期刊文献+
共找到354篇文章
< 1 2 18 >
每页显示 20 50 100
稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管研究进展
1
作者 黄湘兰 彭俊彪 《发光学报》 北大核心 2025年第3期436-451,共16页
金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistors,MOTFTs)因其具有较高的载流子迁移率和较好的电学稳定性,在大尺寸发光显示驱动背板应用方面极具潜力。此外,MOTFTs与非晶硅薄膜晶体管的制备工艺兼容,制造成本较低,具有较大市... 金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistors,MOTFTs)因其具有较高的载流子迁移率和较好的电学稳定性,在大尺寸发光显示驱动背板应用方面极具潜力。此外,MOTFTs与非晶硅薄膜晶体管的制备工艺兼容,制造成本较低,具有较大市场竞争优势。然而,衡量MOTFTs性能的两个关键指标——迁移率和稳定性之间的矛盾限制了其高端显示应用。因此,开发高迁移率兼具高稳定性的MOTFTs成为研究热点和产业竞争焦点。大量研究表明,稀土掺杂氧化物有源半导体材料体系有望实现这一目标。本文重点综述兼具高迁移率和高稳定性的稀土掺杂氧化物材料设计及MOTFTs已达到的性能,探讨稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管(RE-MOTFTs)面临的挑战和发展潜力。 展开更多
关键词 金属氧化物薄膜晶体管 稀土元素 迁移率 稳定性
在线阅读 下载PDF
激光对固态电解质金属氧化物薄膜晶体管性能的影响 被引量:1
2
作者 杨倩 杜世远 边锐 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第11期1103-1109,共7页
基于固态电解质的金属氧化物薄膜晶体管具有良好的环境稳定性和优异的电学性能,因而具有巨大的应用潜力。针对传统基于固态电解质金属氧化物薄膜晶体管调控方式工艺复杂、制备时间长的问题,本文采用高k固态电解质Ta2O5作为栅绝缘层,透... 基于固态电解质的金属氧化物薄膜晶体管具有良好的环境稳定性和优异的电学性能,因而具有巨大的应用潜力。针对传统基于固态电解质金属氧化物薄膜晶体管调控方式工艺复杂、制备时间长的问题,本文采用高k固态电解质Ta2O5作为栅绝缘层,透明氧化铟锡(ITO)作为有源层以及源漏电极,在沉积半导体层和电极之前,利用飞秒激光对Ta2O5绝缘层薄膜进行照射处理。探究了不同激光强度对固态电解质金属氧化物晶体管电学性能的影响。随着激光强度的提高,晶体管的开态电流提高,阈值电压负向漂移。同时,本文进一步探索了激光对固态电解质晶体管突触性能的影响,兴奋性后突触电流(EPSC)随着激光强度的增强而增加。XPS测试表明,Ta2O5薄膜中氧空位含量增多,从而导致器件电导的变化。本文利用激光优异的加工处理速度和对材料性能的精确控制,提出了一种简单、快速(<1 s)、低温(<45℃)地调控晶体管性能的方式。 展开更多
关键词 固态电解质 金属氧化物薄膜晶体管 激光
在线阅读 下载PDF
金属氧化物薄膜晶体管及其在新型显示中的应用 被引量:12
3
作者 曹镛 陶洪 +4 位作者 邹建华 徐苗 兰林锋 王磊 彭俊彪 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1-11,共11页
为适应高分辨率、大尺寸的液晶(LCD)和有源有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,开发了一种新型的基于金属氧化物有源半导体材料的薄膜晶体管(MOTFT)驱动面板.文中阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响M... 为适应高分辨率、大尺寸的液晶(LCD)和有源有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,开发了一种新型的基于金属氧化物有源半导体材料的薄膜晶体管(MOTFT)驱动面板.文中阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响MOTFT性能的因素进行了讨论.研发团队开发的MOTFT的迁移率最高可达21.6cm2/(V.s),阈值电压为1.63V,开关比为109,亚阈值摆幅为0.216 V/decade.基于该MOTFT驱动面板,在国内率先实现了5英寸彩色AMOLED显示屏.该MOTFT驱动面板具有迁移率高、制作工艺简单、成本较低以及容易实现大面积等优势,在LCD和AMOLED等新型显示领域具有广泛的应用前景. 展开更多
关键词 氧化物半导体 薄膜晶体管 AMOLED 新型显示
在线阅读 下载PDF
金属氧化物薄膜晶体管的激光退火 被引量:1
4
作者 宁洪龙 邓宇熹 +7 位作者 黄健朗 罗子龙 胡润东 刘贤哲 王一平 邱天 姚日晖 彭俊彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第12期1211-1221,共11页
