检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用被引量：5: 1; 作者王文孟志国郭海成《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第5期323-330,共8页; 低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比 ,制作工艺简单 ,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压 ,降低了漏电电流 ,改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅... 展开更多; 关键词金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管有源平板显示器有源矩阵液晶显示器有源矩阵有机发光二极管显示器; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si∶H)薄膜被引量：7: 2; 作者黄金英赵玉环 +2 位作者张志伟荆海凌志华《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期397-400,共4页; 对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。XRD测量结果表明非晶硅在500℃退火1 h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为(2... 展开更多; 关键词氢化非晶硅多晶硅金属诱导晶化金属诱导横向晶化; 在线阅读下载PDF 职称材料

镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管: 3; 作者彭尚龙胡多凯贺德衍《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期303-307,共5页; 提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性... 展开更多; 关键词镍硅化物金属诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

低温多晶硅薄膜的制备评述被引量：3: 4; 作者杨定宇蒋孟衡杨军《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期298-301,共4页; 低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以... 展开更多; 关键词低温多晶硅薄膜金属诱导横向晶化准分子激光晶化电感耦合等离子体化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路被引量：5: 5; 作者吴春亚孟志国 +6 位作者李娟马海英赵淑云刘建平熊绍珍郭海成王文《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1349-1352,共4页; 以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工... 展开更多; 关键词金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管显示驱动电路全集成显示; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用被引量：5: 1; 作者王文孟志国郭海成; 机构香港科技大学电机电子工程系; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第5期323-330,共8页; 文摘低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比 ,制作工艺简单 ,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压 ,降低了漏电电流 ,改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术 ,成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器。; 关键词金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管有源平板显示器有源矩阵液晶显示器有源矩阵有机发光二极管显示器; Keywords metal induced laterally crystallization poly Si thin film transistor flat panel displays; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学] TN873 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si∶H)薄膜被引量：7: 2; 作者黄金英赵玉环张志伟荆海凌志华; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶研究开发中心中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期397-400,共4页; 基金国家高技术研究发展计划("863"计划)资助项目(No.2002AA3250) 吉林省科技发展计划资助项目(No.20030304); 文摘对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。XRD测量结果表明非晶硅在500℃退火1 h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为(220),而且晶粒随退火时间的延长而长大。非晶硅薄膜样品500℃下退火6 h后的扫描电镜照片显示,原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化,晶粒均匀,平均晶粒大小约为0.3μm,而且已经发生横向晶化。EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明,金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化,除了少量残留在MILC多晶硅中外,其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿。500℃下退火20 h后样品的Raman测试结果也表明,金属离子向周边薄膜扩散,横向晶化了非晶硅薄膜。; 关键词氢化非晶硅多晶硅金属诱导晶化金属诱导横向晶化; Keywords hydrogenated amorphous silicon polysilicon MIC MILC; 分类号 TN27 [电子电信—物理电子学] O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管: 3; 作者彭尚龙胡多凯贺德衍; 机构兰州大学物理科学与技术学院; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期303-307,共5页; 基金国家自然科学基金青年项目(No.61106006) 中央高校基本科研业务费专项基金; 文摘提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性。测试结果显示,制备的多晶硅薄膜具有较低的金属污染和较大的晶粒尺寸,且制备的多晶硅薄膜晶体管具有良好的电学特性,可以有效地减小漏电流,同时可提高场效应载流子迁移率。这主要是由于多晶硅沟道区中镍含量的有效降低使得俘获态密度减少。; 关键词镍硅化物金属诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管; Keywords Ni silicide metal induced lateral crystallization poly-Si thin film transistors; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低温多晶硅薄膜的制备评述被引量：3: 4; 作者杨定宇蒋孟衡杨军; 机构成都信息工程学院光电技术系; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期298-301,共4页; 基金四川省应用基础研究基金资助项目(04JY029-104); 文摘低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题。因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本。本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点。接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展。; 关键词低温多晶硅薄膜金属诱导横向晶化准分子激光晶化电感耦合等离子体化学气相沉积; Keywords LTPS MILC ELA ICP-CVD; 分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路被引量：5: 5; 作者吴春亚孟志国李娟马海英赵淑云刘建平熊绍珍郭海成王文; 机构南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所香港科技大学电机电子工程系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1349-1352,共4页; 基金国家自然科学基金(No:60437030) 国家"863"平板显示专项(No:2004AA303570) 国家出国留学人员回国基金和香港RGC的资助; 文摘以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUCpoly-SiTFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品.; 关键词金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管显示驱动电路全集成显示; Keywords metal induced unilateral crystallization poly-Si TFF display driver circuit display system on panel; 分类号 TN325 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用	王文孟志国郭海成	《液晶与显示》 CAS CSCD	2002	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si∶H)薄膜	黄金英赵玉环张志伟荆海凌志华	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2005	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管	彭尚龙胡多凯贺德衍	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	低温多晶硅薄膜的制备评述	杨定宇蒋孟衡杨军	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2008	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路	吴春亚孟志国李娟马海英赵淑云刘建平熊绍珍郭海成王文	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	5	在线阅读下载PDF 职称材料