无电金属沉积法硅纳米线阵列的制备研究 被引量：6

1

作者 吴军 杨文彬 +2 位作者 何方方 周元林 董发勤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期369-372,共4页

采用无电金属沉积法在硅衬底上制备出了大面积规整的硅纳米线阵列,并对其形貌控制的影响因素和形成机理进行了研究。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对硅纳米线阵列和相应银枝晶的形貌和结构进行了表征。结果表明,硅纳米线阵... 采用无电金属沉积法在硅衬底上制备出了大面积规整的硅纳米线阵列,并对其形貌控制的影响因素和形成机理进行了研究。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对硅纳米线阵列和相应银枝晶的形貌和结构进行了表征。结果表明,硅纳米线阵列的形貌受水热体系中溶液配比、温度和时间的影响,在温度为50℃、HF和AgNO3浓度分别为4.6和0.02mol/L的条件下,容易得到大面积排列规整的硅纳米线阵列,并且硅纳米线的长度为30～50μm,直径为200nm左右。无电金属沉积法为硅纳米线及其阵列的制备提供了一种设备简单、条件温和的制备方法。 展开更多

关键词 硅纳米线阵列 银枝晶 无电金属沉积法 制备

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有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究

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作者 陈记安 刘克岳 +1 位作者 李贤春 赵振香 《红外与激光技术》 CSCD 1995年第6期23-30,共8页

本文采用有机金属沉积（ＭＯＣＶＤ）法在ＣａＡｓ衬底上率先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层、ｘ≈０．２、ｘ≈０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜的工艺条件，并给出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀... 本文采用有机金属沉积（ＭＯＣＶＤ）法在ＣａＡｓ衬底上率先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层、ｘ≈０．２、ｘ≈０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜的工艺条件，并给出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性、厚度、表面形貌、结构和电性能。 展开更多

关键词 有机金属沉积法 HGCDTE 双色晶膜 红外探测器

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常压下用金属有机化学气相沉积法在HP40钢表面制备纳米氧化铝薄膜及表征 被引量：3

3

作者 黄志荣 李攀瑜 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期58-60,64,共4页

常压下用金属有机化学气相沉积法(MOCVD),以仲丁醇铝(ATSB)为前驱体、氮气为载气在HP40钢表面制备了纳米氧化铝薄膜;用光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜等研究了沉积温度等参数对氧化铝薄膜沉积速率的影... 常压下用金属有机化学气相沉积法(MOCVD),以仲丁醇铝(ATSB)为前驱体、氮气为载气在HP40钢表面制备了纳米氧化铝薄膜;用光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜等研究了沉积温度等参数对氧化铝薄膜沉积速率的影响,并对其形貌进行了观察。结果表明:随着沉积温度从503K升高到713K,薄膜沉积速率从0.1mg·cm^(-2)·h^(-1)增加到0.82mg·cm^(-2)·h^(-1);当沉积温度在593～653K范围内,可获得晶粒尺寸为10～15nm的纳米氧化铝薄膜;反应的表观活化能随氮气与ATSB蒸气混合气流速增加而降低,不同的混合气流速有不同的反应级数,ATSB的反应级为0.7±0.02。 展开更多

关键词 金属有机化学气相沉积法 氧化铝 沉积速率 纳米薄膜

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金属有机沉积法制备YBCO薄膜的研究进展

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作者 李太广 黄大兴 +4 位作者 商红静 谢波玮 邹琪 古宏伟 丁发柱 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期24-34,共11页

