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测量计算金属-半导体接触电阻率的方法被引量：13: 1; 作者李鸿渐石瑛《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期155-159,共5页; 如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。... 展开更多; 关键词金属-半导体接触接触电阻率传输线模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属In与掺Nb的SrTiO_3金属半导体接触研究: 2; 作者王世奇马玉彬《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期19-22,共4页; 研究了金属In与掺不同Nb浓度的SrTiO3(Nb-STO)衬底之间构成的金属半导体结(金-半结)。测量了不同温度下的I-V曲线。在掺杂浓度为0.05wt.%衬底构成的金-半结I-V曲线中,反向电压部分得到的有效因子n在1.05～1.10之间,且随温度变化很小,而... 展开更多; 关键词 Nb掺杂SrTiO3 金属-半导体接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展: 3; 作者孙序文《光通信研究》 1987年第2期45-49,共5页; 本文介绍一种解释欧姆接触的比接触电阻ρ_c的新模型。并从理论上分析了利用RF溅射清洗半导体表面可使ρ_c降低的机理。; 关键词欧姆接触半导体表面比接触电阻溅射清洗肖特基势垒金属-半导体接触化合物半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展: 4; 作者周志文沈晓霞李世国《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期10-15,31,共7页; Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺... 展开更多; 关键词锗(Ge) N型掺杂金属-界面层-半导体接触金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善: 5; 作者陈建新吴楠 +1 位作者史辰杨维明《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1048-1051,共4页; 为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷,引入了掩埋金属自对准工艺.新工艺使SiGe HBT的制作不受最小光刻条宽的限制,从而有效利用了现有的光刻精度.由此工艺得到的器件测量结果证明,在不提高现有光刻设备精度的基础... 展开更多; 关键词掩埋金属自对准结面积利用率金属-半导体接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

金刚石肖特基二极管的研究进展被引量：3: 6; 作者彭博李奇 +3 位作者张舒淼樊叔维王若铮王宏兴《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期732-745,共14页; 金刚石具有宽带隙(5.47 eV)、高载流子迁移率(空穴3800 cm^(2)/(V·s)、电子4500 cm^(2)/(V·s))、高热导率(22 W·cm^(-1)·K^(-1))、高临界击穿场强(>10 MV/cm),以及最优的Baliga器件品质因子,使得金刚石半导体器... 展开更多; 关键词金刚石肖特基二极管金属-半导体接触场板钝化层边缘终端; 在线阅读下载PDF 职称材料

杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制: 7; 作者毛淑娟罗军闫江《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期55-59,共5页; 为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用硅化诱发杂质分凝技术(SIDS)调节NiSi/n-Si肖特基二极管(NiSi/n-Si SJD)的肖特基势垒高度,系统地研究了S... 展开更多; 关键词肖特基势垒高度 NISI n—Si肖特基二极管硅化诱发杂质分凝技术镍硅化物金属-半导体接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管被引量：1: 8; 作者金冬月贾晓雪 +5 位作者张万荣那伟聪曹路明潘永安刘圆圆范广祥《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1141-1149,共9页; 为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn... 展开更多; 关键词电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor BCPT) 金属-半导体接触的功函数差正衬底偏压结构发射结注入效率电流增益击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名测量计算金属-半导体接触电阻率的方法被引量：13: 1; 作者李鸿渐石瑛; 机构武汉大学物理技术与科学学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期155-159,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(10675094 10205010 10435060); 文摘如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法。