金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)具有较高的载流子迁移率(10~100 cm2/V·s),且薄膜均匀性好、制备温度低和可见光透明的优点,被认为是最有前途的新一代TFT。激光退火因具有能量高、速度快、对衬底损伤小和退火范围可控的特点,相比传统... 金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)具有较高的载流子迁移率(10~100 cm2/V·s),且薄膜均匀性好、制备温度低和可见光透明的优点,被认为是最有前途的新一代TFT。激光退火因具有能量高、速度快、对衬底损伤小和退火范围可控的特点,相比传统热退火,更适用于柔性和大尺寸背板的制备。本文综述了有关金属氧化物薄膜及MOTFT激光退火的研究进展;详细讨论了激光退火中的关键参数;系统阐述了激光对金属氧化物薄膜的作用以及激光对MOTFT性能的影响。最后,总结了现在激光退火技术存在的问题以及发展方向。 展开更多
关键词 激光退火技术 金属氧化物 薄膜晶体管 氧空位
在线阅读 下载PDF
金属氧化物薄膜晶体管最新研究进展 被引量:1
5
作者 王春兰 李玉庆 +2 位作者 韩莎 姚奇 高博 《纺织高校基础科学学报》 CAS 2018年第4期438-445,共8页
薄膜晶体管(TFTs)为满足高性能平板显示器的发展需求,正经历着快速增长的态势,同时其应用也扩大到新型透明电子和功能型电子领域.基于大量文献和研究工作,阐述金属氧化物TFTs的发展历程,非晶硅、低温多晶硅以及有机物等半导体材料TFTs... 薄膜晶体管(TFTs)为满足高性能平板显示器的发展需求,正经历着快速增长的态势,同时其应用也扩大到新型透明电子和功能型电子领域.基于大量文献和研究工作,阐述金属氧化物TFTs的发展历程,非晶硅、低温多晶硅以及有机物等半导体材料TFTs的研究现状,重点论述基于单一或多元金属组分以及复合纳米结构的高性能氧化物TFTs的关键性结构和迁移率.认为新型复合纳米结构的氧化物TFTs不仅在很大范围内影响现有的电子器件,而且也将应用于新型的显示、存储以及通信等重要领域.这些新型薄膜材料以及薄膜电子器件未来将会在超越传统薄膜电子领域呈现全新的局面. 展开更多
关键词 薄膜晶体管 金属氧化物 高迁移率 显示器 低温多晶硅 非晶硅 半导体材料
在线阅读 下载PDF
溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究进展 被引量:3
6
作者 吴宝仔 廖荣 刘玉荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期321-334,380,共15页
金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)因具有迁移率高、可见光透明、工艺简单、可低温制备等优势,在高性能平板显示、可穿戴柔性电子、集成传感器等领域具有广阔的应用前景。主要回顾了溶液法制备MOTFT的研究进展。首先介绍了溶液法制备MOTFT... 金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)因具有迁移率高、可见光透明、工艺简单、可低温制备等优势,在高性能平板显示、可穿戴柔性电子、集成传感器等领域具有广阔的应用前景。主要回顾了溶液法制备MOTFT的研究进展。首先介绍了溶液法制备MOTFT相对于其他方法的优势,如工艺简单、制作成本低、易掺杂;然后阐述了浸涂法、喷雾法、旋涂法、印刷法加工工艺的特点及优缺点,比较了不同溶液加工工艺所制备MOTFT的电学性能;最后指出了目前溶液法制备MOTFT存在的问题,并从有源层材料与结构、栅介质层材料与界面、退火与预处理3个方面详细地讨论了溶液法制备的优化方法。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 金属氧化物半导体 溶液法 电学性能 优化方法
在线阅读 下载PDF
浅析金属氧化物薄膜晶体管及其在新型显示中的应用 被引量:1
7
作者 王毅冰 《中国新通信》 2019年第16期244-244,共1页
在科技水平逐步提升的基础上,各类尺寸规格较大且分辨率较高的液晶显示设备对显示屏制造工艺和技术提出了更高的要求,为了良好的服务于液晶设备,相关人员有针对性的开展了基于金属氧化物的薄膜晶体管(MOTFT)研究并且将其应用到新显示设... 在科技水平逐步提升的基础上,各类尺寸规格较大且分辨率较高的液晶显示设备对显示屏制造工艺和技术提出了更高的要求,为了良好的服务于液晶设备,相关人员有针对性的开展了基于金属氧化物的薄膜晶体管(MOTFT)研究并且将其应用到新显示设备屏的制造工艺中。研究表明,该金属氧化物薄膜晶体管可以满足现阶段大部分高分辨率的液晶显示需求,可以良好的呈现画面效果。相关资料表示,针对金属氧化物薄膜晶体管在新型显示中的应用,已经实现了对驱动面板显示效果的提升且制作成本较小,可以被应用于多种新型显示设备中。 展开更多
关键词 金属氧化物 薄膜晶体管 显示屏
在线阅读 下载PDF
