纳米半导体电极及有机-无机电致变色器件 被引量：2

1

作者 葛万银 李永祥 +1 位作者 于晓峰 杨群保 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期108-112,共5页

对无机和有机电致变色材料及其在电致变色器件中的应用做了详尽地分析。重点介绍了近年来广泛研究的一种变色子修饰半导体电极的复合型电致变色器件。通过对这种有机-无机复合电致变色器件结构的剖析,分析了变色机理,展望了这种变色器... 对无机和有机电致变色材料及其在电致变色器件中的应用做了详尽地分析。重点介绍了近年来广泛研究的一种变色子修饰半导体电极的复合型电致变色器件。通过对这种有机-无机复合电致变色器件结构的剖析,分析了变色机理,展望了这种变色器件的发展动向。 展开更多

关键词 电致变色 有机-无机复合 纳米膜材料 平板显示器件 电致变色器件 半导体电极 纳米 电致变色材料 器件结构 变色机理

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二维半导体材料纳米电子器件和光电器件 被引量：30

2

作者 王根旺 侯超剑 +2 位作者 龙昊天 杨立军 王扬 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1319-1340,共22页

近年来,随着各领域对微电子器件集成度及性能要求的不断提高,发展基于二维半导体材料的新型高性能功能性器件成为了突破当前技术瓶颈的重要环节和关键方向。目前,作为新型二维半导体材料的代表,二维过渡金属二硫化物、二维黑磷以及范德... 近年来,随着各领域对微电子器件集成度及性能要求的不断提高,发展基于二维半导体材料的新型高性能功能性器件成为了突破当前技术瓶颈的重要环节和关键方向。目前,作为新型二维半导体材料的代表,二维过渡金属二硫化物、二维黑磷以及范德瓦尔斯异质结凭借其在电学、热学、机械、光学等方面的优异性能已经成为了发展高性能纳米电子器件和光电器件的最具潜力的材料之一。在本综述中,首先概述了几种用于纳米器件的常见二维材料,分析了材料的结构、性能及其在纳米器件中的应用,其次重点对基于过渡金属二硫化物、黑磷以及由其衍生的范德瓦尔斯异质结的纳米电子器件和光电器件的最新研究进展进行讨论,最后对目前二维半导体纳米器件所面临的挑战以及未来的发展方向进行总结及分析,从而为未来发展高性能功能性纳米器件提供支持。 展开更多

关键词 二维半导体纳米材料 过渡金属二硫化物 黑磷 范德瓦尔斯异质结 纳米电子器件 纳米光电器件

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新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望 被引量：3

3

作者 刁华彬 杨凯 +1 位作者 赵超 罗军 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第11期875-887,901,共14页

Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga... Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga2O3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga2O3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。总结回顾了β-Ga2O3SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga2O3功率器件存在的问题。分析表明,β-Ga2O3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力。 展开更多

关键词 β-Ga2O3 超宽禁带半导体 功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)

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表面等离激元金属-绝缘体-半导体波导激光器研究进展

4

作者 何庆叶 李国辉 +3 位作者 潘登 冀婷 王文艳 崔艳霞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1839-1854,共16页

纳米激光器在光通信、全息技术、生物医疗成像等领域有着广泛的应用前景。表面等离激元(Surface plasmon polariton,SPP)沿着金属表面传播,基于该特性可制成突破衍射极限的低阈值纳米激光器。它们不但具有小尺寸特征,同时还能激发Purcel... 纳米激光器在光通信、全息技术、生物医疗成像等领域有着广泛的应用前景。表面等离激元(Surface plasmon polariton,SPP)沿着金属表面传播,基于该特性可制成突破衍射极限的低阈值纳米激光器。它们不但具有小尺寸特征,同时还能激发Purcell效应,表现出更高的自发辐射效率。近年来,金属-绝缘体-半导体(MIS)波导结构的SPP激光器因具有超强的模式约束能力被大量报道。本文以基于MIS结构的SPP激光器为主题进行综述。首先,介绍了SPP激光器的工作原理,接着分别介绍了基于MIS波导结构的纳米片型和纳米线型SPP激光器的工作原理。然后,依据增益介质材料的不同,依次介绍了增益介质分别为Ⅱ-Ⅵ半导体、Ⅲ-Ⅴ半导体以及钙钛矿的SPP MIS波导激光器研究进展。最后,总结全文,并对基于MIS波导的SPP激光器未来的发展和挑战进行了展望。 展开更多

