MESFET肖特基势垒结参数提取及I-V曲线拟合

1

作者 黄云 费庆宇 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期329-332,343,共5页

运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个... 运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个结参数和得到相应结参数下的理论数据 ,与实验数据吻合良好。分析了影响肖特基势垒结 I-V曲线分布的因素 ,提出了进行器件特性、参数稳定性与可靠性研究和定量分析 展开更多

关键词 MESFET 金属肖特基势垒场效应晶体管 参数提取 曲线拟合 寄生电阻

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用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管

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作者 邓先灿 《微纳电子技术》 1976年第1期58-60,共3页

据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要如下:对于制备砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）所... 据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要如下:对于制备砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）所需的均匀的n型掺杂层来说,硫离子注入半绝缘砷化镓已显示出它是一种有吸引力的可与气相外延抉择的方法。开始用与资料相似的实验条件(150千电子伏。 展开更多

关键词 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 肖特基势垒 金属-半导体接触

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微波场效应晶体管的研制

3

作者 Michacl.C.Drirer 东邵 晓白 《微纳电子技术》 1975年第4期1-21,共21页

本报告叙述了能给出微波功率的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的研究结果。这个方案在3千兆赫下已达到1.2瓦的饱和功率,它是在单个的基片载体上由六个栅宽为500微米的小器件并联而成。在3千兆赫下单个器件的小信号增益高达10分贝(截止... 本报告叙述了能给出微波功率的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的研究结果。这个方案在3千兆赫下已达到1.2瓦的饱和功率,它是在单个的基片载体上由六个栅宽为500微米的小器件并联而成。在3千兆赫下单个器件的小信号增益高达10分贝(截止频率为10千兆赫)。用六个器件并联在3千兆赫下可获得5分贝的增益,输出功率达到800毫瓦。在小信号电平下相互调制分量的测量方法给出-23分贝的三级相互调制分量的结果,对于低的谐波失真来说,这是并未最佳化的器件的典型结果。为了迅速鉴定出制造场效应晶体管的外延材料的质量,采用了水银探针这种技术。从这一工作所得到的结论是欲获较大功率只能靠增大单一器件的尺寸来实现,这是因为在单一基片载体上并联比六个还多的子器件要引起放大器性能的退化。文中对宽为5000微米的自对准栅的器件制造过程作了描述。 展开更多

关键词 夹断电压 厚度 器件 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 千兆赫 外延层 输出功率 肖特基势垒 金属-半导体接触 毫瓦 载流子浓度 载流子密度 栅长 自对准工艺 击穿电压 光致抗蚀剂 光刻胶 抗腐蚀 跨导 饱和电流 小信号增益

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SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性

4

作者 张林 杨小艳 +3 位作者 高攀 张赞 胡笑钏 高恬溪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期115-118,共4页

对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理,分析了影响传感器灵敏度的因素,SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响,而SiC MOSFET温度传感器的灵... 对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理,分析了影响传感器灵敏度的因素,SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度主要受栅氧化层厚度等因素的影响。仿真结果表明,SiC MOSFET温度传感器的灵敏度随偏置电流下降或者栅氧化层厚度增加而上升。实测结果表明,两种传感器的最高工作温度均超过400℃,其中SiC SBD温度传感器在较宽的温度范围实现了更好的线性度,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度更高。研究结果表明,SiC MOSFET作为高温温度传感器具有灵敏度高和设计灵活度高等方面的显著优势。 展开更多

关键词 碳化硅 温度传感器 肖特基势垒二极管(SBD) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 高温

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等平面化SiC MESFET的研制 被引量：2

5

作者 杨霏 陈昊 +8 位作者 潘宏菽 默江辉 商庆杰 李亮 闫锐 冯震 杨克武 蔡树军 姚素英 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期440-443,483,共5页

在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功... 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。 展开更多

