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题名改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法
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作者
陈敏敏
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机构
上海华力集成电路制造有限公司
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出处
《中国集成电路》
2019年第8期48-52,共5页
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文摘
随着集成电路的深入发展,半导体器件对关键线宽(CD)的要求趋于严格,本文着眼于对金属硬质掩膜层刻蚀的研究。通过实验找到了影响硬质掩膜线宽(HM CD)、膜厚(THK)和形貌的重要参数,优化了金属硬质掩膜层刻蚀工艺。实验结果表明,O2是影响HM CD的重要因素,其中O2与HM CD呈线性关系(y=1.595x+40.51,R2=0.9997)。Bias RF是影响THK的重要因素,与THK的线性关系为:y=-10.51x+129.75,R2=0.9999。Bias RF、O2、Cl2和Temp四个参数间的交互实验表明,O2和Bias RF均不会受其他参数的影响。同时,当Bias RF提高50%时,纵向刻蚀能力得到了加强,这可以改善金属硬质掩膜层的形貌。
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关键词
集成电路制造
金属硬质掩膜层刻蚀
28纳米
关键尺寸
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Keywords
IC manufacturing
metal hard mask etch
28 nm
critical dimension(CD)
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分类号
R28
[医药卫生—中药学]
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