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金属氧化物半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究进展 被引量:3
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作者 霸书红 才思雨 冯璐 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期460-470,I0008,共12页
金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在... 金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在催化领域得到了广泛应用。本文介绍了单一金属氧化物、复合金属氧化物、掺杂金属氧化物和负载型金属氧化物四类半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究现状,探讨了催化机理和影响催化效果的因素,分析得出P型金属氧化物半导体材料的禁带宽度越小,费米能级降低,逸出能越大,催化作用明显;对于N型来说,禁带宽度越大,费米能级升高,逸出能越小,催化效果越好。为了充分利用金属氧化物的优点克服其缺陷,常在金属氧化物中引入杂元素形成离子晶格缺陷和制造新的局部杂质能级以改变电子的跃迁,从而提高金属氧化物的催化性能。不论是复合金属氧化物,还是负载型金属氧化物,均存在对高氯酸铵的正协同催化效应。开发禁带宽度小的多孔纳米管P型金属氧化物、掺杂型金属氧化物和负载型金属氧化物材料仍是人们关注的重点。探索以高氯酸铵为基的核壳型复合材料、P-N结金属氧化物半导体催化材料以及探究载流子在两种半导体P-N界面间的迁移规律,有望成为提高催化效率的新途径。 展开更多
关键词 高氯酸铵 金属氧化物半导体材料 催化剂 禁带宽度
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金属氧化物半导体MEMS气体传感器研究进展 被引量:3
2
作者 尹嘉琦 沈文锋 +3 位作者 吕大伍 赵京龙 胡鹏飞 宋伟杰 《材料导报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期30-43,共14页
随着物联网的快速发展,各领域对气体监测的需求越来越大,基于先进微机电系统(Micro-electro-mechanical systems, MEMS)技术的金属氧化物半导体(Metal oxide semiconductor, MOS)气体传感器在过去几十年里取得了很大发展。MEMS微热板的... 随着物联网的快速发展,各领域对气体监测的需求越来越大,基于先进微机电系统(Micro-electro-mechanical systems, MEMS)技术的金属氧化物半导体(Metal oxide semiconductor, MOS)气体传感器在过去几十年里取得了很大发展。MEMS微热板的多样化设计、MOSs纳米结构的多样化以及机器学习算法的出现为MEMS的传感性能以及智能传感系统的构建提供了很大助力。本文从MEMS气体传感器的分类、制备和应用以及传感器阵列的构建等方面综述了金属氧化物半导体MEMS气体传感器的最新研究进展,并对MEMS基气体传感器的发展前景进行了总结和展望。 展开更多
关键词 气体传感器 金属氧化物半导体 微机电系统 传感器阵列 智能传感系统
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量:2
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作者 李强 葛春桥 +4 位作者 陈露 钟威平 梁齐莹 柳春锡 丁金铎 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期447-465,共19页
基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶... 基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶硅(a-Si)在TFT中得到推广应用。然而,为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能(如高分辨率、高刷新率等)和更低功耗等多元升级要求,需要迁移率更高的MOS TFTs技术。本文从固体物理学的角度,系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展,并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。最后,总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 薄膜晶体管 场效应迁移率 偏压稳定性
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掺杂对金属半导体氧化物气敏性能影响的研究 被引量:8
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作者 姜涛 吴一平 +1 位作者 陈建国 乔学亮 《材料导报》 EI CAS CSCD 1996年第2期25-28,共4页
综述了金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术,探讨了掺杂作用的机理,列举了对最典型半导体气敏元件的掺杂以及掺杂对气敏元件灵敏度和选择性的影响作用。
关键词 气敏元件 掺杂 金属氧化物 半导体
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红外和雷达复合隐身材料——掺杂氧化物半导体 被引量:42
5
作者 马格林 曹全喜 黄云霞 《红外技术》 CSCD 北大核心 2003年第4期77-80,共4页
从红外隐身、雷达隐身原理及电磁波在半导体表面层的吸收和反射的机理出发 ,从理论上分析了掺杂氧化物半导体材料同时实现红外和雷达隐身的可能性 ,指出ZAO(掺铝氧化锌 )作为红外和雷达隐身复合隐身材料是很有发展前景的。
