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Ag掺杂对La_(2/3)A_(1/3)MnO_3(A=Ca、Sr、Ba)材料电学性能的影响 被引量:2
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作者 刘翔 晏益志 +3 位作者 陈清明 张辉 曹明刚 张少春 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1307-1312,共6页
采用化学共沉淀法制备了La2/3A1/3MnO3:Agx(A=Ca、Sr、Ba,LAMO:Agx,x=0、0.1、0.2、0.3、0.4 mol%)多晶复合材料。XRD结果表明实验制备了纯相LAMO:Agx样品,Ag+离子A位替代致使LCaMO:Agx和LSrMO:Agx晶格常数和晶胞体积发生微小膨胀,LBaMO... 采用化学共沉淀法制备了La2/3A1/3MnO3:Agx(A=Ca、Sr、Ba,LAMO:Agx,x=0、0.1、0.2、0.3、0.4 mol%)多晶复合材料。XRD结果表明实验制备了纯相LAMO:Agx样品,Ag+离子A位替代致使LCaMO:Agx和LSrMO:Agx晶格常数和晶胞体积发生微小膨胀,LBaMO:Agx晶格常数和晶胞体积发生微小收缩;R-T测试结果表明LCaMO:Agx的电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance,TCR)数值在x=0.4、Tk=271.3 K(Tk为TCR位于最大值时对应的温度数值)时具有最大值为28%/K。SEM分析结果表明,随着Ag掺杂量增加,LCaMO晶粒尺寸增大,晶粒均匀性和规则性得以改善,晶化质量得到提高。通过Ag微观掺杂机制对LAMO复合材料的TCR数值增强进行了分析讨论。 展开更多
关键词 La2/3 A1/3 MNO3 AG掺杂 电阻温度系数 金属绝缘转变温度
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La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3∶Ag_x多晶靶材的制备及其电输运性质
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作者 曹明刚 刘翔 +5 位作者 张辉 尚杰 段云彪 兰军 张少春 张鹏翔 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期214-216,262,共4页
采用固相反应法制备了不同Ag掺杂量的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)∶Agx(x为摩尔百分比,x=0.00、0.01、0.05、0.10、0.20、0.30、0.40)多晶靶材,XRD图谱显示所制备样品均为纯相的赝立方钙钛矿结构,并且随着Ag掺杂量的增加,a轴和b轴在0≤x≤0.4... 采用固相反应法制备了不同Ag掺杂量的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)∶Agx(x为摩尔百分比,x=0.00、0.01、0.05、0.10、0.20、0.30、0.40)多晶靶材,XRD图谱显示所制备样品均为纯相的赝立方钙钛矿结构,并且随着Ag掺杂量的增加,a轴和b轴在0≤x≤0.40范围内有微小的涨落;另外R-T曲线显示,0≤x≤0.05时,金属-绝缘转变温度(Tp)开始升高很快,0.05<x≤0.40时逐渐变缓,最大值为192K,这比化学共沉淀法制备的多晶靶材(273K)低约80K,分析其原因可能是粉体粒度的不同所致。 展开更多
关键词 LCMO∶Agx 固相法 多晶靶材 金属-绝缘转变温度
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溶胶-凝胶法制备La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3:Ag_x多晶材料及其性能 被引量:2
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作者 殷学鹏 晏益志 +2 位作者 陈清明 段云彪 刘翔 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2014年第20期84-87,共4页
采用溶胶-凝胶法制备La0.67Sr0.33Mn O3∶Agx(LSMO∶Agx,x为摩尔百分比,x=0,0.04,0.08,0.10,0.20)多晶材料。通过XRD和R-T对LSMO∶Agx多晶材料的结构和性能进行分析。结果表明:在950、1050℃烧结的样品具有良好的单相结构。1050℃烧结时... 采用溶胶-凝胶法制备La0.67Sr0.33Mn O3∶Agx(LSMO∶Agx,x为摩尔百分比,x=0,0.04,0.08,0.10,0.20)多晶材料。通过XRD和R-T对LSMO∶Agx多晶材料的结构和性能进行分析。结果表明:在950、1050℃烧结的样品具有良好的单相结构。1050℃烧结时,Ag进入晶格替换A位La3+或Sr2+,使晶胞发生畸变、晶胞体积增大。Ag掺杂明显降低了样品电阻率,950℃烧结的Ag掺杂样品的电阻率降低了近两个数量级。提高烧结温度有助于改善LSMO材料的Tp和TCR。烧结温度由950℃变化到1050℃时,x=0样品的Tp增加了将近10 K,x=0.04样品的TCR从0.09%K-1上升到0.50%K-1。Ag掺杂能有效改善LSMO材料的电学性能。 展开更多
关键词 La0.67Sr0.33MnO3:Agx(LSMO:Agx) 溶胶-凝胶法 AG掺杂 金属绝缘转变温度(Tp) 电阻温度系数(TCR)
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银掺杂对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜性能的影响
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作者 曹晓凤 蒋洪川 +2 位作者 张万里 彭斌 杨仕清 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第4期222-225,共4页
用射频磁控溅射法在不同温度的Si(001)基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜与银掺杂量为1(mol)%的La0.67Ca0.33MnO3-Ag薄膜,并用四探针法测量其电阻随温度的变化关系。发现由于银以金属形式存在于LCMO薄膜晶界处,使晶界处的电传导特性得... 用射频磁控溅射法在不同温度的Si(001)基片上制备了La0.67Ca0.33MnO3薄膜与银掺杂量为1(mol)%的La0.67Ca0.33MnO3-Ag薄膜,并用四探针法测量其电阻随温度的变化关系。发现由于银以金属形式存在于LCMO薄膜晶界处,使晶界处的电传导特性得以改善,结晶温度降低至773 K以下,晶粒内双交换作用在晶界的传导加强,薄膜金属-绝缘转变温度升高到261 K,并在高温处薄膜的电阻-温度曲线有附加峰的出现。 展开更多
关键词 掺杂 射频磁控溅射 金属-绝缘转变温度 附加峰
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