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一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系 被引量:4
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作者 张天舒 沈瑜生 《传感器技术》 CSCD 1996年第6期18-20,共3页
用NH4)2CO3作沉淀剂制得Cd:Sn=1:1的粉料,经750℃、15h热处理可得单相钛铁矿型β-CdSnO3。元件的电导-温度(G-t)特征表明β-CdSnO3为典型的表面电阻控制型气敏材料,无需掺贵金属催化剂就... 用NH4)2CO3作沉淀剂制得Cd:Sn=1:1的粉料,经750℃、15h热处理可得单相钛铁矿型β-CdSnO3。元件的电导-温度(G-t)特征表明β-CdSnO3为典型的表面电阻控制型气敏材料,无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此,β-CdSnO3很有希望作为一种新型的气敏材料体系。 展开更多
关键词 金属复合氧化物 气敏材料 半导体材料
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金属氧化物半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究进展 被引量:3
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作者 霸书红 才思雨 冯璐 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期460-470,I0008,共12页
金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在... 金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在催化领域得到了广泛应用。本文介绍了单一金属氧化物、复合金属氧化物、掺杂金属氧化物和负载型金属氧化物四类半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究现状,探讨了催化机理和影响催化效果的因素,分析得出P型金属氧化物半导体材料的禁带宽度越小,费米能级降低,逸出能越大,催化作用明显;对于N型来说,禁带宽度越大,费米能级升高,逸出能越小,催化效果越好。为了充分利用金属氧化物的优点克服其缺陷,常在金属氧化物中引入杂元素形成离子晶格缺陷和制造新的局部杂质能级以改变电子的跃迁,从而提高金属氧化物的催化性能。不论是复合金属氧化物,还是负载型金属氧化物,均存在对高氯酸铵的正协同催化效应。开发禁带宽度小的多孔纳米管P型金属氧化物、掺杂型金属氧化物和负载型金属氧化物材料仍是人们关注的重点。探索以高氯酸铵为基的核壳型复合材料、P-N结金属氧化物半导体催化材料以及探究载流子在两种半导体P-N界面间的迁移规律,有望成为提高催化效率的新途径。 展开更多
关键词 高氯酸铵 金属氧化物半导体材料 催化剂 禁带宽度
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用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路
3
作者 张新 高勇 +2 位作者 刘善喜 安涛 徐春叶 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期278-281,共4页
在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电... 在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明 :1.2 μm器件 10 1级环振单门延迟为 2 5 2 ps ,总延迟为 5 4.2ns .电路静态功耗约为 3mW ,动态功耗为 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 绝缘硅 SOI 氧化 动态功耗 电路 静态功耗 延迟 CMOS 集成技术
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钠离子电池P2型层状金属氧化物研究进展
4
作者 陈国文 王畅 +1 位作者 杨程响 石斌 《电池》 北大核心 2025年第1期172-177,共6页