钇钡铜氧(YBCO)涂层导体因具有高临界转变温度(Tc)、高临界电流密度(J_(c))和高不可逆场(H_(irr))而成为最有应用前途的超导材料。但是,高昂的生产成本限制了YBCO带材的大规模应用。YBCO带材是在薄金属基带上通过外延生长的方法获得并... 钇钡铜氧(YBCO)涂层导体因具有高临界转变温度(Tc)、高临界电流密度(J_(c))和高不可逆场(H_(irr))而成为最有应用前途的超导材料。但是,高昂的生产成本限制了YBCO带材的大规模应用。YBCO带材是在薄金属基带上通过外延生长的方法获得并具有良好结晶度和机械强度的超导涂层,而不是采用粉末套管法。金属有机沉积技术(MOD)是一种有效的超导层制备方法,与其他方法相比,它具有不需真空设备、可精确调节薄膜组分以及可实现批量生产等优点。因此,MOD在YBCO带材的生产中具有广阔的应用前景。传统MOD是以金属三氟乙酸盐(TFA)为原料,在热解过程中,TFA前驱体薄膜的热分解导致薄膜厚度急剧减小,薄膜内应力增加。为了避免薄膜龟裂,原始的热解时间需要10~20 h,漫长的热解时间不符合带材的低成本制备要求。因此,研究人员不断改进MOD工艺,在确保YBCO薄膜超导性能的同时大幅缩短了热处理时间。随着研究人员对MOD工艺的不断改善,MOD工艺经历了从传统三氟乙酸盐-金属有机沉积法(TFA-MOD)到低氟三氟乙酸盐-金属有机沉积法(LF-MOD),再到无氟-金属有机沉积法(FF-MOD)的发展变化。目前,通过调节FF-MOD结晶过程的温度和氧分压,YBCO薄膜的外延生长速率已经达到100 nm/s。此外,近年来通过缩小第二相纳米颗粒尺寸来提高YBCO薄膜磁通钉扎性能的研究取得了长足进展。研究人员通过两步加热工艺和制备纳米颗粒的胶体溶液,成功将第二相纳米颗粒的尺寸减小到10~15 nm,Jc(77 K,1 T)从0.1 MA/cm^(2)增大到0.45 MA/cm^(2)。本文按照金属有机沉积法制备YBCO薄膜的发展路径综述了TFA-MOD、LF-MOD和FF-MOD的研究进展,并在此基础上对近年来化学溶液法制备长带和提高YBCO薄膜磁通钉扎性能的主要研究进行了综述和展望。 展开更多

关键词 钇钡铜氧 金属有机沉积法 带材 磁通钉扎 第二相纳米颗粒细化

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MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长 被引量：5

5

作者 刘博阳 杜国同 +5 位作者 杨小天 赵佰军 张源涛 高锦岳 刘大力 杨树人 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期99-102,共4页

介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射 (XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究。X射线衍射... 介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射 (XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究。X射线衍射谱图显示仅在2θ =34.72°处有一个很陡峭的ZnO (0 0 2 )晶面衍射峰 ,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致。此衍射峰的半高宽为 0 .2 82° ,显示出较好的晶体质量。在室温光致发光谱中 ,薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过 10∶1。 展开更多

关键词 氧化锌 金属有机化学气相沉积法 单晶薄膜 薄膜生长 X射线衍射分析 光致发光光谱

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基于MOCVD法制备的NiO薄膜结构与光学特性 被引量：3

6

作者 赵洋 赵龙 +3 位作者 王辉 汤正新 王瑾 史志峰 《河南科技大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2011年第3期9-11,108,共3页

用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品的结构和光学特性进行测试。X光电子能谱测试结果表明:薄膜中Ni元素以二价态存在,Ni与O比值接近1∶1,表... 用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品的结构和光学特性进行测试。X光电子能谱测试结果表明:薄膜中Ni元素以二价态存在,Ni与O比值接近1∶1,表明制备的样品为NiO薄膜;电子显微镜和X射线衍射分析显示NiO薄膜呈现多晶态;紫外-可见分光光度计测试结果显示:NiO薄膜具有高透过率,400 nm附近最高透过率为96%,通过线性外推法作图得到NiO薄膜的禁带宽度在3.7 eV左右。 展开更多

关键词 NiO薄膜 金属有机化学气相沉积法 透射率

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纳米TiO_2的修饰改性 被引量：9

7

作者 李大成 周大利 +4 位作者 任成军 刘恒 张萍 张云 龚家竹 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第12期52-55,72,共5页

详细介绍了用贵金属沉积、有机染料敏化、过渡离子掺杂、半导体耦合等方法对纳米TiO_2进行修饰改性的研究现状,展望了纳米TiO_2的光催化应用前景,指出了存在的问题和今后的研制方向。

关键词 纳米TIO2 修饰改性 光催化能力 贵金属沉积法 有机染料敏化法 过渡离子掺杂法 半导体耦合法

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水热条件下碳纳米管/硫氧镁化合物纳米复合材料的制备和表征 被引量：5

8

作者 吴小利 岳涛 +2 位作者 陆荣荣 朱德彰 朱志远 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第4期546-550,共5页