; 关键词金属-半导体接触接触电阻率传输线模型; Keywords metal-semiconductor contact specific contact resistance transmission line model; 分类号 TN304.07 [电子电信—物理电子学] TN305.93 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属In与掺Nb的SrTiO_3金属半导体接触研究: 2; 作者王世奇马玉彬; 机构北京大学物理学院系; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期19-22,共4页; 文摘研究了金属In与掺不同Nb浓度的SrTiO3(Nb-STO)衬底之间构成的金属半导体结(金-半结)。测量了不同温度下的I-V曲线。在掺杂浓度为0.05wt.%衬底构成的金-半结I-V曲线中,反向电压部分得到的有效因子n在1.05～1.10之间,且随温度变化很小,而正向的n很大,表明出势垒随着偏压的变化改变很大。金属In与Nb-STO衬底之间构成的金-半结在浓度为0.05wt.%和0.7wt.%的掺杂情况下,结点都表现出非线性的I-V关系,均不能视为欧姆接触。; 关键词 Nb掺杂SrTiO3 金属-半导体接触; Keywords Niobium doped SrTiO3 metal-semiconductor contact; 分类号 O472 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展: 3; 作者孙序文; 机构山东农业机械化学院物理教研室; 出处《光通信研究》 1987年第2期45-49,共5页; 文摘本文介绍一种解释欧姆接触的比接触电阻ρ_c的新模型。并从理论上分析了利用RF溅射清洗半导体表面可使ρ_c降低的机理。; 关键词欧姆接触半导体表面比接触电阻溅射清洗肖特基势垒金属-半导体接触化合物半导体; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展: 4; 作者周志文沈晓霞李世国; 机构深圳信息职业技术学院电子与通信学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期10-15,31,共7页; 基金广东省自然科学基金资助项目(S2013010011833) 深圳市科技计划资助项目(JCYJ20120821162230170) 广东省高等学校优秀青年教师资助项目(Yq2014123); 文摘 Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。; 关键词锗(Ge) N型掺杂金属-界面层-半导体接触金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻; Keywords germanium（Ge） n-type doping metal-interfacial layer-semiconductor contact metal oxide semiconductor field effect transistor（MOSFET） contact resistance; 分类号 TN304.11 [电子电信—物理电子学] TN305.93 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善: 5; 作者陈建新吴楠史辰杨维明; 机构北京工业大学电子信息与控制工程学院; 出处《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1048-1051,共4页; 基金国家自然科学基金(60476034); 文摘为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷,引入了掩埋金属自对准工艺.新工艺使SiGe HBT的制作不受最小光刻条宽的限制,从而有效利用了现有的光刻精度.由此工艺得到的器件测量结果证明,在不提高现有光刻设备精度的基础上,掩埋金属自对准工艺对器件的性能有了改进.; 关键词掩埋金属自对准结面积利用率金属-半导体接触; Keywords buried-metal self-aligned area utilization efficiency metal semi-conductor contact; 分类号 TN323 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金刚石肖特基二极管的研究进展被引量：3: 6; 作者彭博李奇张舒淼樊叔维王若铮王宏兴; 机构西安交通大学西安交通大学电子与信息学部; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期732-745,共14页; 基金国家重点研发计划(2021YFB3602100) 国家自然科学基金(U21A2073,62074127)。; 文摘金刚石具有宽带隙(5.47 eV)、高载流子迁移率(空穴3800 cm^(2)/(V·s)、电子4500 cm^(2)/(V·s))、高热导率(22 W·cm^(-1)·K^(-1))、高临界击穿场强(>10 MV/cm),以及最优的Baliga器件品质因子,使得金刚石半导体器件在高温、高频、高功率,以及抗辐照等极端条件下有良好的应用前景。随着单晶金刚石CVD生长技术和p型掺杂的突破,以硼掺杂金刚石为主的肖特基二极管(SBD)的研究广泛展开。本文详细介绍了金刚石SBD的工作原理,探讨了高掺杂p型厚膜、低掺杂漂移区p型薄膜的生长工艺,研究了不同金属与金刚石形成欧姆接触、肖特基接触的条件,分析了横向、垂直、准垂直器件结构的制备工艺,以及不同结构对SBD正向、反向、击穿特性的影响,阐述了场板、钝化层、边缘终端等器件结构对SBD内部电场的调制作用,进而提升器件反向击穿电压,最后总结了金刚石SBD的应用前景及面临的挑战。; 关键词金刚石肖特基二极管金属-半导体接触场板钝化层边缘终端; Keywords diamond Schottky barrier diode metal-semiconductor contact field plate passivation layer edge terminal; 分类号 O78 [理学—晶体学] TN311.