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金属掩膜刻蚀(MHM)微小颗粒缺陷分析及改善方案研究: 1; 作者李光磊《集成电路应用》 2023年第1期44-46,共3页; 阐述平台产品(HKB)量产过程中产生的所有微小颗粒缺陷发生的晶圆正十字方向位置,金属掩膜刻蚀(MHM)微小颗粒缺陷的形成机理,探讨缺陷成因和解决方案。; 关键词集成电路制造金属掩膜刻蚀微小颗粒缺陷 Tiny PA mhm; 在线阅读下载PDF 职称材料

改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法: 2; 作者陈敏敏《中国集成电路》 2019年第8期48-52,共5页; 随着集成电路的深入发展,半导体器件对关键线宽(CD)的要求趋于严格,本文着眼于对金属硬质掩膜层刻蚀的研究。通过实验找到了影响硬质掩膜线宽(HM CD)、膜厚(THK)和形貌的重要参数,优化了金属硬质掩膜层刻蚀工艺。实验结果表明,O2是影响H... 展开更多; 关键词集成电路制造金属硬质掩膜层刻蚀 28纳米关键尺寸; 在线阅读下载PDF 职称材料

55 nm金属沟槽通孔一体化刻蚀关键尺寸偏差与图形相关性研究被引量：1: 3; 作者聂钰节江旻昂开渠《集成电路应用》 2018年第6期26-28,共3页; 随着超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸不断缩小,在后段铜互联工艺中,为降低接触电阻(RC)延迟的影响,后段集成普遍采用低介电常数材料的双大马士革互连工艺。其中金属硬质掩模一体化刻蚀工艺是迄今为止最为先进的工艺,即能解决传统工艺... 展开更多; 关键词集成电路制造金属硬质掩膜一体化刻蚀关键尺寸偏差透光率沟槽长度; 在线阅读下载PDF 职称材料

