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胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性
1
作者 李卫 《南京邮电大学学报（自然科学版）》 2010年第5期55-58,共4页
通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体（MOS）结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示... 通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体（MOS）结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3V左右的平带电压偏移。通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景。 展开更多
关键词 金属-氧化层-半导体(mos)结构 电容-电压(C-V) 纳米金颗粒 自组装
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HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究 被引量：1
2
作者 张雪锋 季红兵 +2 位作者 邱云贞 王志亮 徐静平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1149-1152,共4页
为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO... 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。 展开更多
关键词 锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 氮氧钽铪界面层 高介电常数介质 散射 迁移率
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屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制 被引量：1
3
作者 李飞 刘英坤 +2 位作者 邓建国 胡顺欣 孙艳玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期199-202,共4页
在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的... 在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。 展开更多
关键词 射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅漏电容 栅屏蔽层 台栅结构 屏蔽栅结构
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国产6.5 kV/400 A SiC MOSFET模块研制及电气特性研究 被引量：2
4
作者 魏晓光 吴智慰 +9 位作者 唐新灵 杜玉杰 杨霏 李学宝 赵志斌 吴沛飞 徐云飞 齐磊 李士颜 单云海 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第10期4012-4025,I0022,共15页
为满足当前新型电力系统中电能变换装备对器件高压、大容量、工作频率高、开关损耗低的需求,文中自主研制一款国内最高功率等级的6.5 kV/400 A碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor... 为满足当前新型电力系统中电能变换装备对器件高压、大容量、工作频率高、开关损耗低的需求,文中自主研制一款国内最高功率等级的6.5 kV/400 A碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)模块,并对其电气特性开展研究。首先,对模块的电路与封装结构进行设计,通过热仿真和阻抗测量手段,对所研制模块的热特性以及回路寄生参数进行分析;其次,对所研制的模块开展常温(25℃)及高温(150℃)下的静态、动态特性测量。测量结果表明,在常温、高温条件下,模块的阻断漏电流与栅源极漏电流微小,且开关损耗维持一致,具备较好的耐高温特性。同时,相较于同电压电流规格的硅绝缘栅双极型晶体管器件,模块开关损耗可降低72%以上。最后,搭建碳化硅器件连续运行工况实验平台,模拟器件在换流装备中的实际运行工况,对模块进行半桥正弦脉宽调制逆变连续运行实验。连续运行实验结果表明,该模块在电压3600 V、器件电流峰值280 A条件下连续运行1h无异常,初步验证模块具备工程应用能力。研究可为高压碳化硅MOSFET的研制及工程应用提供一定支撑。 展开更多
关键词 碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管模块 封装结构设计 静态特性 动态特性 连续运行实验
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用变角XPS技术定量计算超薄SiO_2层厚度
5
作者 严少平 汪贵华 +1 位作者 李锋 顾广颐 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第3期452-455,共4页
采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析... 采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析和测试。 展开更多
关键词 变角XPS技术 定量计算 超薄SiO2层 超薄栅氧化层 厚度测量 薄膜 mos集成器件 金属-氧化物-半导体器件
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La_(0.85)Na_(0.15)MnO_3的结构、磁性质和输运性质
6
作者 李志青 姜恩永 +2 位作者 刘新典 任世伟 白海力 《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期681-683,共3页