高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量:3
8
作者 李强 葛春桥 +4 位作者 陈露 钟威平 梁齐莹 柳春锡 丁金铎 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期447-465,共19页
基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶... 基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶硅(a-Si)在TFT中得到推广应用。然而,为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能(如高分辨率、高刷新率等)和更低功耗等多元升级要求,需要迁移率更高的MOS TFTs技术。本文从固体物理学的角度,系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展,并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。最后,总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 薄膜晶体管 场效应迁移率 偏压稳定性
在线阅读 下载PDF
采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 被引量:7
9
作者 詹润泽 谢汉萍 董承远 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期55-58,共4页
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95cm2/V.s,开关比... 采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95cm2/V.s,开关比为4.53×105,在正向偏压应力测试下,阈值电压的漂移量为4.49V。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 透明电极 非晶铟镓锌氧化物
在线阅读 下载PDF
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量:8
10
作者 王中健 王龙彦 +2 位作者 马仙梅 付国柱 荆海 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-216,共7页
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高... 透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速。文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型。 展开更多
关键词 透明非晶态氧化物半导体 薄膜晶体管 有源矩阵有机发光二极管 有源矩阵电泳显示器 集约化模型
在线阅读 下载PDF
柔性氧化物薄膜晶体管研究进展 被引量:5
11
作者 张立荣 肖文平 +5 位作者 谢飞 赵良红 刘淳 李非凡 左文财 吴为敬 《材料研究与应用》 CAS 2022年第5期718-729,共12页
氧化物半导体由于具有相对较高的载流子迁移率、良好的均匀性和光学透明度、较低的工艺温度、低成本及可在柔性衬底上制作等特点,近十年来引起了人们的广泛关注。基于氧化物有源层的柔性薄膜晶体管(TFT)已经在下一代显示器(AMOLED,Micro... 氧化物半导体由于具有相对较高的载流子迁移率、良好的均匀性和光学透明度、较低的工艺温度、低成本及可在柔性衬底上制作等特点,近十年来引起了人们的广泛关注。基于氧化物有源层的柔性薄膜晶体管(TFT)已经在下一代显示器(AMOLED,Micro LED)、物联网技术、柔性传感器、可穿戴领域及微型植入系统等领域中获得应用。综述了氧化物TFT的器件结构,介绍了柔性氧化物TFT的研究进展,包括在不同种类的柔性衬底PET、PEN、PI上制作TFT的研究现状,并对氧化物TFT的未来发展进行了总结和展望。 展开更多
关键词 氧化物半导体 氧化物薄膜晶体管 柔性衬底 显示器
在线阅读 下载PDF
有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管 被引量:1
12
作者 李桂锋 冯佳涵 +1 位作者 周俊 张群 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期558-560,共3页
利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明... 利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 PVP有机介质层 铟锌氧化物
在线阅读 下载PDF
喷墨打印技术制备氧化物薄膜晶体管
13
