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题名太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析
被引量：2
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作者
李兴辉
白国栋
李含雁
丁明清
冯进军
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机构
北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第S1期48-51,共4页
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基金
科技部国家重大科学研究计划项目(2013BC933602)
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文摘
本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。
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关键词
太赫兹
真空电子器件
场发射阴极
金属薄膜场发射阴极
碳纳米管
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Keywords
terahertz,vacuum electronic device,field emission cathode,metal thin film field emission cathode,carbon nanotube
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分类号
TN103
[电子电信—物理电子学]
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