实验研究了由 Pechini方法制备的 L a0 .85Na0 .1 5Mn O3多晶陶瓷样品的结构、磁性质和输运性质 .发现 L a0 .85Na0 .1 5Mn O3的居里温度正好接近室温 ,在该温度附近 ,伴随铁磁相到顺磁相的转变 ,同时发生金属 -半导体转变 ,且在居里温... 实验研究了由 Pechini方法制备的 L a0 .85Na0 .1 5Mn O3多晶陶瓷样品的结构、磁性质和输运性质 .发现 L a0 .85Na0 .1 5Mn O3的居里温度正好接近室温 ,在该温度附近 ,伴随铁磁相到顺磁相的转变 ,同时发生金属 -半导体转变 ,且在居里温度附近 ,0 .5 T外磁场下的最大磁电阻可达 14 % .理论与实验对比可知 ,在居里温度以上小极化子非对角跳跃为主要导电机制 . 展开更多
关键词 磁电阻 双交换效应 金属-半导体转变 稀土锰氧化物 碱金属掺杂 结构 La0.85Na0.15MnO3 磁性质 输运性质
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降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
7
作者 周志文 沈晓霞 李世国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期10-15,31,共7页
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺... Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。 展开更多
关键词 锗(Ge) N型掺杂 金属-界面层-半导体接触 金属氧化物半导体场效应晶体管(mosFET) 接触电阻
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考虑界面捕获效应的MIFIS结构电学性能
8
作者 孙静 李立 施晓蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期366-370,共5页
结合量子力学模型、偶极子转换理论和金属氧化物半导体结构的半导体物理理论,对描述金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构电学性能的模型进行了改进。该模型考虑了半导体表面的界面捕获态,利用该模型,研究了界面捕获态对半导... 结合量子力学模型、偶极子转换理论和金属氧化物半导体结构的半导体物理理论,对描述金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构电学性能的模型进行了改进。该模型考虑了半导体表面的界面捕获态,利用该模型,研究了界面捕获态对半导体表面势-电压(φSi-V)特性和MIFIS结构低频电容-电压(C-V)特性及记忆窗口的影响。结果显示,随着界面捕获态密度的增加,φSi-V和C-V特性曲线沿电压正方向移动并发生变形,记忆窗口逐渐减小,即界面捕获态密度越大,MIFIS结构的电学性能越差。该研究在MIFIS结构器件的设计和制作方面具有指导意义。 展开更多
关键词 金属层-绝缘层-铁电层-绝缘层-半导体(MIFIS)结构 界面捕获态 φSi-V特性 C-V特性 记忆窗口
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基于Au@PPy核壳结构纳米粒子自组装阵列的可程序化负微分电阻效应研究
9
作者 韩布兴 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第5期455-456,共2页
随着信息技术的快速发展,亟需探索新型器件来满足当前及未来人们的需求1,2。在电子器件中非常重要的物理现象之一—负微分电阻效应,其在逻辑门3、模拟数字转换4、高频率振荡5、记忆存储和快速转换6等领域中具有巨大的应用前景。负微分... 随着信息技术的快速发展,亟需探索新型器件来满足当前及未来人们的需求1,2。在电子器件中非常重要的物理现象之一—负微分电阻效应,其在逻辑门3、模拟数字转换4、高频率振荡5、记忆存储和快速转换6等领域中具有巨大的应用前景。负微分电阻效应现象经常出现在金属-氧化物-半导体器件或者半导体器件中。 展开更多
关键词 电阻效应 核壳结构纳米粒子 负微分 金属-氧化物-半导体器件 程序化 自组装 模拟数字转换 电子器件
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YON界面钝化层改善HfO_(2)/Ge界面特性的研究 被引量：1
10
作者 程智翔 徐钦 刘璐 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2810-2814,共5页
本文采用YON界面钝化层来改善HfO_2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor(MOS)器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N_2氛围中溅射Y_2O_3靶直接淀积获得以及先在Ar+N_2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形... 本文采用YON界面钝化层来改善HfO_2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor(MOS)器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N_2氛围中溅射Y_2O_3靶直接淀积获得以及先在Ar+N_2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形成YON.实验结果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火过程中先于Ge表面吸收从界面扩散的O而氧化,从而阻挡了O扩散到达Ge表面,更有效抑制了界面处Ge氧化物的形成,获得了更优良的界面特性和电特性:较小的CET(1.66 nm),较大的k值(18.8),较低的界面态密度(7.79×10^(11)e V^(-1)cm^(-2))和等效氧化物电荷密度(-4.83×10^(12)cm^(-2)),低的栅极漏电流(3.40×10^(-4)A/cm^2@V_g=V_(fb)+1 V)以及好的高场应力可靠性. 展开更多
关键词 Ge金属-氧化物-半导体 界面钝化层 YON 界面态密度
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