基于肖特基接触的碳纳米管场效应晶体管 被引量：1

1

作者 金铁凝 陈长鑫 +3 位作者 刘晓东 魏良明 王英 张亚非 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第4期201-205,219,共6页

由于具有独特的一维纳米结构、稳定的化学特性和优异的电学性能,单壁碳纳米管被认为是制作高性能电子器件以及下一代纳米电路的理想材料,作为新型基础电子元件的一种,碳纳米管场效应晶体管一直是研究的热点。研究了一种基于非对称肖特... 由于具有独特的一维纳米结构、稳定的化学特性和优异的电学性能,单壁碳纳米管被认为是制作高性能电子器件以及下一代纳米电路的理想材料,作为新型基础电子元件的一种,碳纳米管场效应晶体管一直是研究的热点。研究了一种基于非对称肖特基接触的碳纳米管场效应晶体管,金属钯与金属铝分别作为电极材料制作出的碳纳米管场效应晶体管分别表现出p型和n型的导通特性,当这两种金属分别作为源、漏电极制作在单根半导体性单壁碳纳米管的两端时,便构成了非对称肖特基接触结构碳纳米管场效应晶体管。器件表现出了优良的整流特性,整流比达到103,在栅压的调控下,正向电流的开关比接近103。 展开更多

关键词 碳纳米管 场效应晶体管 肖特基势垒 二极管 电子束光刻

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砷化镓 金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析 被引量：1

2

作者 陈贵灿 K.L.Wang +1 位作者 刘之行 邵志标 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期79-86,共8页

本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解... 本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快. 展开更多

关键词 场效应晶体管 肖特基势垒栅 砷化镓

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肖特基势垒碳纳米管场效应管建模方法

3

作者 赵晓辉 蔡理 张鹏 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第6期342-346,359,共6页

在肖特基势垒型的碳纳米管场效应管半经典模型中,通常采用WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)近似法求解透射系数,对所有经典转折点复杂的动量-位置关系进行积分,导致运算量巨大。通过研究透射系数的数值计算模型,给出了不同电压下的能带... 在肖特基势垒型的碳纳米管场效应管半经典模型中,通常采用WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)近似法求解透射系数,对所有经典转折点复杂的动量-位置关系进行积分,导致运算量巨大。通过研究透射系数的数值计算模型,给出了不同电压下的能带变化情况,分析了z轴方向动量-位置关系式,并进行线性拟合,以拟合值代替原来的积分式,简化了透射系数的求解过程。将基于该算法的模型与半经典模型进行仿真比较,发现两种模型的电压传输特性曲线相似度较高,可见模型精度较好。同时对模型的运行时间进行测试,模型的运算时间约为传统半经典算法的1/20,表明所建模型有效降低了运算量。 展开更多

关键词 碳纳米管场效应管(CNTFET) 肖特基势垒 WKB近似 透射系数 动量-位置关系

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n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究

4

作者 杜刚 刘弋波 +2 位作者 孙雷 刘晓彦 韩汝琦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期10-14,共5页

利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。

关键词 蒙特卡罗器件 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 输出特性 转移特性 源漏硅化物区深度 栅氧化层厚度

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槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管

5

作者 杨涛 刘肃 +2 位作者 李思渊 王永顺 李海蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期65-67,共3页

传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管... 传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性。使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题。给出了详细的工艺流程。 展开更多

关键词 静电感应晶体管 V形槽 等离子体增强化学气相淀积 肖特基势垒

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原位电化学法制备纳米尺寸金属肖特基势垒研究 被引量：2

6

作者 符秀丽 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第11期5-9,44,共6页

摘要:介绍了原位电化学方法在半导体表面制备纳米尺寸肖特基势垒的工艺,讨论了其制备原理和实验条件,描述了纳米尺度金属/半导体界面特性,并对这种方法制备的肖特基势垒与传统方法制备的肖特基势垒进行了比较,这种制备肖特基势垒的方法... 摘要:介绍了原位电化学方法在半导体表面制备纳米尺寸肖特基势垒的工艺,讨论了其制备原理和实验条件,描述了纳米尺度金属/半导体界面特性,并对这种方法制备的肖特基势垒与传统方法制备的肖特基势垒进行了比较,这种制备肖特基势垒的方法克服了传统制备方法的缺点,所形成的金属-半导体界面光滑无缺陷;生成的纳米尺度金属肖特基势垒可用于制备单电子晶体管、单电子存储器等纳米器件。 展开更多