作者 杨小天 王冠达 +1 位作者 史恺 李旭 《长春工业大学学报》 CAS 2019年第3期306-312,共7页
回顾了氧化物薄膜晶体管的优势及其发展应用,介绍氧化物墨水的类型选择、喷墨打印制备过程、薄膜图案退火等工艺过程,以及相关工艺国内外研究情况。总结了喷墨打印技术制备薄膜晶体管工艺的优势。
关键词 氧化物薄膜晶体管 喷墨打印 氧化物墨水 退火处理
在线阅读 下载PDF
基于硅钛氧化物复合薄膜的有机场效应晶体管
14
作者 胡加兴 李乐丹 王茹霞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期943-947,956,共6页
研究了以硅钛氧化物复合薄膜为绝缘层、并五苯为半导体层的有机场效应晶体管(OFET),其中硅钛氧化物复合薄膜采用溶胶-凝胶法制备。采用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电子显微镜对硅钛氧化物复合薄膜进行了测试和... 研究了以硅钛氧化物复合薄膜为绝缘层、并五苯为半导体层的有机场效应晶体管(OFET),其中硅钛氧化物复合薄膜采用溶胶-凝胶法制备。采用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电子显微镜对硅钛氧化物复合薄膜进行了测试和表征。结果表明,硅钛氧化物复合薄膜中存在两种不同类型的氧化钛晶体结构(锐钛矿和金红石),具有较高的介电常数(k=9.47),在30 V偏压下漏电流密度小于1×10-9 A·cm-2。器件测试结果表明,有机场效应晶体管的载流子迁移率为0.16 cm2·V-1·s-1,开启电压为-1.9 V,亚阈值摆幅为180 mV·dec-1,开关比为1×104。高介电常数绝缘层可以有效降低有机场效应晶体管的工作电压、开启电压和亚阈值摆幅。 展开更多
关键词 硅钛氧化物复合薄膜 有机场效应晶体管(OFET) 溶胶-凝胶法 介电常数 工作电压
在线阅读 下载PDF
溶液法氧化物薄膜晶体管的印刷制备 被引量:4
15
作者 钟云肖 谢宇 +8 位作者 周尚雄 袁炜健 史沐杨 姚日晖 宁洪龙 徐苗 王磊 兰林锋 彭俊彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期443-454,共12页
溶液法印刷制备电子器件因具有绿色环保、低成本、流程简单、柔性好和适应性强等优良特性,受到世界各个国家的重视,尤其高性能薄膜晶体管是平板显示和消费电子行业的基石,更成为了研究的热点。本文综述了基于溶液法氧化物薄膜晶体管印... 溶液法印刷制备电子器件因具有绿色环保、低成本、流程简单、柔性好和适应性强等优良特性,受到世界各个国家的重视,尤其高性能薄膜晶体管是平板显示和消费电子行业的基石,更成为了研究的热点。本文综述了基于溶液法氧化物薄膜晶体管印刷制备的最新研究进展,详细讨论了印刷氧化物薄膜晶体管结构优化、半导体层材料、电极层材料和绝缘层材料以及相关前驱体选择等,指出了提升器件性能的关键,明确了器件后处理与稳定性的关系。最后,本文总结了氧化物薄膜晶体管在印刷制备和应用过程中存在的问题以及发展前景。 展开更多
关键词 溶液法 氧化物薄膜晶体管 印刷制备 前驱体 后处理
在线阅读 下载PDF
氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究 被引量:2
16
作者 万云海 邹志翔 +3 位作者 林亮 杨成绍 黄寅虎 王章涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期7-13,共7页
为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZO TFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系。通过调整沉积温度... 为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZO TFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系。通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率,分析了PECVD沉积ESL SiO2的成膜规律,并对所得到的TFT进行了特性分析。发现ESL膜层致密性过差时,后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体膜层,从而引起TFT特性恶化。而采用高温、高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT特性劣化。结果表明,在保证膜层致密性前提下,等离子体对IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积条件。 展开更多
关键词 氧化物半导体 薄膜晶体管液晶显示器 等离子体增强化学气相沉积法 刻蚀阻挡层
在线阅读 下载PDF
双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真 被引量:2