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制: 7; 作者毛淑娟罗军闫江; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期55-59,共5页; 基金中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题资助项目; 文摘为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用硅化诱发杂质分凝技术(SIDS)调节NiSi/n-Si肖特基二极管(NiSi/n-Si SJD)的肖特基势垒高度,系统地研究了SIDS工艺条件如杂质注入剂量、注入能量和硅化物形成工艺对肖特基势垒高度调节的影响。实验结果表明,适当增加BF2杂质的注入剂量或能量均能显著提高有效电子势垒高度(φBn,eff),也即降低了有效空穴势垒高度(φBp,eff),从而减小反向偏置漏电流。同时,与传统的一步退火工艺相比,采用两步退火工艺形成NiSi也有利于提高有效电子势垒高度,减小反向漏电流。最后,提出了一种优化的调制肖特基势垒高度的SIDS工艺条件。; 关键词肖特基势垒高度 NISI n—Si肖特基二极管硅化诱发杂质分凝技术镍硅化物金属-半导体接触; Keywords Schottky barrier height induced dopant segregation （SIDS） NiSi （ SBH ） NiSi/n-Si Schottky junction diode silicidation metal-semiconductor contact; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管被引量：1: 8; 作者金冬月贾晓雪张万荣那伟聪曹路明潘永安刘圆圆范广祥; 机构北京工业大学信息学部; 出处《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1141-1149,共9页; 基金北京市自然科学基金资助项目(4143059,4192014) 北京市教育委员会科技计划资助项目(KM201710005027)。; 文摘为了兼顾高电流增益β和发射极开路集电结的高击穿电压V_(CBO)与基极开路集电极-发射极间的高击穿电压V_(CEO),有效提升电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor,BCPT)的高压大电流处理能力,利用SILVACO TCAD建立了npn型BCPT的器件模型。考虑到双极晶体管的击穿电压主要取决于集电区掺杂浓度,首先研究了集电极金属对BCPT性能的影响。分析表明,BCPT集电区的电子浓度强烈依赖于电极金属的功函数,当采用功函数较大的铝(Al)作为集电极金属时,由于减小了金属-半导体接触的功函数差,降低了集电区中诱导产生的电子等离子体浓度,从而有效降低了集电结空间电荷区峰值电场强度,减小了峰值电子温度以及峰值电子碰撞电离率,因此,达到改善击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)的目的。然而,集电区电子浓度的减小会引起基区Kirk效应,增大基区复合,降低β。为此,进一步提出了一种采用衬底偏压结构的BCPT,通过在发射区和基区下方引入正衬底偏压,调制发射区和基区有效载流子浓度,达到提高发射结注入效率、增大β的目的。结果表明:与仅采用锆(Zr)作为集电极金属的BCPT相比,该器件的峰值电流增益改善了21.69%,击穿电压V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了12.78%和56.41%,从而有效扩展了BCPT的高功率应用范围。; 关键词电荷等离子体双极晶体管(bipolar charge plasma transistor BCPT) 金属-半导体接触的功函数差正衬底偏压结构发射结注入效率电流增益击穿电压; Keywords bipolar charge plasma transistor(BCPT) work function difference between metal and silicon positive substrate bias structure emission junction injection efficiency current gain breakdown voltage; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	测量计算金属-半导体接触电阻率的方法	李鸿渐石瑛	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	13	在线阅读下载PDF 职称材料
2	金属In与掺Nb的SrTiO_3金属半导体接触研究	王世奇马玉彬	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展	孙序文	《光通信研究》	1987	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展	周志文沈晓霞李世国	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善	陈建新吴楠史辰杨维明	《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	金刚石肖特基二极管的研究进展	彭博李奇张舒淼樊叔维王若铮王宏兴	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2023	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制	毛淑娟罗军闫江	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	兼具高电流增益和高击穿性能的电荷等离子体双极晶体管	金冬月贾晓雪张万荣那伟聪曹路明潘永安刘圆圆范广祥	《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料