关键词 掺杂氧化物半导体 红外隐身 雷达隐身 隐身材料 ZA0 掺铝氧化
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半导体复合氧化物气敏材料研究进展 被引量:7
6
作者 牛新书 杜卫平 蒋凯 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期737-740,共4页
综述了近几年半导体复合氧化物的发展,包括分类、气敏机理、制备方法等,对其发展趋势提出了一些看法。引用文献33篇。
关键词 半导体 复合氧化物 气敏材料
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金属氧化物半导体气敏传感器稳定性研究进展 被引量:9
7
作者 周志刚 胡木林 李鄂胜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期52-56,共5页
金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变... 金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变化的贡献;微裂纹的加剧使器件的电阻发生漂移,并且为水蒸气、氧气和待测气体扩散到敏感膜内部提供便捷的通道;电极的退化影响电极与气敏材料之间的接触电阻Rc;温度和湿度的改变使气体的吸附、脱附、反应活性和电子迁移率等都发生变化,因而器件的稳定性得不到保证。在机理分析的基础上,分别介绍了提高器件稳定性的方法。 展开更多
关键词 气敏传感器 金属氧化物半导体 稳定性
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基于互补金属氧化物半导体的高精度地沟油检测计 被引量:1
8
作者 杨洁 黄海深 李阳军 《食品与机械》 CSCD 北大核心 2016年第9期44-48,153,共6页
利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更... 利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更高。在脉冲计数的作用下,电阻分压通过与参考电压相比较可以得到不同的高电平数,不仅可以区分地沟油与正常食用油,还可以得出正常油掺入地沟油的质量分数。在检测计核心电路设计方面,由于采用CMOS工艺设计,所以可以实现低面积和低功耗的检测。 展开更多
关键词 地沟油 互补金属氧化物半导体 电导率 电阻分压
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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应
9
作者 李勇 谢海燕 +2 位作者 杨志强 宣春 夏洪富 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期210-215,共6页
采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后... 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。 展开更多
关键词 高功率微波 金属氧化物半导体场效应管 半导体
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用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路
10
作者 张新 高勇 +2 位作者 刘善喜 安涛 徐春叶 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期278-281,共4页
在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电... 在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明 :1.2 μm器件 10 1级环振单门延迟为 2 5 2 ps ,总延迟为 5 4.2ns .电路静态功耗约为 3mW ,动态功耗为 展开更多
关键词 互补型金属氧化物半导体 绝缘硅 SOI 氧化 动态功耗 电路 静态功耗 延迟 CMOS 集成技术
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一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体基准电压源 被引量:7
11
作者 王玉伟 张鸿 张瑞智 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期47-52,76,共7页
针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反... 针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反馈提高了电压源的线性度与电源抑制比。整个电压源电路采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围可达0.5~3.3V,线性调整率为0.428%V-1,功耗最低仅为0.41nW;在1.8V电源电压、-40~125℃温度范围内,温度系数为4.53×10-6℃-1,输出电压为230mV;1kHz下电源抑制比为-60dB,芯片版图面积为625μm2。该基准电压源可满足植入式医疗、可穿戴设备和物联网等系统对芯片的低压低功耗要求。 展开更多
关键词 基准电压源 超低功耗 低电压 金属氧化物半导体 亚阈值
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负载金属/金属氧化物纳米粒子纤维素基复合抗菌材料的制备及其研究进展
12
作者 张旭 杨桂花 +4 位作者 蒋启蒙 薛玉 王月莹 徐义帆 陈嘉川 《中国造纸学报》 CSCD 北大核心 2024年第4期49-60,共12页