Carbon nanotubes / magnesium oxysulfates (MOS) nanocomposite was prepared under different hydrothermal conditions. The samples were characterized by SEM, TEM, XRD and TG. The results showed that carbon nanotubes and t... Carbon nanotubes / magnesium oxysulfates (MOS) nanocomposite was prepared under different hydrothermal conditions. The samples were characterized by SEM, TEM, XRD and TG. The results showed that carbon nanotubes and the magnesium oxysulfates could form nanocomposite under the hydrothermal reaction and the morphology of the MOS compound coated on the carbon nanotubes varied with different reaction conditions. 展开更多

关键词 水热反应 碳纳米管 硫氧镁化合物 复合材料 制备方法 金属沉积法

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胶体金的制备及其在手印显现中的应用 被引量：2

9

作者 陈顺昌 杨瑞琴 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第24期9-12,共4页

采用柠檬酸钠-鞣酸还原法制备出胶体金,并用紫外可见分光光谱对胶体金粒径及形态进行了评价,结合Zeta电位分析了胶体金的稳定性,利用多重金属沉积法对玻璃表面新鲜的汗潜、油潜手印进行了显现。结果表明,合成的胶体金粒径为10～35nm,且... 采用柠檬酸钠-鞣酸还原法制备出胶体金,并用紫外可见分光光谱对胶体金粒径及形态进行了评价,结合Zeta电位分析了胶体金的稳定性,利用多重金属沉积法对玻璃表面新鲜的汗潜、油潜手印进行了显现。结果表明,合成的胶体金粒径为10～35nm,且胶体金颗粒形态均一,稳定性强。多重金属沉积法具有选择性吸附强、背景污染小等特点,其显现效果与粉末法相当,甚至优于粉末法。 展开更多

关键词 胶体金 多重金属沉积法 紫外可见光谱 手印显现

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退火对Ga_2O_3薄膜特性的影响 被引量：11

10

作者 马征征 董鑫 +2 位作者 庄仕伟 许恒 胡大强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期606-610,共5页

采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga_2O_3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,研究了各类退火工艺对Ga_2O_3薄膜特性的影响,对退火所得的薄膜进行了X射线衍射、光致发光谱、紫外透射... 采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga_2O_3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,研究了各类退火工艺对Ga_2O_3薄膜特性的影响,对退火所得的薄膜进行了X射线衍射、光致发光谱、紫外透射谱和原子力显微镜扫描的研究。结果表明,各类退火工艺均能够优化薄膜的晶体质量和表面形貌,同时有效改善了薄膜的光学性质。其中,氧气退火后的样品在可见光波段透射率高达83%,且吸收边更加陡峭;表面粗糙度降至0.564 nm,其表面更为平整。这些结果说明氧气退火对晶体质量的提高最为显著。氮气、真空退火的样品在光致发光谱中出现365 nm的发光峰,这是大量氧空位的存在导致的。 展开更多

关键词 氧化镓 退火 蓝宝石衬底 金属有机物化学气相沉积法

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GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱红外探测器光谱特性研究 被引量：3

11

作者 胡小英 刘卫国 +2 位作者 段存丽 蔡长龙 关晓 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第8期2305-2308,共4页

采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77... 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43μm,8.32μm,与根据薛定谔方程得到器件理论峰值波长8.5μm间误差分别为1.0%,2.1%。实验结果说明MOCVD技术可以满足QWIP生长制备工艺要求,且器件电极压焊点位置与面积大小对器件峰值波长影响不大,而对峰值电流有一定影响。 展开更多

关键词 GA As/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器 金属有机物化学气相沉积法 光谱特性

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ZnO基紫外探测器的制作与研究 被引量：7

12

作者 杨晓天 刘博阳 +7 位作者 马艳 赵佰军 张源涛 杨天鹏 杨洪军 李万程 刘大力 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期156-158,共3页

利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-... 利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。 展开更多

关键词 等离子体辅助金属有机化学气相沉积法 氧化锌薄膜 紫外探测器 半导体材料 禁带宽度

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纳米ZnO生长及性质分析 被引量：3

13

作者 刘少波 顾书林 +6 位作者 刘伟 张丹羽 刘雪冬 朱顺明 丁维平 张荣 郑有炓 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期527-531,共5页

