金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistors,MOTFTs)因其具有较高的载流子迁移率和较好的电学稳定性,在大尺寸发光显示驱动背板应用方面极具潜力。此外,MOTFTs与非晶硅薄膜晶体管的制备工艺兼容,制造成本较低,具有较大市...金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistors,MOTFTs)因其具有较高的载流子迁移率和较好的电学稳定性,在大尺寸发光显示驱动背板应用方面极具潜力。此外,MOTFTs与非晶硅薄膜晶体管的制备工艺兼容,制造成本较低,具有较大市场竞争优势。然而,衡量MOTFTs性能的两个关键指标——迁移率和稳定性之间的矛盾限制了其高端显示应用。因此,开发高迁移率兼具高稳定性的MOTFTs成为研究热点和产业竞争焦点。大量研究表明,稀土掺杂氧化物有源半导体材料体系有望实现这一目标。本文重点综述兼具高迁移率和高稳定性的稀土掺杂氧化物材料设计及MOTFTs已达到的性能,探讨稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管(RE-MOTFTs)面临的挑战和发展潜力。展开更多
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为像素中的开关元器件,与存储电容一起组成电子纸显示器的驱动电路。本文按照柔性TFT有源层的不同进行分类:有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,OTFT)、非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Si...薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为像素中的开关元器件,与存储电容一起组成电子纸显示器的驱动电路。本文按照柔性TFT有源层的不同进行分类:有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,OTFT)、非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon Thin Film Transistor,a-Si TFT)、金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transis⁃tor,MOTFT),介绍它们在柔性电子纸显示器中的研究进展,着重关注器件的柔性、电学特性以及稳定性。最后进行了对比分析,提出MOTFT有望凭借优良的电学特性、高光学透明性以及相对较低的工艺温度等优势成为驱动下一代柔性电子纸显示器的最佳候选者。展开更多
文摘金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistors,MOTFTs)因其具有较高的载流子迁移率和较好的电学稳定性,在大尺寸发光显示驱动背板应用方面极具潜力。此外,MOTFTs与非晶硅薄膜晶体管的制备工艺兼容,制造成本较低,具有较大市场竞争优势。然而,衡量MOTFTs性能的两个关键指标——迁移率和稳定性之间的矛盾限制了其高端显示应用。因此,开发高迁移率兼具高稳定性的MOTFTs成为研究热点和产业竞争焦点。大量研究表明,稀土掺杂氧化物有源半导体材料体系有望实现这一目标。本文重点综述兼具高迁移率和高稳定性的稀土掺杂氧化物材料设计及MOTFTs已达到的性能,探讨稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管(RE-MOTFTs)面临的挑战和发展潜力。
文摘薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为像素中的开关元器件,与存储电容一起组成电子纸显示器的驱动电路。本文按照柔性TFT有源层的不同进行分类:有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,OTFT)、非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon Thin Film Transistor,a-Si TFT)、金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transis⁃tor,MOTFT),介绍它们在柔性电子纸显示器中的研究进展,着重关注器件的柔性、电学特性以及稳定性。最后进行了对比分析,提出MOTFT有望凭借优良的电学特性、高光学透明性以及相对较低的工艺温度等优势成为驱动下一代柔性电子纸显示器的最佳候选者。