对人体健康产生危害的致病菌广泛存在于日常生活中,常用的化学杀菌剂在杀菌时会引起细菌的抗药性并污染环境。以金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)及氧化锌(ZnO)等金属/金属氧化物纳米粒子(NPs)制备的无机抗菌剂,具备优异的物理抗菌效果,且不易引... 对人体健康产生危害的致病菌广泛存在于日常生活中,常用的化学杀菌剂在杀菌时会引起细菌的抗药性并污染环境。以金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)及氧化锌(ZnO)等金属/金属氧化物纳米粒子(NPs)制备的无机抗菌剂,具备优异的物理抗菌效果,且不易引起细菌的抗药性和环境污染问题,已受到广泛关注。然而,金属/金属氧化物NPs存在易团聚和释放过快等问题,抗菌效果有限。本文综述了金属/金属氧化物NPs纤维素基复合抗菌材料的研究进展,并介绍了通过物理法、化学法和生物法制备Au、Ag、Cu及ZnO等NPs的技术方案,以及NPs的抗菌机理。以纤维素及其衍生物负载金属/金属氧化物NPs制备复合抗菌材料,不仅解决了NPs释放过快等问题,而且有助于提高NPs的抗菌稳定性,减轻环境污染。因此,负载金属/金属氧化物NPs纤维素基复合抗菌材料在生物医学、食品包装等领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 纤维素 纳米粒子 金属/金属氧化物 负载 抗菌材料
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珊瑚状镍钴双金属氧化物掺杂碳纳米杂化材料的电化学性能
13
作者 马应霞 雷磊 +2 位作者 刘冰璐 康小雅 冉奋 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2024年第6期17-27,共11页
金属有机框架材料(MOFs)由于具有大的比表面积、可调节的孔径和丰富的氧化还原位点,作为超级电容器电极材料受到了广泛关注.但是,MOFs较低的比电容限制了其进一步应用.以Ni(NO_(3))_(2)·6H_(2)O、Co(NO_(3))_(2)·6H_(2)O为金... 金属有机框架材料(MOFs)由于具有大的比表面积、可调节的孔径和丰富的氧化还原位点,作为超级电容器电极材料受到了广泛关注.但是,MOFs较低的比电容限制了其进一步应用.以Ni(NO_(3))_(2)·6H_(2)O、Co(NO_(3))_(2)·6H_(2)O为金属离子源,对苯二甲酸为有机配体,通过水热法合成了三维(3D)刺柏状Ni/Co-MOF为前驱体,在空气气氛中通过调控其热处理温度和恒温时间,制备了一系列珊瑚状镍钴双金属氧化物掺杂碳纳米杂化材料(NCPO/C),并研究了其作为超级电容器电极材料的电化学性能.结果表明:将3D刺柏状Ni/Co-MOF前驱体在空气氛围加热至280℃、保温1 h后得到的珊瑚状NCPO/C样品作为电极材料的电化学性能最佳.当电流密度从0.5 A·g^(-1)扩大到5.0 A·g^(-1)时,NCPO/C的比电容从852.5 C·g^(-1)减小到720.0 C·g^(-1),其比电容的保持率为84.5%. 展开更多
关键词 金属有机框架材料 金属氧化物 超级电容器 电极材料 电化学性能
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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 被引量:2
14
作者 刁文豪 江伟华 王新新 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期565-568,共4页
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不... 给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。 展开更多
关键词 脉冲功率 高电压 半导体开关 MARX发生器 金属氧化物半导体场效应管
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金属氧化物气敏半导体表面受感性能的研究 被引量:9
15
作者 郝丕柱 裘南畹 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第8期105-108,共4页
本文提出了用化学反应动力学理论研究半导体统计分布的方法,并用此方法对在气敏材料表面可能产生吸附氧离子O2-、O-的几种历程进行了研究,导出了浓度比[O2-]/[O-]的公式。然后根据[O2-]/[O-]随温度的升高而... 本文提出了用化学反应动力学理论研究半导体统计分布的方法,并用此方法对在气敏材料表面可能产生吸附氧离子O2-、O-的几种历程进行了研究,导出了浓度比[O2-]/[O-]的公式。然后根据[O2-]/[O-]随温度的升高而下降的事实,通过对吸附氧离子麦德隆(Madelung)势的计算,得出了在完整离子晶体表面上不可能产生氧离子O-的结论,并讨论了可能产生离子O-的途径。 展开更多
关键词 半导体 金属氧化物 气敏半导体
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掺杂金属氧化物半导体气敏传感器性能的研究进展 被引量:7
16
作者 曹冠龙 李铁 +4 位作者 潘国峰 杨学莉 王如 崔军蕊 回广泽 《光电技术应用》 2020年第6期15-22,27,共9页
金属氧化物半导体气敏传感器因其灵敏度高、制造成本低、测量方式简单易行等特点受到了广泛关注,在有毒有害气体实时监测方面极具应用潜力。在制备过程中,掺杂作为常用的改性工艺之一,得到了国内外学者的广泛关注。文中将从掺杂的角度... 金属氧化物半导体气敏传感器因其灵敏度高、制造成本低、测量方式简单易行等特点受到了广泛关注,在有毒有害气体实时监测方面极具应用潜力。在制备过程中,掺杂作为常用的改性工艺之一,得到了国内外学者的广泛关注。文中将从掺杂的角度综述制备金属氧化物半导体气敏传感器的研究进展,其中包括一元纯金属氧化物、纯金属掺杂、稀土元素掺杂、复合金属氧化物、金属氧化物掺杂等。并对现阶段存在的问题及发展趋势进行了概述。 展开更多
关键词 金属氧化物 半导体 掺杂 气敏传感器 灵敏度