三棱柱晶相结构(P2型)层状金属氧化物因优异的性能,被认为是具有潜力的钠离子电池正极材料之一。综述固相烧结法、溶胶-凝胶法、共沉淀法和喷雾干燥法合成钠离子电池P2型层状金属氧化物正极材料的优缺点,总结材料在空气稳定性、不可逆... 三棱柱晶相结构(P2型)层状金属氧化物因优异的性能,被认为是具有潜力的钠离子电池正极材料之一。综述固相烧结法、溶胶-凝胶法、共沉淀法和喷雾干燥法合成钠离子电池P2型层状金属氧化物正极材料的优缺点,总结材料在空气稳定性、不可逆相变和高电压状态下界面稳定性等3个方面面临的挑战;介绍P2型层状金属氧化物的相关改性策略,包括元素掺杂、表面包覆和复合相制备等。 展开更多
关键词 钠离子电池 正极材料 P2层状金属氧化物 合成方法 改性
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金属氧化物半导体纳米晶液相法控制合成研究进展 被引量:1
5
作者 施利毅 王竹仪 +1 位作者 袁帅 赵尹 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2465-2475,共11页
对金属氧化物纳米晶的晶型、形貌及晶粒大小调控方法进行了综述,重点介绍了液相合成体系中表面活性剂、溶剂、杂质离子等因素对纳米晶形貌、晶型的调控作用以及各种方法的特点,提出发展绿色、高选择性合成方法制备单分散结构可控的金属... 对金属氧化物纳米晶的晶型、形貌及晶粒大小调控方法进行了综述,重点介绍了液相合成体系中表面活性剂、溶剂、杂质离子等因素对纳米晶形貌、晶型的调控作用以及各种方法的特点,提出发展绿色、高选择性合成方法制备单分散结构可控的金属氧化物半导体纳米晶仍是今后重要的研究方向之一。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 纳米晶 液相合成 形貌
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金属氧化物半导体SO2气体传感器的研究现状 被引量:7
6
作者 刘航 王秋晨 +1 位作者 于兰伊 王林康 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第2期1-3,11,共4页
介绍了气敏机理,总结了近年来国内外基于金属氧化物半导体的SO2气敏材料的研究现状,指出了基于金属氧化物半导体SO2气体传感器的不足之处,提出设计复合材料、优化合成方法是提高SO2气敏材料敏感特性的研究方向。
关键词 SO2传感器 金属氧化物半导体 复合材料
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金属氧化物半导体基三乙胺传感器研究进展 被引量:3
7
作者 张静宜 孟哈日巴拉 张战营 《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期67-73,99,共8页
三乙胺是一种应用广泛但对人体有毒副作用的挥发性有机物,需要长期有效的监测,开发一种性能稳定、安全可靠的三乙胺气敏传感器,实现对环境中三乙胺气体浓度实时检测,对于三乙胺的安全储存、运输和使用等环节是至关重要的。金属氧化物半... 三乙胺是一种应用广泛但对人体有毒副作用的挥发性有机物,需要长期有效的监测,开发一种性能稳定、安全可靠的三乙胺气敏传感器,实现对环境中三乙胺气体浓度实时检测,对于三乙胺的安全储存、运输和使用等环节是至关重要的。金属氧化物半导体基气敏传感器具有制备简单、价格低廉、响应值高等优点,在三乙胺气体的检测中具有不可替代的作用。重点介绍了基于金属氧化物半导体的三乙胺传感器最新研究进展。综述了近年来包括掺杂、异质结、有机金属骨架和氧化还原石墨烯在内的关于金属氧化物半导体基三乙胺气敏材料的制备和性能等方面的研究成果。论述了金属氧化物半导体基复合材料对三乙胺气敏性能的机理。展望了金属氧化物基三乙胺气敏材料的未来研究方向。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 三乙胺 纳米材料 气体传感器
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钠离子电池用O3型层状金属氧化物研究进展 被引量:3
8
作者 刘卓敏 孙旦 +1 位作者 谌红玉 唐有根 《电池》 CAS 北大核心 2024年第2期244-248,共5页
