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金属-DBR-金属结构中光学Tamm态的弱耦合特性研究
被引量：
6
1
作者
李培丽
高辉
+1 位作者
栾开智
陆云清
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第2期650-655,共6页
当金属-分布式Bragg反射镜-金属(M1-DBR-M2)结构中的DBR周期数比较大时,M1-DBR-M2中的两光学Tamm态(OTS)发生弱耦合。通过研究M1-DBR-M2结构中OTS弱耦合情况下的反射光谱和OTS本征波长电场分布,揭示了弱耦合情况下的OTS和光隧穿效应。...
当金属-分布式Bragg反射镜-金属(M1-DBR-M2)结构中的DBR周期数比较大时,M1-DBR-M2中的两光学Tamm态(OTS)发生弱耦合。通过研究M1-DBR-M2结构中OTS弱耦合情况下的反射光谱和OTS本征波长电场分布,揭示了弱耦合情况下的OTS和光隧穿效应。研究结果表明:在弱耦合情况下,金属薄膜M1的厚度影响了OTS的本征波长,而金属薄膜M2的厚度对OTS的本征波长没影响。虽然弱耦合情况下只能激发M1-DBR交界面处的OTS1,但电场局域现象并不是仅仅发生在M1-DBR交界面处,光可以穿过DBR到达并被局域在DBR-M2交界面处,存在光的隧穿效应。光隧穿效应的强弱与两OTS的本征波长失谐量大小有关,本征波长失谐量越小,光隧穿效应越强。两OTS的本征波长失谐量的大小,也影响了光在M1-DBR-M2结构中局域的强弱,本征波长失谐量越小,光的局域现象越强,反射光谱中凹峰处的反射率越小。
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关键词
光学Tamm态
弱耦合
金属-分布式bragg反射镜-金属
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职称材料
一种新型的分布式MEMS移相器的小型化设计
被引量：
5
2
作者
金博识
吴群
+3 位作者
贺训军
唐恺
杨国辉
Lee Jong-Chul
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05B期1885-1888,共4页
通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在“关”态下形成MIM电容的方法,实现了提高“关”“开”两种状态下的电容比,从而提高了单位长度上的相移量.与传统的设计方法相比,在达到同样相移...
通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在“关”态下形成MIM电容的方法,实现了提高“关”“开”两种状态下的电容比,从而提高了单位长度上的相移量.与传统的设计方法相比,在达到同样相移量指标的情况下仅需少量的MEMS金属桥就可以实现,工作的可靠性得到提高,未封装MEMS移相器器件的总体尺寸可以减小60%左右,此外由于在“关”态下,金属桥直接贴敷在介质表面上而不会随着外界环境震动,因此移相器的相移精度显著的提高.
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关键词
RF
MEMS
分布式
MEMS传输线
金属
-
绝缘体
-
金属
电容
MEMS
金属
桥
移相器
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职称材料
题名
金属-DBR-金属结构中光学Tamm态的弱耦合特性研究
被引量：
6
1
作者
李培丽
高辉
栾开智
陆云清
机构
南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第2期650-655,共6页
基金
国家自然科学基金项目(61275067)
江苏省研究生科研创新计划项目(KYCX18_0855)资助
文摘
当金属-分布式Bragg反射镜-金属(M1-DBR-M2)结构中的DBR周期数比较大时,M1-DBR-M2中的两光学Tamm态(OTS)发生弱耦合。通过研究M1-DBR-M2结构中OTS弱耦合情况下的反射光谱和OTS本征波长电场分布,揭示了弱耦合情况下的OTS和光隧穿效应。研究结果表明:在弱耦合情况下,金属薄膜M1的厚度影响了OTS的本征波长,而金属薄膜M2的厚度对OTS的本征波长没影响。虽然弱耦合情况下只能激发M1-DBR交界面处的OTS1,但电场局域现象并不是仅仅发生在M1-DBR交界面处,光可以穿过DBR到达并被局域在DBR-M2交界面处,存在光的隧穿效应。光隧穿效应的强弱与两OTS的本征波长失谐量大小有关,本征波长失谐量越小,光隧穿效应越强。两OTS的本征波长失谐量的大小,也影响了光在M1-DBR-M2结构中局域的强弱,本征波长失谐量越小,光的局域现象越强,反射光谱中凹峰处的反射率越小。
关键词
光学Tamm态
弱耦合
金属-分布式bragg反射镜-金属
Keywords
Optical Tamm state
Weak coupling
Metal
-
DBR
-
metal
分类号
O436.2 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
一种新型的分布式MEMS移相器的小型化设计
被引量：
5
2
作者
金博识
吴群
贺训军
唐恺
杨国辉
Lee Jong-Chul
机构
哈尔滨工业大学电子与信息技术研究院
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05B期1885-1888,共4页
基金
哈尔滨工业大学跨学科交叉性研究基金资助(HITMD.2003.07)
文摘
通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在“关”态下形成MIM电容的方法,实现了提高“关”“开”两种状态下的电容比,从而提高了单位长度上的相移量.与传统的设计方法相比,在达到同样相移量指标的情况下仅需少量的MEMS金属桥就可以实现,工作的可靠性得到提高,未封装MEMS移相器器件的总体尺寸可以减小60%左右,此外由于在“关”态下,金属桥直接贴敷在介质表面上而不会随着外界环境震动,因此移相器的相移精度显著的提高.
关键词
RF
MEMS
分布式
MEMS传输线
金属
-
绝缘体
-
金属
电容
MEMS
金属
桥
移相器
Keywords
RF MEMS
Distributed MEMS transmission line （DMTL）
MIM （metal
-
insulator
-
metal） capacitor
MEMS bridge
phase shifter
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属-DBR-金属结构中光学Tamm态的弱耦合特性研究
李培丽
高辉
栾开智
陆云清
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
6
在线阅读
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职称材料
2
一种新型的分布式MEMS移相器的小型化设计
金博识
吴群
贺训军
唐恺
杨国辉
Lee Jong-Chul
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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职称材料
已选择
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