17
作者 彭云霞 潘东 钟传杰 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第2期88-93,共6页
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5... 采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1013,亚阈值摆幅为0.36V/dec。并在此厚度比的基础上,模拟了两层材料的隙态密度,并通过改变态密度模型中的相关参数,观察两层材料对器件的电学特性的影响情况。 展开更多
关键词 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 器件模拟 态密度
在线阅读 下载PDF
基于印刷双层电极的氧化物薄膜晶体管 被引量:1
18
作者 林奕龙 陈思婷 +2 位作者 吴永波 兰林锋 彭俊彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1239-1246,共8页
为满足印刷显示的大面积制备、低信号延迟的需求,有必要开发应用于氧化物薄膜晶体管(TFTs)的低电阻印刷电极。研究发现喷墨打印Ag和氧化物有源层的界面接触特性较差,导致基于Ag电极的氧化物TFT性能很差。通过在Ag电极和有源层中间插入... 为满足印刷显示的大面积制备、低信号延迟的需求,有必要开发应用于氧化物薄膜晶体管(TFTs)的低电阻印刷电极。研究发现喷墨打印Ag和氧化物有源层的界面接触特性较差,导致基于Ag电极的氧化物TFT性能很差。通过在Ag电极和有源层中间插入喷墨打印的氧化铟锡(ITO)电极,可以阻隔Ag纳米颗粒扩散入有源层。此外,ITO电极可以与Ag和有源层形成良好的接触特性,大幅降低了接触电阻。基于Ag/ITO双层电极的TFT较基于单层Ag电极的性能大幅提升迁移率达16.0 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),开关比达6.2×10^(7),亚阈值摆幅为174 mV/Decade,阈值电压为-2.0 V。该结果证明了印刷Ag电极在氧化物TFT的应用潜力,并有助于建立导电氧化物薄膜和金属导电纳米材料堆叠结构的复合导电薄膜体系,实现优势互补。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 氧化物半导体 喷墨打印 双层电极 银电极
在线阅读 下载PDF
非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展 被引量:1
19
作者 岳兰 任达森 +1 位作者 罗胜耘 陈家荣 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-410,474,共11页
薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏... 薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域。综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望。 展开更多
关键词 薄膜晶体管(TFT) 非晶氧化物半导体(AOS) 沟道层 成膜技术 薄膜组分 掺杂
在线阅读 下载PDF
基于低温多晶硅-氧化物半导体混合集成的薄膜晶体管显示背板技术 被引量:2
20
作者 邓立昂 陈世林 +1 位作者 黄博天 郭小军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期420-431,共12页
低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供... 低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供了新的发展机遇,获得了产业界和学术界的广泛关注。本文系统地总结和分析了LTPO相关技术与应用的研究进展以及面临的技术挑战。首先,讨论了分别针对液晶显示(Liquid crystal display,LCD)和有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)显示的LTPO背板的集成方式,进一步总结分析了实现LTPO集成的器件结构和工艺挑战。此外,针对有源矩阵OLED显示,分析了LTPO技术用于设计兼容低帧率和高帧率驱动、具有内部补偿功能的像素电路的优势,以及在超低帧率(如1 Hz)驱动情况下,TFT器件稳定性带来的影响和相关的补偿驱动方法。最后,对LTPO技术进一步发展的可能趋势进行了展望。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 低温多晶硅 氧化物半导体 有源矩阵有机发光二极管 液晶显示 低功耗
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 18 下一页 到第
使用帮助 返回顶部