O3型层状金属氧化物具有理论容量高、制备简单等优势,是有前景实现商业化应用的钠离子电池正极材料之一。固有的缺点严重限制了层状金属氧化物正极的商业化进程,迫切需要解决。系统总结不可逆相变、表面侵蚀、产气等问题,分析比较固相... O3型层状金属氧化物具有理论容量高、制备简单等优势,是有前景实现商业化应用的钠离子电池正极材料之一。固有的缺点严重限制了层状金属氧化物正极的商业化进程,迫切需要解决。系统总结不可逆相变、表面侵蚀、产气等问题,分析比较固相法、共沉淀法和溶胶凝胶法等3种常用合成方法的优缺点,对O3型层状金属氧化物相关改性策略进行归纳,包括元素掺杂、表面包覆、混相设计和高熵设计等。 展开更多
关键词 钠离子电池 O3层状金属氧化物 衰减机制 合成 改性策略 正极材料
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基于金属氧化物半导体的瓦斯气体传感器研究现状及进展 被引量:3
9
作者 陈享享 刘天豪 +5 位作者 欧阳云飞 黄世毅 张朝阳 罗盛葳 陈润萱 林修合 《金属矿山》 CAS 北大核心 2023年第11期34-44,共11页
瓦斯是我国煤矿以及相关金属矿山安全事故发生的主要诱因。甲烷是瓦斯的主要成分,利用高性能气体传感器对甲烷进行及时的监测预警,可有效保障矿山井下作业的安全。金属氧化物半导体型传感器相比电化学式、气相色谱式、接触燃烧式、光学... 瓦斯是我国煤矿以及相关金属矿山安全事故发生的主要诱因。甲烷是瓦斯的主要成分,利用高性能气体传感器对甲烷进行及时的监测预警,可有效保障矿山井下作业的安全。金属氧化物半导体型传感器相比电化学式、气相色谱式、接触燃烧式、光学式等气体传感器,具有成本低、体积小、稳定性好和响应快等优点,因此应用前景广泛。介绍了几种常见的金属氧化物半导体甲烷气敏材料,分析其用于甲烷气体传感的基本原理和优势,总结得出提升金属氧化物半导体材料气敏性能的3个主要方向为形貌调控、贵金属掺杂和构建异质结。目前需要进一步围绕表面电阻控制、化学敏化和电子敏化等3种气敏提升机制进行优化制备。总体而言,金属氧化物半导体气敏材料的研究为开发高性能瓦斯传感器奠定了基础,并将有助于矿山的安全和可持续生产。 展开更多
关键词 甲烷检测 金属氧化物半导体 气体传感器 气敏材料 煤矿安全
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微波法研制碱土金属氧化物负载型MCM-48碱性介孔材料 被引量:14
10
作者 颜学武 韩小伟 +2 位作者 曹毅 魏一伦 朱建华 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1101-1106,共6页
以立方相介孔分子筛MCM-48为载体,用微波辐射分散MgO或CaO和醋酸镁溶液浸渍等方法研制碱性介孔材料。MCM-48能经受微波辐射,负载碱性客体之后也保持介相结构。异丙醇分解探针反应表明:载体本身没有碱催化活性,而碱性MCM-48介孔材料的活... 以立方相介孔分子筛MCM-48为载体,用微波辐射分散MgO或CaO和醋酸镁溶液浸渍等方法研制碱性介孔材料。MCM-48能经受微波辐射,负载碱性客体之后也保持介相结构。异丙醇分解探针反应表明:载体本身没有碱催化活性,而碱性MCM-48介孔材料的活性随温度升高而提高。本文还对介孔材料在微波分散和碱性催化方面的特点进行分析。 展开更多
关键词 碱土金属氧化物 负载MCM-48 氧化 氧化 微波辐射 碱性介孔材料 分子筛 催化材料
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管
11
作者 文争 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期64-64,共1页
关键词 窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET 窄禁带异质材料
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激光诱导击穿光谱技术在半导体材料检测方面的应用进展
12
作者 武传奇 修俊山 《激光杂志》 CAS 北大核心 2024年第3期24-29,共6页