利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光... 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在表面含有ZnO颗粒作为催化剂的Si(111)衬底上制备了ZnO纳米柱阵列。采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱分析了样品的晶体结构质量、表面性质和光学性质。结果表明,生长出来的纳米ZnO具有较好的c轴择优取向性。发现氧分压对ZnO纳米柱的生长有重要影响:当氧分压较低时,生长基于VLS机制;当氧分压较高时,生长基于VS机制;通过对N2O流量的控制可实现对ZnO纳米材料的可控生长。 展开更多

关键词 ZnO纳米柱 气-液-固/气-固生长机制 低压金属有机化学气相沉积法

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AlGaN MSM结构日盲型紫外探测器 被引量：1

14

作者 杨莲红 张保花 +1 位作者 王俊珺 魏伟 《现代电子技术》 2014年第20期120-122,126,共4页

采用低压-金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在（0001）方向的AlN/蓝宝石模板上生长得到Al组分为40%的AlGaN材料，设计并制作了MSM型AlGaN 日盲紫外探测器。通过HRXRD，SEM，AFM对AlGaN材料进行了表征，结果表明：该材料为六方相结构，... 采用低压-金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在（0001）方向的AlN/蓝宝石模板上生长得到Al组分为40%的AlGaN材料，设计并制作了MSM型AlGaN 日盲紫外探测器。通过HRXRD，SEM，AFM对AlGaN材料进行了表征，结果表明：该材料为六方相结构，且应变程度很小，粗糙度（RMS）为1.32 nm。通过测试器件在230～320 nm之间、在不同偏压下的光谱响应曲线，发现器件的截止波长在285 nm附近，截止边很陡峭；器件的峰值响应波长为275 nm；在7 V偏压下，器件峰值响应度达到最大2.8 mA/W；零偏压下，器件的暗电流1×^10-13A，器件的暗电流很小。 展开更多

关键词 日盲型 紫外探测器 金属有机化学气相沉积法 光谱响应

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AlN/蓝宝石衬底上AlGaN-UV-LEDs光学性能改善研究

15

作者 王美玉 章国安 +3 位作者 张振娟 施敏 朱晓军 朱友华 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2014年第12期50-52,共3页

通过有机金属化学气相沉积法在AlN/蓝宝石衬底上生长AlGaN基多量子阱结构的发光二极管(LEDs),其对应的发光峰值波长为264nm(UV-C区)。通过在活性区域和p型外延层之间插入1nm厚的本征AlN层(起到电子挡层的作用),可以清楚地观测到有效抑... 通过有机金属化学气相沉积法在AlN/蓝宝石衬底上生长AlGaN基多量子阱结构的发光二极管(LEDs),其对应的发光峰值波长为264nm(UV-C区)。通过在活性区域和p型外延层之间插入1nm厚的本征AlN层(起到电子挡层的作用),可以清楚地观测到有效抑制位于320nm附件的寄生发光峰,推测这是电子溢出或Mg扩散所致。此外,发现了通过改变外延层的结构可以使LEDs的输出功率增长20倍以上。 展开更多

关键词 AlGaN基深紫外发光二极管 AlN衬底 有机金属化学气相沉积法 电子挡层 出光功率

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1 nm i-AlN电子阻挡层对AlGaN-UV-LED性能的影响

16

作者 朱友华 王美玉 +1 位作者 黄静 施敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期743-746,共4页

采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光... 采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光谱得出:在器件活性区域和p型AlGaN盖层之间插入1 nm i-AlN电子阻挡层的样品其位于320 nm处的寄生发光峰能被有效抑制,该杂质峰主要是由于电子溢出至p型盖层,与处于Mg相关的受主深能级上的空穴复合所致。此外,验证了该电子阻挡层对发光特性具有一定的改善效果。通过优化UV-LED结构以及合理设定外延层的厚度参数,可以使其出光功率提高一个量级。 展开更多

关键词 氮化铝/蓝宝石衬底 有机金属化学气相沉积法(MOCVD) 深紫外发光二极管 电子阻挡层 光学与电学特性

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MOCVD生长的GaN基LED的应力分析(英文)

17

作者 张恒 曲爽 +2 位作者 王成新 胡小波 徐现刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3811-3815,共5页

使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性。结果表明通过减薄外延层的厚度和... 使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性。结果表明通过减薄外延层的厚度和降低n型层的生长速率,弯曲度、翘曲度及应力均得到有效的降低。与此同时,外延片的波长均匀性得到了进一步的提高。 展开更多

关键词 氮化镓 金属有机化学气相沉积法 翘曲度

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