关键词 表面等离激元 金属-绝缘体-半导体 激光器 纳米片 纳米线

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溶胶-凝胶法合成纳米TiO_2粉体的研究进展 被引量：9

5

作者 李发堂 赵地顺 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F11期64-67,共4页

概述了利用溶胶-凝胶法合成纯纳米Ti O2粉体时不同合成条件对制备结果的影响;综述了利用溶胶-凝胶法合成金属及非金属离子掺杂Ti O2粉体、半导体复合纳米Ti O2、贵金属沉积以及固体超强酸化纳米Ti O2的研究现状,并指出不同方法提高光催... 概述了利用溶胶-凝胶法合成纯纳米Ti O2粉体时不同合成条件对制备结果的影响;综述了利用溶胶-凝胶法合成金属及非金属离子掺杂Ti O2粉体、半导体复合纳米Ti O2、贵金属沉积以及固体超强酸化纳米Ti O2的研究现状,并指出不同方法提高光催化活性的机理在于促进电子-空穴的分离或改变能带及表面结构。针对制备纳米Ti O2粉体中存在的问题,指出未来的研究方向应是提高Ti O2催化活性的机理研究、可见光化纳米Ti O2的制备以及工业化生产条件探索等。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 纳米TIO2 离子掺杂 半导体复合 贵金属沉积 固体超强酸

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纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展 被引量：1

6

作者 何进 张兴 黄如 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期389-396,共8页

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。

关键词 MOS器件 超浅结 离子掺杂 纳米技术 金属-氧化物-半导体场效应器件

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采用多输入浮栅MOS器件的四值编-译码电路设计 被引量：1

7

作者 杭国强 聂莹莹 金心宇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期421-426,共6页

提出一种采用多输入浮栅MOS管设计具有可控阈值功能的电压型多值逻辑电路的方法.对每个浮栅MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示以实现有效综合。在此基础上提出了一种新的电压型多输入浮栅MOS四值编码器和译码器设计。所提出的... 提出一种采用多输入浮栅MOS管设计具有可控阈值功能的电压型多值逻辑电路的方法.对每个浮栅MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示以实现有效综合。在此基础上提出了一种新的电压型多输入浮栅MOS四值编码器和译码器设计。所提出的电路在结构上得到了非常明显的简化,并可采用标准的双层多晶硅CMOS工艺予以实现。此外,这些电路具有逻辑摆幅完整、延迟小等特点。采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性。 展开更多

关键词 多值逻辑 浮栅金属氧化物半导体器件 控阈技术 编码-译码电路

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具有半金属磁性的过渡金属氢化物分子纳米线

8

作者 方维海 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1512-1513,共2页

自旋电子器件基于电子的自旋进行信息的传递、处理与存储，具有目前传统半导体电子器件无法比拟的快速、高效和低能耗等优势，是未来信息技术的重要载体。寻找具有高自旋极化率与居里温度的磁性材料，是制备自旋电子器件的一个基础。其... 自旋电子器件基于电子的自旋进行信息的传递、处理与存储，具有目前传统半导体电子器件无法比拟的快速、高效和低能耗等优势，是未来信息技术的重要载体。寻找具有高自旋极化率与居里温度的磁性材料，是制备自旋电子器件的一个基础。其中，半金属磁性材料可以提供完全极化的载流子， 展开更多

关键词 金属磁性材料 金属氢化物 纳米线 自旋电子器件 半导体电子器件 分子 信息技术 自旋极化率

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Cu-Ni多层膜纳米压痕下微观变形结构的研究 被引量：2

9

作者 谭军 谢天生 张广平 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期278-278,共1页

关键词 纳米压痕技术 金属多层膜 变形结构 微电子机械系统 载荷-位移曲线 微观 测试技术 力学参量 光学器件

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相对湿度对AFM针尖阳极氧化金属薄膜的影响

10

作者 匡登峰 刘庆纲 +2 位作者 郭维廉 张世林 胡小唐 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期142-144,共3页

