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镍诱导纳米晶硅薄膜的生长
被引量：
1
1
作者
冯嘉猷
何悦
毕磊
《江苏大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
北大核心
2007年第2期123-126,共4页
采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜.对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析.结果表明,在高温退火后,有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强...
采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜.对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析.结果表明,在高温退火后,有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强度.对试验结果进行热力学分析后,认为NiSi2作为纳米晶硅的形核中心诱导了薄膜的分相和纳米晶硅生长.
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关键词
纳米晶硅
金属镍诱导
薄膜
光致发光
磁控溅射
分相
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职称材料
题名
镍诱导纳米晶硅薄膜的生长
被引量：
1
1
作者
冯嘉猷
何悦
毕磊
机构
清华大学材料科学与工程系
出处
《江苏大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
北大核心
2007年第2期123-126,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50571050)
文摘
采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜.对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析.结果表明,在高温退火后,有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强度.对试验结果进行热力学分析后,认为NiSi2作为纳米晶硅的形核中心诱导了薄膜的分相和纳米晶硅生长.
关键词
纳米晶硅
金属镍诱导
薄膜
光致发光
磁控溅射
分相
Keywords
Si nanocrystal
metal Ni induced
thin film
photoluminescence
magnetron sputtering
phase separation
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
镍诱导纳米晶硅薄膜的生长
冯嘉猷
何悦
毕磊
《江苏大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
北大核心
2007
1
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