关键词 纳米尺寸 肖特基势垒 原位电化学方法 脉冲电镀 纳米金属点 半导体

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单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究

7

作者 黄改燕 陈长鑫 张亚非 《微纳电子技术》 CAS 2008年第2期78-82,共5页

综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺,如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法。在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上,着重指出目前CNTFET导电沟道制备中存... 综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺,如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法。在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上,着重指出目前CNTFET导电沟道制备中存在的诸如金属性单壁碳纳米管(SWCNT)的烧除、接触电阻大、滞后现象以及p型CNTFET转化等问题,并针对这些问题提出了具体可行的解决方案。 展开更多

关键词 单壁碳纳米管 碳纳米管场效应晶体管 肖特基势垒 超声纳米焊接 原位生长

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MESFET肖特基势垒结参数提取及I-V曲线拟合

8

作者 黄云 费庆宇 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期329-332,343,共5页

运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个... 运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个结参数和得到相应结参数下的理论数据 ,与实验数据吻合良好。分析了影响肖特基势垒结 I-V曲线分布的因素 ,提出了进行器件特性、参数稳定性与可靠性研究和定量分析 展开更多

关键词 MESFET 金属肖特基势垒场效应晶体管 参数提取 曲线拟合 寄生电阻

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肖特基金属对AlGaN/GaN二极管电学特性的影响

9

作者 邱旭 吕元杰 王丽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期674-678,共5页

肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性。在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器件,基于电流电压(I-V)和电容电压(C-V)测试结果,计算得到了三者的沟道二维... 肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性。在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器件,基于电流电压(I-V)和电容电压(C-V)测试结果,计算得到了三者的沟道二维电子气(2DEG)密度。并通过薛定谔和泊松方程自洽求解计算得到了三者的肖特基接触势垒高度、导带底能带图和沟道2DEG分布情况。研究发现金属功函数越小,势垒高度反而越高,沟道2DEG密度越小,GaN侧的沟道三角形势阱变得越浅。这主要是由于金属功函数越小,电子能量越高,与AlGaN势垒层表面态的电子耦合作用越强所致。 展开更多

关键词 ALGAN GaN 肖特基势垒高度 金属功函数 二维电子气(2DEG)密度 电子耦合

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碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应 被引量：2

10

作者 夏继业 董国栋 +6 位作者 田博元 严秋平 韩杰 邱松 李清文 梁学磊 彭练矛 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1029-1035,共7页

利用不同功函数的金属作为接触电极,研究了网络状碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)的接触电阻效应。研究表明金属Pd与碳纳米管薄膜形成良好的欧姆接触,Au则形成近欧姆接触,这两种接触的器件的开态电流和迁移率较高。Ti和Al都与碳纳米管薄膜... 利用不同功函数的金属作为接触电极,研究了网络状碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)的接触电阻效应。研究表明金属Pd与碳纳米管薄膜形成良好的欧姆接触,Au则形成近欧姆接触,这两种接触的器件的开态电流和迁移率较高。Ti和Al都与碳纳米管薄膜形成肖特基接触,且Al接触比Ti接触的势垒更高,接触电阻也更大,相应器件的开态电流和迁移率都较低。该结果表明对于CNT-TFT仍然可以通过接触来调控器件的性能,这对CNT-TFT的实用化进程具有重要的促进作用。 展开更多

关键词 碳纳米管 薄膜晶体管 接触电阻 欧姆接触 肖特基势垒

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杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制