AFM针尖诱导氧化加工的金属 (Ti、Al、Nb等 )纳米氧化线是实现金属 半导体纳米器件的基础 ,由大气湿度决定的金属膜表面水吸附层的厚度 ,对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影... AFM针尖诱导氧化加工的金属 (Ti、Al、Nb等 )纳米氧化线是实现金属 半导体纳米器件的基础 ,由大气湿度决定的金属膜表面水吸附层的厚度 ,对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响 ,结果表明进行氧化加工Ti膜的较好的湿度范围为 30 %～ 5 0 %。 展开更多

关键词 相对湿度 AFM 阳极氧化 金属薄膜 金属氧化线 金属-半导体纳米器件

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S波段系列SiC MESFET器件研制 被引量：7

11

作者 李亮 潘宏菽 +4 位作者 默江辉 陈昊 冯震 杨克武 蔡树军 《微纳电子技术》 CAS 2008年第6期322-325,333,共5页

SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点，使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展。采用国产SiC外延片，解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题；针对不同应... SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点，使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展。采用国产SiC外延片，解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题；针对不同应用背景，研制出总栅宽分别为1、5、15、20mm系列SiCMESFET样管。在2GHz脉冲状态下，300μs脉宽、10％占空比、20mm栅宽器件单胞输出功率超过80W，功率密度大于4W／mm；15mm栅宽器件在3．1～3．4GHZ频带脉冲功率输出超过30W。该研究结果为SiC器件的实用化奠定了基础。 展开更多

关键词 碳化硅 S波段 功率器件 金属-半导体场效应晶体管 功率密度

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纳米ZnO薄膜的激子光致发光特性 被引量：6

12

作者 肖芝燕 张伟力 +3 位作者 张喜田 关承祥 刘益春 张吉英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期343-347,共5页

报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系。首先利用低压 金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结... 报道了纳米ZnO薄膜激子光致发光(PL)与温度的关系。首先利用低压 金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后将ZnS薄膜在氧气中于800℃下热氧化2h获得纳米ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构且具有择优(002)取向。室温下观察到一束强的紫外(3 26eV)光致发光(PL)和很弱的深能级(DL)发射。根据激子峰的半高宽(FWHM)与温度的关系,确定了激子 纵向光学声子(LO)的耦合强度(ГLO)。 展开更多

关键词 纳米ZNO薄膜 激子光致发光特性 温度 半导体材料 氧化锌薄膜 低压-金属有机化学气相沉积

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薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析 被引量：1

13

作者 冯耀兰 杨国勇 张海鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期27-29,41,共4页

研究了薄膜全耗尽增强型 SOIMOS器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。

关键词 SOI MOS器件 绝缘层上硅 金属-氧化物-半导体 阈值电压 解析模型

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硅纳米管和纳米线场效应晶体管的模拟和比较 被引量：1

14

作者 朱兆旻 张存 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第4期209-213,235,共6页

从硅纳米管和纳米线场效应晶体管的结构出发,先用Silvaco公司的TCAD仿真软件模拟出硅纳米管和纳米线的电势分布,然后根据电势分布依次求出两种器件的有效哈密顿量、非平衡格林函数及自能函数和电子浓度,再从电子浓度推导出电流密度与电... 从硅纳米管和纳米线场效应晶体管的结构出发,先用Silvaco公司的TCAD仿真软件模拟出硅纳米管和纳米线的电势分布,然后根据电势分布依次求出两种器件的有效哈密顿量、非平衡格林函数及自能函数和电子浓度,再从电子浓度推导出电流密度与电压方程,并对其进行了分析比较。仿真结果显示,在沟道横截面积相同的情况下,纳米管器件的阈值电压比纳米线器件的高,且随管内外径之差的增加而减小。栅压比较大的情况下,在饱和区纳米管器件比纳米线器件能提供更大的驱动电流。两者在亚阈值区域表现相似,亚阈值摆幅分别为58和57 mV/dec。纳米管器件的饱和电压比纳米线器件的略小,在饱和区纳米管器件的电流更加平直,短沟道效应更不明显。 展开更多