对于半导体材料的研究来说,其在材料内部的元素组成以及含量是影响其性能的一个重要因素,常规的检测方法虽然能够检测出样品中成分以及含量信息,但是在这过程中存在成本高、效率低、耗时长、过程较为繁琐等问题。在分析技术领域不断发... 对于半导体材料的研究来说,其在材料内部的元素组成以及含量是影响其性能的一个重要因素,常规的检测方法虽然能够检测出样品中成分以及含量信息,但是在这过程中存在成本高、效率低、耗时长、过程较为繁琐等问题。在分析技术领域不断发展的今天,急需寻找一种便携、新颖、与当今材料相匹配的检测技术。正是基于以上需求,激光诱导击穿光谱(LIBS)技术逐步走进了大众的视野,对LIBS技术进行了简要介绍,在此基础上着重介绍了利用LIBS技术来分析半导体材料表面的微分析研究与半导体材料金属氧化物纳米薄膜方面的研究进展,介绍了LIBS技术在这两方面检测的优势以及未来LIBS技术在这些方面的发展。 展开更多
关键词 激光诱导击穿光谱 半导体材料表面微分析 金属氧化物纳米薄膜 定性定量分析
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核壳型纳米金属氧化物复合材料研究进展 被引量:1
13
作者 王仕英 黎汉生 吴芹 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1007-1011,共5页
综述了核壳型纳米金属氧化物复合材料方面的最新研究成果,详细介绍目前核壳型金属氧化物复合材料在太阳能电池用电极材料、光致发光材料、磁性材料、催化材料、传感器材料等方面的应用研究现状和存在问题,提出了核壳型纳米氧化物复合材... 综述了核壳型纳米金属氧化物复合材料方面的最新研究成果,详细介绍目前核壳型金属氧化物复合材料在太阳能电池用电极材料、光致发光材料、磁性材料、催化材料、传感器材料等方面的应用研究现状和存在问题,提出了核壳型纳米氧化物复合材料的应用发展趋势。 展开更多
关键词 核/壳 金属氧化物 纳米材料 复合材料
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基于金属氧化物的乙醇检测气敏材料的研究进展 被引量:6
14
作者 张晓 徐瑶华 +2 位作者 刘皓 魏峰 苑鹏 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期3207-3226,共20页
金属氧化物型半导体气体传感器是目前常用的乙醇检测手段,深入研究和改进金属氧化物型半导体材料是提升传感器性能的重要方式。本文首先论述了气敏检测的机理和影响因素,并综述了近年来发展的主要金属氧化物型半导体气敏材料,重点介绍... 金属氧化物型半导体气体传感器是目前常用的乙醇检测手段,深入研究和改进金属氧化物型半导体材料是提升传感器性能的重要方式。本文首先论述了气敏检测的机理和影响因素,并综述了近年来发展的主要金属氧化物型半导体气敏材料,重点介绍了不同微观结构的Co3O4、ZnO、SnO2及掺杂金属氧化物材料、氧化物异质结等的研究和发展情况,对它们的合成方法、结构特点以及结构与乙醇气敏性能之间的关系进行了探讨。分析表明,减小材料颗粒尺寸、构建大比表面积多孔结构、掺杂和复合改性,是提升金属氧化物材料气敏性能的有效措施。此外,基于传感器微小化的趋势,以微机电系统(MEMS)工艺为基础的微型传感器成为气体传感器的发展趋势。然而,目前针对金属氧化物气敏材料的制备依然缺乏一定的理论指导,气体检测缺乏相应的机理研究,亟需物理、化学、材料等多学科的相互结合,促进乙醇等半导体气体传感器的进一步发展。 展开更多
关键词 金属氧化物型半导体材料 乙醇 气体 氧化 微电子学
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半导体陶瓷型薄膜气敏传感器的研究进展 被引量:13
15
作者 杨志华 余萍 肖定全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期4-6,10,共4页
 半导体陶瓷型薄膜气敏传感器,具有灵敏度高、与气体反应快、制备成本较低等优点,已经成为近年传感器研究和开发的重点,是未来气敏传感器的发展方向之一。本文介绍了陶瓷型半导体薄膜气敏传感器常见的器件结构、薄膜材料的主要制备方法...  半导体陶瓷型薄膜气敏传感器,具有灵敏度高、与气体反应快、制备成本较低等优点,已经成为近年传感器研究和开发的重点,是未来气敏传感器的发展方向之一。本文介绍了陶瓷型半导体薄膜气敏传感器常见的器件结构、薄膜材料的主要制备方法,部分主要的半导体金属氧化物薄膜气敏材料,以及近期相关的研究进展,并扼要分析了今后的发展方向。 展开更多
关键词 半导体陶瓷 薄膜 气敏传感器 研究进展 金属氧化物
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新型透明半导体材料
16
《山东农机化》 1998年第4期23-23,共1页
