料

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1: 4; 作者张雪锋季红兵 +2 位作者邱云贞王志亮徐静平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1149-1152,共4页; 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO... 展开更多; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管氮氧钽铪界面层高介电常数介质散射迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管: 5; 作者邓先灿《微纳电子技术》 1976年第1期58-60,共3页; 据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要如下:对于制备砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）所... 展开更多; 关键词场效应晶体管单极晶体管场效应器件肖特基势垒金属-半导体接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

微波场效应晶体管的研制: 6; 作者 Michacl.C.Drirer 东邵晓白《微纳电子技术》 1975年第4期1-21,共21页; 本报告叙述了能给出微波功率的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的研究结果。这个方案在3千兆赫下已达到1.2瓦的饱和功率,它是在单个的基片载体上由六个栅宽为500微米的小器件并联而成。在3千兆赫下单个器件的小信号增益高达10分贝(截止... 展开更多; 关键词夹断电压厚度器件场效应晶体管单极晶体管场效应器件千兆赫外延层输出功率肖特基势垒金属-半导体接触毫瓦载流子浓度载流子密度栅长自对准工艺击穿电压光致抗蚀剂光刻胶抗腐蚀跨导饱和电流小信号增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1: 7; 作者张雪锋季红兵 +4 位作者邱云贞王志亮黄静张振娟徐静平《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期507-509,517,共4页; 通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝... 展开更多; 关键词 p沟锗基场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质氮化铪界面层; 在线阅读下载PDF 职称材料

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究: 8; 作者张雪锋季红兵 +5 位作者邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期485-488,共4页; 为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁... 展开更多; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质散射迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型凹源HV-NMOS器件研究: 1; 作者孙伟锋易扬波吴烜王平吴建辉; 机构东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期286-290,共5页; 基金国家"8 6 3"超大规模集成电路专项资助课题 ( No.2 0 0 2 AA1 Z1 5 5 0; 文摘设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特性曲线 ,击穿电压比传统 HV-NMOS提高了 3 7.5 %。同时分析了凹源结构、p阱、缓冲层 ( Buffer层 )及场极板对改善 HV-NMOS工作特性的有效作用 ,最后给出了该凹源 HV-NMOS的流水实验测试结果。; 关键词高压N型金属-氧化物-半导体凹源缓冲区场极板击穿电压; Keywords High Voltage NMOS recessed source buffer field plate breakdown voltage; 分类号 TN710 [电子电信—电路与系统] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展被引量：1: 2; 作者何进张兴黄如; 机构北京大学微电子学研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期389-396,共8页; 基金富士通和北京大学联合研究项目"低能离子注入模拟及软件开发"的支持; 文摘 MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。; 关键词 MOS器件超浅结离子掺杂纳米技术金属-氧化物-半导体场效应器件; Keywords nano technique MOS devices ultra-shallow jun ction ion-doping; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片被引量：1: 3; 作者黄伟胡南中李海鸥于宗光; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所桂林电子科技大学信息与通信学院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1858-1862,共5页; 基金国家自然科学基金(No.61274077) 江苏省自然科学基金(No.BK2011173 No.BK20120094); 文摘本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI(微光显微镜)等寄生现象出现.; 关键词 BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光自提取结终端高低侧全桥驱动; Keywords bipolar-CMOS-DMOS（BCD） electroluminescent lamps（EL） self-extracted JTE french（SEJTET） full-bridge; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1: 4; 作者张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平; 机构南通大学电子信息学院华中科技大学电子科学与技术系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1149-1152,共4页; 基金国家自然科学基金(60776016) 江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003) 南通大学科研启动基金(09R08); 文摘为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管氮氧钽铪界面层高介电常数介质散射迁移率; Keywords Ge MOSFET TaON interlayer high-k dielectric scattering mobility; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管: 5; 作者邓先灿; 出处《微纳电子技术》 1976年第1期58-60,共3页; 文摘据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要如下:对于制备砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）所需的均匀的n型掺杂层来说,硫离子注入半绝缘砷化镓已显示出它是一种有吸引力的可与气相外延抉择的方法。开始用与资料相似的实验条件(150千电子伏。; 关键词场效应晶体管单极晶体管场效应器件肖特基势垒金属-半导体接触; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微波场效应晶体管的研制: 6; 作者 Michacl.C.Drirer 东邵晓白; 出处《微纳电子技术》 1975年第4期1-21,共21页; 文摘本报告叙述了能给出微波功率的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的研究结果。这个方案在3千兆赫下已达到1.2瓦的饱和功率,它是在单个的基片载体上由六个栅宽为500微米的小器件并联而成。在3千兆赫下单个器件的小信号增益高达10分贝(截止频率为10千兆赫)。用六个器件并联在3千兆赫下可获得5分贝的增益,输出功率达到800毫瓦。在小信号电平下相互调制分量的测量方法给出-23分贝的三级相互调制分量的结果,对于低的谐波失真来说,这是并未最佳化的器件的典型结果。为了迅速鉴定出制造场效应晶体管的外延材料的质量,采用了水银探针这种技术。从这一工作所得到的结论是欲获较大功率只能靠增大单一器件的尺寸来实现,这是因为在单一基片载体上并联比六个还多的子器件要引起放大器性能的退化。文中对宽为5000微米的自对准栅的器件制造过程作了描述。; 关键词夹断电压厚度器件场效应晶体管单极晶体管场效应器件千兆赫外延层输出功率肖特基势垒金属-半导体接触毫瓦载流子浓度载流子密度栅长自对准工艺击穿电压光致抗蚀剂光刻胶抗腐蚀跨导饱和电流小信号增益; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1: 7; 作者张雪锋季红兵邱云贞王志亮黄静张振娟徐静平; 机构南通大学电子信息学院华中科技大学电子科学与技术系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期507-509,517,共4页; 基金国家自然科学基金项目(60776016) 江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003) 南通大学科研启动基金(09R08); 文摘通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义。; 关键词 p沟锗基场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质氮化铪界面层; Keywords Ge pMOSFET high-k dielectric HfN interlayer; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究: 8; 作者张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平; 机构南通大学电子信息学院华中科技大学电子科学与技术系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期485-488,共4页; 基金国家自然科学基金项目(60776016) 江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003) 南通大学科研启动基金项目(09R08); 文摘为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质散射迁移率; Keywords Ge pMOSFET high-k dielectric scattering mobility; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN301.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种新型凹源HV-NMOS器件研究	孙伟锋易扬波吴烜王平吴建辉	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展	何进张兴黄如	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片	黄伟胡南中李海鸥于宗光	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究	张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管	邓先灿	《微纳电子技术》	1976	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	微波场效应晶体管的研制	Michacl.C.Drirer 东邵晓白	《微纳电子技术》	1975	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进	张雪锋季红兵邱云贞王志亮黄静张振娟徐静平	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究	张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料