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中波红外亚波长单层增透膜金属线栅偏振器件设计
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作者 王佩瑶 刘洹庚 任立勇 《应用光学》 北大核心 2025年第1期186-193,共8页
针对3μm~5μm中波红外波段,设计了一种硅(Si)基底上的金(Au)金属线栅偏振器件,提出了在Au线栅和Si基底间引入MgF_(2)介质层,以提高金属线栅的TM波透过率和偏振消光比ER。利用COMSOL仿真软件模拟优化Si基底上的Au金属线栅的相关结构参数... 针对3μm~5μm中波红外波段,设计了一种硅(Si)基底上的金(Au)金属线栅偏振器件,提出了在Au线栅和Si基底间引入MgF_(2)介质层,以提高金属线栅的TM波透过率和偏振消光比ER。利用COMSOL仿真软件模拟优化Si基底上的Au金属线栅的相关结构参数,计算结果表明,TM波平均透过率为93%、平均偏振消光比为39.3 dB。同时,还提出了采用金属钨(W)作为新的金属材料来提高线栅偏振器偏振性能的方法,仿真结果表明,TM波平均透过率为92.7%、平均偏振消光比为64.4 dB。然而,金属钨的硬度较高,对蚀刻工艺要求更高,我们期待通过工艺和技术手段的进步,制作出性能优越的中波红外金属线栅偏振器件。 展开更多
关键词 金属线栅偏振器 Si基底 金(Au)线 钨(W)线 消光比
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