关键词 纳米管 纳米线 非平衡格林函数 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 器件建模

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纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应 被引量：4

15

作者 刘忠立 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第6期-,共8页

介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展历程及纳米级CMOS集成电路的关键技术,在此基础上研究了纳米级CMOS集成电路的辐射效应及辐射加固现状。研究结果表明,纳米级FDSOICMOS集成电路无需特殊的加固措施,却比相同技术代的体硅CMO... 介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展历程及纳米级CMOS集成电路的关键技术,在此基础上研究了纳米级CMOS集成电路的辐射效应及辐射加固现状。研究结果表明,纳米级FDSOICMOS集成电路无需特殊的加固措施,却比相同技术代的体硅CMOS集成电路有好得多的辐射加固能力,特别适用于空间应用环境。 展开更多

关键词 纳米级互补金属氧化物半导体集成电路 器件沟长 辐射效应

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基于MoS2/Graphene复合材料的摩擦纳米发电机 被引量：2

16

作者 耿魁伟 徐志平 李徐 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期113-119,128,共8页

制备了一种基于MoS2/Graphene复合纳米材料嵌入式电子接收层的摩擦纳米发电机(TENG),研究了不同电子接收层对TENG输出电压响应、频率响应及负载响应等参数的影响,并探讨了相关增强机制。在5 Hz的工作频率下,相比没有电子接收层的TENG,... 制备了一种基于MoS2/Graphene复合纳米材料嵌入式电子接收层的摩擦纳米发电机(TENG),研究了不同电子接收层对TENG输出电压响应、频率响应及负载响应等参数的影响,并探讨了相关增强机制。在5 Hz的工作频率下,相比没有电子接收层的TENG,嵌入电子接收层的TENG的输出电压提升了3~8倍。在最佳外部负载阻抗的情况下,电子接收层为MoS2/Graphene的TENG(TENG-M/G)的最大输出功率是电子接收层为聚酰亚胺膜的TENG(TENG-PI)的23倍。通过分析转移电荷量的差异,探讨了不同电子接收层的TENG输出差异性的原因。为了进一步验证实验结果,制作了掺杂不同PI膜作栅绝缘层的金属-绝缘体-半导体(MIS)器件,通过分析其在1 kHz下的C-V特性曲线,探讨了造成TENG输出差异性的内部机制及MoS2/Graphene复合材料在TENG中的电荷捕获作用。 展开更多

关键词 摩擦纳米发电机 二硫化钼 石墨烯 复合材料 金属-绝缘体-半导体

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器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响 被引量：1

17

作者 刘远 恩云飞 +1 位作者 李斌 师谦 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年第5期21-24,共4页

随着MOS器件的尺寸越做越小,其辐照效应也随即发生改变,对于小尺寸器件的辐照效应研究也就占据了一个非常重要的位置。对一些器件几何尺寸的辐照效应影响进行了综述。

关键词 金属-氧化物-半导体 器件尺寸 辐照效应

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薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究

18

作者 冯耀兰 樊路加 +2 位作者 宋安飞 施雪捷 张正璠 《电子器件》 CAS 2002年第1期18-21,共4页

本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 3... 本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 30 0℃ ) 展开更多

关键词 绝缘体上硅 金属-氧化物-半导体 薄膜 积累型 高温特性 MOS器件

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一种200V/100A VDMOS器件开发 被引量：1

19

作者 焦世龙 翁长羽 晋虎 《电子与封装》 2010年第7期20-23,共4页

分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度,以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法,并据... 分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度,以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法,并据此设计了一种元胞结构。详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节,包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P阱推进等。流水所得VDMOS实测结果表明,该器件反向击穿特性良好,栅氧耐压达到本征击穿,阈值电压2.8V,导通电阻仅25mΩ,器件综合性能良好。 展开更多

关键词 功率器件 垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 元胞

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ZnS纳米带的显微结构分析

20

作者 孟祥敏 范霞 +1 位作者 张晓宏 刘馨 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期263-263,共1页

关键词 显微结构分析 ZNS 纳米带 半导体化合物 电致发光器件 纳米材料 平板显示器 Ⅱ-Ⅵ族 红外窗口

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