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绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究
被引量：
2
1
作者
林海波
徐晓轩
+3 位作者
吴宏滨
王斌
俞钢
张存洲
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期469-472,共4页
为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性...
为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标)上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba(Ca)/A l电极结构PLED s器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。
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关键词
聚合物发光二极管
P
-
PPV
LIF
金属-半导体界面
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职称材料
降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
2
作者
周志文
沈晓霞
李世国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期10-15,31,共7页
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺...
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。
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关键词
锗(Ge)
N型掺杂
金属
-
界面
层
-
半导体
接触
金属
氧化物
半导体
场效应晶体管(MOSFET)
接触电阻
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职称材料
题名
绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究
被引量：
2
1
作者
林海波
徐晓轩
吴宏滨
王斌
俞钢
张存洲
机构
南开大学泰达应用物理学院
华南理工大学材料学院高分子光电材料及器件研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期469-472,共4页
基金
国家教育部"振兴"计划资助项目(A01504)
文摘
为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标)上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba(Ca)/A l电极结构PLED s器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。
关键词
聚合物发光二极管
P
-
PPV
LIF
金属-半导体界面
Keywords
polymer light
-
emitting diodes
P
-
PPV
LiF
metal
-
semiconductor interface
分类号
TN381.1 [电子电信—物理电子学]
TN873.3 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
2
作者
周志文
沈晓霞
李世国
机构
深圳信息职业技术学院电子与通信学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期10-15,31,共7页
基金
广东省自然科学基金资助项目(S2013010011833)
深圳市科技计划资助项目(JCYJ20120821162230170)
广东省高等学校优秀青年教师资助项目(Yq2014123)
文摘
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。
关键词
锗(Ge)
N型掺杂
金属
-
界面
层
-
半导体
接触
金属
氧化物
半导体
场效应晶体管(MOSFET)
接触电阻
Keywords
germanium（Ge）
n
-
type doping
metal
-
interfacial layer
-
semiconductor contact
metal oxide semiconductor field effect transistor（MOSFET）
contact resistance
分类号
TN304.11 [电子电信—物理电子学]
TN305.93 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究
林海波
徐晓轩
吴宏滨
王斌
俞钢
张存洲
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
周志文
沈晓霞
李世国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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