11

作者 毛淑娟 罗军 闫江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期55-59,共5页

为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用硅化诱发杂质分凝技术(SIDS)调节NiSi/n-Si肖特基二极管(NiSi/n-Si SJD)的肖特基势垒高度,系统地研究了S... 为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用硅化诱发杂质分凝技术(SIDS)调节NiSi/n-Si肖特基二极管(NiSi/n-Si SJD)的肖特基势垒高度,系统地研究了SIDS工艺条件如杂质注入剂量、注入能量和硅化物形成工艺对肖特基势垒高度调节的影响。实验结果表明,适当增加BF2杂质的注入剂量或能量均能显著提高有效电子势垒高度(φBn,eff),也即降低了有效空穴势垒高度(φBp,eff),从而减小反向偏置漏电流。同时,与传统的一步退火工艺相比,采用两步退火工艺形成NiSi也有利于提高有效电子势垒高度,减小反向漏电流。最后,提出了一种优化的调制肖特基势垒高度的SIDS工艺条件。 展开更多

关键词 肖特基势垒高度 NISI n—Si肖特基二极管 硅化诱发杂质分凝技术 镍硅化物 金属-半导体接触

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铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的形成方法 被引量：3

12

作者 杨碧梧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期18-21,共4页

本工作研究了低温固相反应形成铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的方法。介绍了用磁控溅射方法淀积金属薄膜和溅射工艺过程应注意的问题及其对肖特基势垒特性的影响。讨论了Ｈ＿２气氛中退火以形成优良肖特基势垒接触的方法与实验结果。

关键词 金属硅化物 硅接触 磁控溅射 肖特基势垒

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集成低势垒二极管的1.2 kV SiC MOSFET器件功耗

13

作者 孙佳萌 付浩 +2 位作者 魏家行 刘斯扬 孙伟锋 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第4期309-316,共8页

针对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率模块续流过程中引起的高续流损耗问题,提出集成低势垒二极管的SiC MOSFET(LBD-MOS)结构。对LBD-MOS和传统的SiC MOSFET(CON-MOS)在相同面积下的总功耗进行研究,仿真结果表明,LBD-MO... 针对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率模块续流过程中引起的高续流损耗问题,提出集成低势垒二极管的SiC MOSFET(LBD-MOS)结构。对LBD-MOS和传统的SiC MOSFET(CON-MOS)在相同面积下的总功耗进行研究,仿真结果表明,LBD-MOS的续流压降U_(F)为1.6 V,比CON-MOS降低了50%;LBD-MOS的开关损耗E_(switch)为187.3μJ,比CON-MOS降低了6%;在工作频率为10 kHz,占空比为50%的工作条件下,LBD-MOS的总功耗比CON-MOS降低了22.6%。LBD-MOS适用于续流占比高于50%、开关频率不高于1 MHz的工作条件。 展开更多

关键词 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 集成低势垒二极管 导通功耗 续流功耗 开关功耗 反向恢复功耗

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可透基区晶体管的制造和微波性能

14

作者 C.O.Bozler 梁春广 《微纳电子技术》 1980年第6期43-46,共4页

已经制出了具有极高频率性能潜力的新型晶体管。二维数值模拟计算指出,此种晶体管最高振荡频率可达1000千兆赫。此晶体管的独特之点是在 n 型砷化镓单晶内埋置极为精细的钨栅。

关键词 最高振荡频率 器件 晶体管 半导体三极管 基区 肖特基势垒 金属-半导体接触 基极 集电极电流 千兆赫 发射极

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3300V碳化硅肖特基二极管及混合功率模块研制 被引量：1

15

作者 王永维 王敬轩 +3 位作者 刘忠山 闫伟 王勇 党冀萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期190-193,214,共5页

基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外延材料厚度为35μm、n型掺杂浓度为2×1015cm-3。二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2 V下电流达到50... 基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外延材料厚度为35μm、n型掺杂浓度为2×1015cm-3。二极管芯片面积为49 mm2,正向电压2.2 V下电流达到50 A,比导通电阻13.7 mΩ·cm2;反偏条件下器件的雪崩击穿电压为4 600 V。基于这种3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管,研制出3 300 V/600 A混合功率模块,该模块包含24只3 300 V/50 A Si IGBT与12只3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管,Si C肖特基二极管为模块的续流二极管。模块的动态测试结果为:反向恢复峰值电流为33.75 A,反向恢复电荷为0.807μC,反向恢复时间为41 ns。与传统的Si基IGBT模块相比,该混合功率模块显著降低了器件开关过程中的能量损耗。 展开更多