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高压抗辐射横向扩散金属氧化物半导体的设计与研究 被引量:1
17
作者 初飞 陈洪转 +2 位作者 彭领 王瑛 宁静怡 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2022年第5期82-88,共7页
针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件抗单粒子辐射性能低的问题,开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研究,采用重掺杂P+well及漏区缓冲层结构设计了一种耐压为60 V的N型LDMOS器件。利用TCAD软件对重掺杂P+w... 针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件抗单粒子辐射性能低的问题,开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研究,采用重掺杂P+well及漏区缓冲层结构设计了一种耐压为60 V的N型LDMOS器件。利用TCAD软件对重掺杂P+well及漏区缓冲层结构的加固机理进行仿真分析,并对回片器件利用Ta离子(线性能量转移,LET=79.2 MeV·cm^(2)/mg)进行辐照试验验证,结果表明,提高Pwell掺杂浓度和采用缓冲层结构可将高压LDMOS器件抗单粒子烧毁电压提升至60 V。 展开更多
关键词 功率集成电路 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 单粒子烧毁 单粒子栅穿
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金属氧化物基生物炭复合材料在污水处理领域中的应用现状 被引量:2
18
作者 包莫日根 莫日格吉乐 +2 位作者 赵红叶 赵斯琴 长山 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期213-220,共8页
生物炭是生物质在缺氧条件下热解产生的一种富含碳固体物质,特点为疏松多孔、比表面积大且表面富含酚羟基、羧基和氨基等多种官能团。同时,生物炭是一种廉价易得、性能优良的吸附材料,因其环境友好、来源广泛,在污水处理领域具有广泛应... 生物炭是生物质在缺氧条件下热解产生的一种富含碳固体物质,特点为疏松多孔、比表面积大且表面富含酚羟基、羧基和氨基等多种官能团。同时,生物炭是一种廉价易得、性能优良的吸附材料,因其环境友好、来源广泛,在污水处理领域具有广泛应用。分析了生物炭对水中污染物的吸附机理,重点阐述了TiO_(2)、磁性氧化铁、MnO_(2)以及其他氧化物等金属氧化物基生物炭复合材料在污水处理领域中的应用现状、循环利用以及再生性能,最后展望了金属氧化物基生物炭复合材料的发展前景。 展开更多
关键词 金属氧化物 生物炭 复合材料 污水处理领域 应用现状
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基于金属氧化物半导体的瓦斯气体传感器研究现状及进展 被引量:2
19
作者 陈享享 刘天豪 +5 位作者 欧阳云飞 黄世毅 张朝阳 罗盛葳 陈润萱 林修合 《金属矿山》 CAS 北大核心 2023年第11期34-44,共11页
瓦斯是我国煤矿以及相关金属矿山安全事故发生的主要诱因。甲烷是瓦斯的主要成分,利用高性能气体传感器对甲烷进行及时的监测预警,可有效保障矿山井下作业的安全。金属氧化物半导体型传感器相比电化学式、气相色谱式、接触燃烧式、光学... 瓦斯是我国煤矿以及相关金属矿山安全事故发生的主要诱因。甲烷是瓦斯的主要成分,利用高性能气体传感器对甲烷进行及时的监测预警,可有效保障矿山井下作业的安全。金属氧化物半导体型传感器相比电化学式、气相色谱式、接触燃烧式、光学式等气体传感器,具有成本低、体积小、稳定性好和响应快等优点,因此应用前景广泛。介绍了几种常见的金属氧化物半导体甲烷气敏材料,分析其用于甲烷气体传感的基本原理和优势,总结得出提升金属氧化物半导体材料气敏性能的3个主要方向为形貌调控、贵金属掺杂和构建异质结。目前需要进一步围绕表面电阻控制、化学敏化和电子敏化等3种气敏提升机制进行优化制备。总体而言,金属氧化物半导体气敏材料的研究为开发高性能瓦斯传感器奠定了基础,并将有助于矿山的安全和可持续生产。 展开更多
关键词 甲烷检测 金属氧化物半导体 气体传感器 气敏材料 煤矿安全
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P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术
20
作者 王思源 孙静 陆妩 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2021年第1期81-86,共6页
针对目前国内使用的P型金属氧化物半导体(Positive channel metal oxide semiconductor,PMOS)剂量计存在的灵敏度较低的问题,在对PMOS剂量计探头工作电路原理进行深入研究的基础上,采用差分工作模式的探头电路对我国PMOS剂量计的工作电... 针对目前国内使用的P型金属氧化物半导体(Positive channel metal oxide semiconductor,PMOS)剂量计存在的灵敏度较低的问题,在对PMOS剂量计探头工作电路原理进行深入研究的基础上,采用差分工作模式的探头电路对我国PMOS剂量计的工作电路进行改进,采用^60Coγ辐射源对国内常用探头进行辐照试验。结果表明:差分工作模式探头的辐照响应在线性度方面基本与国内目前常用的恒流注入工作模式探头保持一致,根据公式ΔVth=KD^n拟合后两种工作模式的n值均为0.7;而差分工作模式下探头的灵敏度得到了大幅度提高,恒流工作模式时探头灵敏度为0.0218 V/Gy(Si),差分工作模式时探头灵敏度为0.0972 V/Gy(Si),是恒流注入工作模式灵敏度的4倍有余。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET) 剂量计 差分电路 灵敏度 总剂量
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