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非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶被引量：1: 1; 作者王光伟张建民 +1 位作者倪晓昌李莉《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期356-366,共11页; 分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用。概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等。对电... 展开更多; 关键词金属诱导结晶金属诱导横向结晶固相反应扩散电场增强横向诱导结晶成核激活能晶粒生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属诱导非晶硅横向结晶机理研究被引量：8: 2; 作者金仲和王跃林《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1079-1082,共4页; 本文主要研究金属诱导横向结晶速度与工艺条件的关系 ,探讨隐含在这些关系背后的制约因素 .研究发现金属诱导横向结晶速度在长时间退火过程中下降 ;非晶硅本身在长时间退火过程中的变化是结晶速度下降的一个原因 ,而另外一个原因是在横... 展开更多; 关键词金属诱导结晶多晶硅薄膜晶体管结晶机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响被引量：1: 3; 作者王光伟《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期107-112,共6页; 综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱... 展开更多; 关键词金属诱导横向结晶电场增强金属诱导横向结晶扩散固相反应晶粒生长交流电场; 在线阅读下载PDF 职称材料

MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管被引量：13: 4; 作者金仲和王跃林《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1068-1071,共4页; 金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点 ,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能 .采用超薄结构后 ,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到10 -13 A/ μm以下 ;开关比... 展开更多; 关键词金属诱导结晶多晶硅薄膜晶体管 MILC; 在线阅读下载PDF 职称材料

耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响: 5; 作者朱臻《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第2期43-46,共4页; 研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实... 展开更多; 关键词金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子应力热产生漏电耗尽区调制效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶被引量：1: 1; 作者王光伟张建民倪晓昌李莉; 机构天津工程师范大学电子工程系; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期356-366,共11页; 基金天津市高校科技发展基金项目(No.20060605); 文摘分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用。概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等。对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释。; 关键词金属诱导结晶金属诱导横向结晶固相反应扩散电场增强横向诱导结晶成核激活能晶粒生长; Keywords metal-induced crystallization metal-induced lateral crystallization solid phase reaction diffusion electric field aided lateral crystallization nucleation activation energy grain coarsening; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] TN304.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属诱导非晶硅横向结晶机理研究被引量：8: 2; 作者金仲和王跃林; 机构浙江大学信息与电子工程学系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1079-1082,共4页; 文摘本文主要研究金属诱导横向结晶速度与工艺条件的关系 ,探讨隐含在这些关系背后的制约因素 .研究发现金属诱导横向结晶速度在长时间退火过程中下降 ;非晶硅本身在长时间退火过程中的变化是结晶速度下降的一个原因 ,而另外一个原因是在横向结晶过程中结晶前锋需要不断从镍覆盖区补充镍元素 ,而镍在硅中的扩散速度是有限的 ,因此 ,当结晶前锋离镍覆盖区距离远时 ,这种补充过程就开始制约横向生长速度 .; 关键词金属诱导结晶多晶硅薄膜晶体管结晶机理; Keywords Annealing Crystallization Nickel Polysilicon; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响被引量：1: 3; 作者王光伟; 机构天津工程师范大学电子工程系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期107-112,共6页; 基金天津市高校科技发展基金项目(20060605); 文摘综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释。对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率。; 关键词金属诱导横向结晶电场增强金属诱导横向结晶扩散固相反应晶粒生长交流电场; Keywords metal-induced lateral crystallization （MILC） electric field aided lateral crystallization （FALC） diffusion solid phase reaction grain coarsening alternating electric field; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] TN304.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管被引量：13: 4; 作者金仲和王跃林; 机构浙江大学信息与电子工程学系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1068-1071,共4页; 文摘金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点 ,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能 .采用超薄结构后 ,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到10 -13 A/ μm以下 ;开关比提高了近 10 0倍达到 3× 10 7以上 ;场效应迁移率从普通结构晶体管的 80cm2 /Vs(NMOS)与5 1cm2 /Vs(PMOS)分别提高到 110cm2 /Vs与 6 8cm2 /Vs;阈值及亚阈摆幅也有很大改善 .文中还将金属诱导结晶与传统固相结晶所得薄膜晶体管的性能进行了比较。; 关键词金属诱导结晶多晶硅薄膜晶体管 MILC; Keywords Crystallization Leakage currents MOSFET devices Polysilicon Ultrathin films; 分类号 TN325.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响: 5; 作者朱臻; 机构华东师范大学信息科学技术学院电子工程系; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第2期43-46,共4页; 文摘研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实验上进一步确认这种效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.发现在热载流子应力下,正、反向测量模式时,氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电均随应力时间的增加而减小.但由于漏极和源极附近沟道区的表面势受热空穴注入影响的程度不同,热载流子应力下,正、反向测量模式的热产生漏电减小程度不同.理解热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响,有助于成功设计电路.; 关键词金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子应力热产生漏电耗尽区调制效应; Keywords metal-induced lateral crystallization polycrystalline silicon thin film transistors hot-carrier stress thermally generated leakage current depletion region modulation effect; 分类号 TN325.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶	王光伟张建民倪晓昌李莉	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	金属诱导非晶硅横向结晶机理研究	金仲和王跃林	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	8	在线阅读下载PDF 职称材料
3	外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响	王光伟	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管	金仲和王跃林	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	13	在线阅读下载PDF 职称材料
5	耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响	朱臻	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料