关键词 4H-SIC 肖特基势垒二极管 混合功率模块 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 多重场限环

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用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管

16

作者 邓先灿 《微纳电子技术》 1976年第1期58-60,共3页

据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要如下:对于制备砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）所... 据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要如下:对于制备砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）所需的均匀的n型掺杂层来说,硫离子注入半绝缘砷化镓已显示出它是一种有吸引力的可与气相外延抉择的方法。开始用与资料相似的实验条件(150千电子伏。 展开更多

关键词 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 肖特基势垒 金属-半导体接触

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微波场效应晶体管的研制

17

作者 Michacl.C.Drirer 东邵 晓白 《微纳电子技术》 1975年第4期1-21,共21页

本报告叙述了能给出微波功率的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的研究结果。这个方案在3千兆赫下已达到1.2瓦的饱和功率,它是在单个的基片载体上由六个栅宽为500微米的小器件并联而成。在3千兆赫下单个器件的小信号增益高达10分贝(截止... 本报告叙述了能给出微波功率的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的研究结果。这个方案在3千兆赫下已达到1.2瓦的饱和功率,它是在单个的基片载体上由六个栅宽为500微米的小器件并联而成。在3千兆赫下单个器件的小信号增益高达10分贝(截止频率为10千兆赫)。用六个器件并联在3千兆赫下可获得5分贝的增益,输出功率达到800毫瓦。在小信号电平下相互调制分量的测量方法给出-23分贝的三级相互调制分量的结果,对于低的谐波失真来说,这是并未最佳化的器件的典型结果。为了迅速鉴定出制造场效应晶体管的外延材料的质量,采用了水银探针这种技术。从这一工作所得到的结论是欲获较大功率只能靠增大单一器件的尺寸来实现,这是因为在单一基片载体上并联比六个还多的子器件要引起放大器性能的退化。文中对宽为5000微米的自对准栅的器件制造过程作了描述。 展开更多

关键词 夹断电压 厚度 器件 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 千兆赫 外延层 输出功率 肖特基势垒 金属-半导体接触 毫瓦 载流子浓度 载流子密度 栅长 自对准工艺 击穿电压 光致抗蚀剂 光刻胶 抗腐蚀 跨导 饱和电流 小信号增益

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SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究

18

作者 崔晓英 黄云 +2 位作者 恩云飞 陈刚 柏松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期859-861,916,共4页

SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和... SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定。 展开更多

关键词 碳化硅金属肖特基场效应晶体管 肖特基结 栅退化 稳定性

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基于蒙特卡罗方法的器件弹道效应研究

19

作者 张剑伟 孙念 唐明明 《电子产品可靠性与环境试验》 2012年第B05期179-182,共4页

随着器件尺寸的日益缩小,基于迁移率的传统载流子输运模型已不能很好地适用。以肖特基势垒遂穿晶体管[SBTT]为研究对象,用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法建立了纳米尺寸器件中的载流子弹道输运模型,并得出了当沟长小于10 nm,一定沟长的源漏... 随着器件尺寸的日益缩小,基于迁移率的传统载流子输运模型已不能很好地适用。以肖特基势垒遂穿晶体管[SBTT]为研究对象,用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法建立了纳米尺寸器件中的载流子弹道输运模型,并得出了当沟长小于10 nm,一定沟长的源漏电流与源漏电压的特性曲线,以及在一定的源漏电压下,沟长与源漏电流的特性曲线。 展开更多

关键词 弹道输运 蒙特卡罗方法 散射 肖特基势垒遂穿晶体管

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究 被引量：2

20

作者 陈刚 李哲洋 +3 位作者 陈征 冯忠 陈雪兰 柏松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期241-243,共3页

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干... 在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。通过对Ni、Al、NiSi化合物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm SiC MESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。 展开更多

关键词 4H碳化硅 金属掩膜 金属-肖特基势垒FET

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