期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
金属氧化物异质结气体传感器气敏增强机理
被引量：
23
1
作者
唐伟
王兢
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期1087-1104,共18页
金属氧化物异质结由于费米能级效应、不同组分之间的协同作用,常被用来提高电阻型金属氧化物半导体气体传感器的气敏特性。本文简述了近年来国内外金属氧化物异质结材料的类别,主要分为混合氧化物结构、层状结构、第二相粒子修饰结构、...
金属氧化物异质结由于费米能级效应、不同组分之间的协同作用,常被用来提高电阻型金属氧化物半导体气体传感器的气敏特性。本文简述了近年来国内外金属氧化物异质结材料的类别,主要分为混合氧化物结构、层状结构、第二相粒子修饰结构、一维纳米结构和核-壳结构;重点综述了金属氧化物异质结的气敏增强机理,包括异质结效应、协同效应、催化溢流效应、响应反型、载流子分离及微结构调控六大机理;分析了当前异质结气体传感器面临的瓶颈。最后对纳米异质结气体传感器的发展进行了展望,今后金属氧化物异质结气体传感器可以从明确异质结界面机理展开,这将为自下而上地设计出符合实际需要的气体传感器提供一定参考。
展开更多
关键词
金属氧化物异质结
协同效应
溢流效应
响应反型
载流子分离
微
结
构调控
在线阅读
下载PDF
职称材料
具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
2
作者
范继锋
王永强
+2 位作者
张艺
李巍
雷鹏
《半导体技术》
北大核心
2025年第3期241-247,共7页
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基...
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基底上。在p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构中,二维空穴气(2DHG)面密度为1.3×10_(13)cm^(-2),且在温度降至80 K时保持不变。通过干法刻蚀减小GaN沟道厚度,使p型MOSHFET呈现增强型工作模式,并获得负的阈值电压(V_(th))。室温下,基于GaN(18 nm)/Al_(0.29)Ga_(0.71)N的增强型p型MOSHFET的V_(th)为-0.79 V,导通电流|I_(ON)|为2.41 mA/mm,关断态漏电流|I_(OFF)|为2.66 pA/mm,亚阈值摆幅(SS)为116 mV/dec。这种极低的|I_(OFF)|和SS值表明材料具有较高的外延质量。此外,在200℃下,该p型MOSHFET仍保持低于10 pA/mm的|I_(OFF)|,且V_(th)偏移较小(-0.3 V),展现出优异的高温工作能力。
展开更多
关键词
GaN
金属氧化物异质结
场效应晶体管(MOSHFET)
二维空穴气(2DHG)
高温
增强型
亚阈值摆幅(SS)
关断态漏电流
阈值电压
在线阅读
下载PDF
职称材料
基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究
被引量：
1
3
作者
舒斌
张鹤鸣
+1 位作者
任冬玲
王伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期397-401,共5页
提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而...
提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而且还给出了这种器件结构作为反相器的一个应用,模拟了其传输特性。结果表明所设计的垂直层叠共栅结构应变Si/SiGe HCMOS结构合理、器件性能提高。
展开更多
关键词
异质
结
互补
金属
氧化物
半导体场效应晶体管
应变SI
应变SiGe
垂直层叠
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
金属氧化物异质结气体传感器气敏增强机理
被引量：
23
1
作者
唐伟
王兢
机构
大连理工大学电子科学与技术学院
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期1087-1104,共18页
基金
国家自然科学基金(61574025
61131004)资助项目~~
文摘
金属氧化物异质结由于费米能级效应、不同组分之间的协同作用,常被用来提高电阻型金属氧化物半导体气体传感器的气敏特性。本文简述了近年来国内外金属氧化物异质结材料的类别,主要分为混合氧化物结构、层状结构、第二相粒子修饰结构、一维纳米结构和核-壳结构;重点综述了金属氧化物异质结的气敏增强机理,包括异质结效应、协同效应、催化溢流效应、响应反型、载流子分离及微结构调控六大机理;分析了当前异质结气体传感器面临的瓶颈。最后对纳米异质结气体传感器的发展进行了展望,今后金属氧化物异质结气体传感器可以从明确异质结界面机理展开,这将为自下而上地设计出符合实际需要的气体传感器提供一定参考。
关键词
金属氧化物异质结
协同效应
溢流效应
响应反型
载流子分离
微
结
构调控
Keywords
Metal oxide heterojunction
Synergistic effect
Spill-over effect
Response type inversion
Separation of charge carrier
Microstructure manipulation
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
2
作者
范继锋
王永强
张艺
李巍
雷鹏
机构
内蒙古电力(集团)有限责任公司乌海超高压供电分公司
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第3期241-247,共7页
基金
国家电网内蒙古分公司科技项目(2024-4-38)。
文摘
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基底上。在p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构中,二维空穴气(2DHG)面密度为1.3×10_(13)cm^(-2),且在温度降至80 K时保持不变。通过干法刻蚀减小GaN沟道厚度,使p型MOSHFET呈现增强型工作模式,并获得负的阈值电压(V_(th))。室温下,基于GaN(18 nm)/Al_(0.29)Ga_(0.71)N的增强型p型MOSHFET的V_(th)为-0.79 V,导通电流|I_(ON)|为2.41 mA/mm,关断态漏电流|I_(OFF)|为2.66 pA/mm,亚阈值摆幅(SS)为116 mV/dec。这种极低的|I_(OFF)|和SS值表明材料具有较高的外延质量。此外,在200℃下,该p型MOSHFET仍保持低于10 pA/mm的|I_(OFF)|,且V_(th)偏移较小(-0.3 V),展现出优异的高温工作能力。
关键词
GaN
金属氧化物异质结
场效应晶体管(MOSHFET)
二维空穴气(2DHG)
高温
增强型
亚阈值摆幅(SS)
关断态漏电流
阈值电压
Keywords
GaN
metal-oxide heterojunction field-effect transistor(MOSHFET)
two-dimensional hole gas(2DHG)
high temperature
enhancement-mode
subthreshold swing(SS)
off-state drain current
threshold voltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究
被引量：
1
3
作者
舒斌
张鹤鸣
任冬玲
王伟
机构
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期397-401,共5页
基金
国家重点预研基金资助项目(51408061104DZ01)
文摘
提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而且还给出了这种器件结构作为反相器的一个应用,模拟了其传输特性。结果表明所设计的垂直层叠共栅结构应变Si/SiGe HCMOS结构合理、器件性能提高。
关键词
异质
结
互补
金属
氧化物
半导体场效应晶体管
应变SI
应变SiGe
垂直层叠
Keywords
heterojunction CMOS FET
strained Si
strained SiGe
vertical stack
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属氧化物异质结气体传感器气敏增强机理
唐伟
王兢
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2016
23
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
范继锋
王永强
张艺
李巍
雷鹏
《半导体技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究
舒斌
张鹤鸣
任冬玲
王伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