关键词 碳化硅(SIC) 金属消特基势垒场效应晶体管 高增益 功率附加效率 大功率 等平面化 侧壁钝化

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S波段脉冲大功率SiC MESFET 被引量：6

6

作者 杨霏 潘宏菽 +3 位作者 霍玉柱 商庆杰 默江辉 闫锐 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第1期12-14,20,共4页

采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功... 采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。 展开更多

关键词 碳化硅 金属-肖特基势垒场效应晶体管(MESFET) S波段 脉冲 大功率

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功率GaAs MESFET小信号等效电路模型的参数求解

7

作者 吴龙胜 刘佑宝 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期462-466,共5页

采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以场效应晶体管在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热场效应晶体管状... 采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以场效应晶体管在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热场效应晶体管状态的本征元件值 .该方法具有收敛快 ,精度高和效率高的优点 ,便于移植到微波器件计算机辅助设计和模拟软件中 . 展开更多

关键词 砷化镓 等效电路 金属肖特基势垒场效应晶体管 模型参数

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计算GaAs MESFET器件源电阻的新方法

8

作者 顾聪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期387-393,414,共8页

采用一种直接估算微波 Ga As MESFET源电阻 Rs的方法。理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的 ,由此推导出 Rs相关的解析表达式。可在任何测量频率下采用解析方法计算出高精度的 Rs。把 Rg、Rd 与 Rs的比率以及 Ld、Lg ... 采用一种直接估算微波 Ga As MESFET源电阻 Rs的方法。理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的 ,由此推导出 Rs相关的解析表达式。可在任何测量频率下采用解析方法计算出高精度的 Rs。把 Rg、Rd 与 Rs的比率以及 Ld、Lg 与 Ls 的比率作为优化参数 ,计算等效电路中的元件值相当快 ,且不依赖于初始值。等效电路与测量的 S参数拟合得相当好 。 展开更多

关键词 砷化镓 金属-肖特基势垒场效应晶体管 源电阻 信号模型

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新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望 被引量：3

9

作者 刁华彬 杨凯 +1 位作者 赵超 罗军 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第11期875-887,901,共14页

Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga... Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga2O3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga2O3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。总结回顾了β-Ga2O3SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga2O3功率器件存在的问题。分析表明,β-Ga2O3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力。 展开更多

关键词 β-Ga2O3 超宽禁带半导体 功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)

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Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势 被引量：8

10

作者 孙学耕 张智群 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期241-249,284,共10页

氧化镓（Ga2O3）超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研... 氧化镓（Ga2O3）超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研发现状。详细介绍了目前Ga2O3肖特基势垒二极管（SBD）、Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）以及新型Ga2O3功率器件的最新研究成果。归纳出提高Ga2O3单晶和外延材料质量、优化Ga2O3功率器件结构和制造工艺是Ga2O3功率器件未来的主要发展趋势,高功率、高效率、高可靠性和低成本是Ga2O3功率器件未来的主要发展目标。最后总结了我国与美国、日本在Ga2O3功率半导体领域的技术发展差距,以及对未来我国在Ga2O3功率半导体技术方面的发展提出了建议。 展开更多

关键词 GA2O3 超宽禁带半导体 功率器件 Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD) Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

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砷化镓衬底与MESFET中深能级研究

11

作者 郭小兵 周智慧 +1 位作者 胡恺生 张绵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期229-233,共5页

用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系 。

关键词 砷化镓 衬底 金属-肖特基势垒 场效应晶体管 深能级

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不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究

12

作者 刘汝萍 夏冠群 +2 位作者 赵建龙 吴剑萍 詹琰 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期394-399,共6页

分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET

关键词 金属-肖特基势垒场效应晶体管 阈值电压 砷化镓

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SiC功率器件研究与应用进展 被引量：3

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作者 王绛梅 王永维 《电子工业专用设备》 2017年第6期1-5,38,共6页

综述了SiC材料、SiC二极管(SBD、JBS等)、SiC结型场效应晶体管(JFET)、SiC金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的研究进展,以及SiC功率器件商品化应用情况。

关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 金属-氧化物半导体场效应晶体管

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