东京工业大学发现一种透明金属氧化物,这种材料可用来生产半导体。 他们制造的铜铝氧化物经过处理后具有透光性和导电性。
关键词 半导体材料 明金 空穴导电 氧化物 电子导电 过处理 半导体 透光性 P 极限波长
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钙钛矿型复合金属氧化物的研究进展 被引量:3
17
作者 张碧宇 王鹏 +3 位作者 夏正伟 顾慧菊 鲍伟伟 黄向红 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期63-68,共6页
概述了柠檬酸法、化学沉淀法、溶胶-凝胶法、水热合成法、热分解法固相反应法等六种钙钛矿型复合金属氧化物的制备方法,并根据该氧化物具有立方结构,存在氧空穴而表现出的一系列特性,介绍了其在气敏材料、燃料电池、催化材料、透氧膜等... 概述了柠檬酸法、化学沉淀法、溶胶-凝胶法、水热合成法、热分解法固相反应法等六种钙钛矿型复合金属氧化物的制备方法,并根据该氧化物具有立方结构,存在氧空穴而表现出的一系列特性,介绍了其在气敏材料、燃料电池、催化材料、透氧膜等方面的应用。 展开更多
关键词 钙钛矿复合金属氧化物 制备方法 气敏材料 燃料电池 催化材料 透氧膜
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半导体电阻型CO_(2)传感器研究进展 被引量:2
18
作者 徐春霞 王光伟 张鹏 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第10期1-4,16,共5页
半导体金属氧化物表面与气体相互作用的同时可促使材料内部载流子迁移或转化,进而影响材料导电性能,使其表现出气体敏感特性。利用n型、p型半导体金属氧化物导电性能与二氧化碳(CO_(2))含量之间的变化关系,开展了大量电阻型CO_(2)传感... 半导体金属氧化物表面与气体相互作用的同时可促使材料内部载流子迁移或转化,进而影响材料导电性能,使其表现出气体敏感特性。利用n型、p型半导体金属氧化物导电性能与二氧化碳(CO_(2))含量之间的变化关系,开展了大量电阻型CO_(2)传感器应用探索。通过构建半导体金属氧化物异质结构,降低传感器工作温度的同时,提高传感器选择响应特性。钙钛矿型复合氧化物半导体也表现出CO_(2)敏感特性,基于这些半导体与CO_(2)相互作用后电阻的变化,可以大大拓展电阻型CO_(2)传感器的探索范围,是极具活力的CO_(2)传感器研究领域。 展开更多
关键词 半导体金属氧化物 气敏特性 异质结 钙钛矿 电阻CO_(2)传感器
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用于消除挥发性有机物的有序多孔金属氧化物催化剂的研究进展 被引量:18
19
作者 邓积光 何胜男 +3 位作者 谢少华 杨黄根 刘雨溪 戴洪兴 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1119-1129,共11页
综述了近年来国内外用于消除挥发性有机物的有序多孔金属氧化物催化剂的研究进展,主要包括有序多孔氧化铈、氧化锰、氧化钴、氧化铁、氧化铬和钙钛矿型氧化物及其负载贵金属或过渡金属氧化物.讨论了这些催化剂对典型挥发性有机物氧化的... 综述了近年来国内外用于消除挥发性有机物的有序多孔金属氧化物催化剂的研究进展,主要包括有序多孔氧化铈、氧化锰、氧化钴、氧化铁、氧化铬和钙钛矿型氧化物及其负载贵金属或过渡金属氧化物.讨论了这些催化剂对典型挥发性有机物氧化的催化性能,并展望了新型高效消除挥发性有机物催化剂的研发前景及技术发展趋势. 展开更多
关键词 三维有序多孔材料 金属氧化物 钙钛矿氧化物 负载催化剂 挥发性有机物的催化氧化
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过渡金属氧化物薄膜的离子敏变色效应
20
作者 申功烈 《传感技术学报》 CAS CSCD 1995年第3期71-75,共5页
过渡金属氧化物薄膜是重要的离子敏变色材料,也是光开关功能方面的灵巧(smart)材料.由它构成的电—光器件具有广阔的应用前景,其工作原理属固态离子学,或微离子学.过渡金属氧化物薄膜是宽能带间隙半导体,在可见光波段完全透明.
关键词 氧化物薄膜 过渡金属 离子敏变色 半导体材料
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