蚀刻设备的现状与发展趋势被引量：2: 4; 作者童志义《电子工业专用设备》 2008年第6期3-9,共7页; 概述了蚀刻技术与设备的现状,针对32nm技术节点器件制程对蚀刻设备在双重图形蚀刻、高k/金属栅材料、金属硬掩膜及进入后摩尔时代三维封装的通孔硅技术(TSV)方面挑战,介绍了蚀刻设备的发展趋势。; 关键词蚀刻设备 32nm节点双重图形蚀刻高k/金属栅材料金属硬掩膜通孔硅技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展被引量：1: 5; 作者吴元伟韩传余 +1 位作者赵玲利王守国《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第11期733-738,共6页; 介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低k材料进... 展开更多; 关键词等离子体去胶多孔超低k介质空气隙等离子体损伤损伤修复金属硬掩膜(mhm); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属掩膜刻蚀(MHM)微小颗粒缺陷分析及改善方案研究: 1; 作者李光磊; 机构上海华力集成电路制造有限公司; 出处《集成电路应用》 2023年第1期44-46,共3页; 文摘阐述平台产品(HKB)量产过程中产生的所有微小颗粒缺陷发生的晶圆正十字方向位置,金属掩膜刻蚀(MHM)微小颗粒缺陷的形成机理,探讨缺陷成因和解决方案。; 关键词集成电路制造金属掩膜刻蚀微小颗粒缺陷 Tiny PA mhm; Keywords IC manufacturing metal mask etching micro-particle defect Tiny PA mhm; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法: 2; 作者陈敏敏; 机构上海华力集成电路制造有限公司; 出处《中国集成电路》 2019年第8期48-52,共5页; 文摘随着集成电路的深入发展,半导体器件对关键线宽(CD)的要求趋于严格,本文着眼于对金属硬质掩膜层刻蚀的研究。通过实验找到了影响硬质掩膜线宽(HM CD)、膜厚(THK)和形貌的重要参数,优化了金属硬质掩膜层刻蚀工艺。实验结果表明,O2是影响HM CD的重要因素,其中O2与HM CD呈线性关系(y=1.595x+40.51,R2=0.9997)。Bias RF是影响THK的重要因素,与THK的线性关系为:y=-10.51x+129.75,R2=0.9999。Bias RF、O2、Cl2和Temp四个参数间的交互实验表明,O2和Bias RF均不会受其他参数的影响。同时,当Bias RF提高50%时,纵向刻蚀能力得到了加强,这可以改善金属硬质掩膜层的形貌。; 关键词集成电路制造金属硬质掩膜层刻蚀 28纳米关键尺寸; Keywords IC manufacturing metal hard mask etch 28 nm critical dimension(CD); 分类号 R28 [医药卫生—中药学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名55 nm金属沟槽通孔一体化刻蚀关键尺寸偏差与图形相关性研究被引量：1: 3; 作者聂钰节江旻昂开渠; 机构上海华力微电子有限公司; 出处《集成电路应用》 2018年第6期26-28,共3页; 基金上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150204); 文摘随着超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸不断缩小,在后段铜互联工艺中,为降低接触电阻(RC)延迟的影响,后段集成普遍采用低介电常数材料的双大马士革互连工艺。其中金属硬质掩模一体化刻蚀工艺是迄今为止最为先进的工艺,即能解决传统工艺中所固有的低介电层顶部圆滑化,沟槽间的低介电层厚度变薄,又能解决侧壁角度变小等问题。但是金属阻挡层的引入以及金属沟槽和通孔同时刻蚀的进行,使得产生的聚合物更加复杂,金属互联沟槽关键尺寸受到影响更大。通过收集量产数据,对量产品的关键尺寸偏差和产品图形属性相关性进行分析,得到了刻蚀后关键尺寸和沟槽长度正相关性的创新性结论,可以帮助我们有效地预判新产品的关键尺寸大小,从而提前做出对应调整。; 关键词集成电路制造金属硬质掩膜一体化刻蚀关键尺寸偏差透光率沟槽长度; Keywords IC manufacturing metal hard mask AIO ETCH critical dimension bias transmission ratio trench perimeter; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蚀刻设备的现状与发展趋势被引量：2: 4; 作者童志义; 机构中国电子科技集团公司第四十五研究所; 出处《电子工业专用设备》 2008年第6期3-9,共7页; 文摘概述了蚀刻技术与设备的现状,针对32nm技术节点器件制程对蚀刻设备在双重图形蚀刻、高k/金属栅材料、金属硬掩膜及进入后摩尔时代三维封装的通孔硅技术(TSV)方面挑战,介绍了蚀刻设备的发展趋势。; 关键词蚀刻设备 32nm节点双重图形蚀刻高k/金属栅材料金属硬掩膜通孔硅技术; Keywords Etch Equipment 32 nm Technology Node Dual Pattern Etching High k/Metal Gate Material Metal Hard Mask TSV; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展被引量：1: 5; 作者吴元伟韩传余赵玲利王守国; 机构中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第11期733-738,共6页; 基金国家科技02重大专项基金资助项目(2009ZX0203008); 文摘介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低k材料进行硅化处理的工艺,可以部分修复在刻蚀和去胶处理过程中被消耗掉的有机官能团。基于金属硬掩膜层和新型等离子体化学的集成方案将会展示出颇具前景的结果。; 关键词等离子体去胶多孔超低k介质空气隙等离子体损伤损伤修复金属硬掩膜(mhm); Keywords plasma stripping porous ultralow-k dielectric air gap plasma damage damage restoration metal hard mask（mhm）; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	金属掩膜刻蚀(MHM)微小颗粒缺陷分析及改善方案研究	李光磊	《集成电路应用》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法	陈敏敏	《中国集成电路》	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	55 nm金属沟槽通孔一体化刻蚀关键尺寸偏差与图形相关性研究	聂钰节江旻昂开渠	《集成电路应用》	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	蚀刻设备的现状与发展趋势	童志义	《电子工业专用设备》	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展	吴元伟韩传余赵玲利王守国	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料