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金属氧化物半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究进展 被引量:3
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作者 霸书红 才思雨 冯璐 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期460-470,I0008,共12页
金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在... 金属氧化物是由金属阳离子和氧阴离子通过离子键合排布成不同晶体结构的一类离子型化合物。部分金属氧化物的d壳没有被完全填充,使它们具有各种独特的性能,如宽的能带间隙、高的介电常数、活跃的电子转移能力以及优异的导电性等,因此在催化领域得到了广泛应用。本文介绍了单一金属氧化物、复合金属氧化物、掺杂金属氧化物和负载型金属氧化物四类半导体材料催化高氯酸铵热分解的研究现状,探讨了催化机理和影响催化效果的因素,分析得出P型金属氧化物半导体材料的禁带宽度越小,费米能级降低,逸出能越大,催化作用明显;对于N型来说,禁带宽度越大,费米能级升高,逸出能越小,催化效果越好。为了充分利用金属氧化物的优点克服其缺陷,常在金属氧化物中引入杂元素形成离子晶格缺陷和制造新的局部杂质能级以改变电子的跃迁,从而提高金属氧化物的催化性能。不论是复合金属氧化物,还是负载型金属氧化物,均存在对高氯酸铵的正协同催化效应。开发禁带宽度小的多孔纳米管P型金属氧化物、掺杂型金属氧化物和负载型金属氧化物材料仍是人们关注的重点。探索以高氯酸铵为基的核壳型复合材料、P-N结金属氧化物半导体催化材料以及探究载流子在两种半导体P-N界面间的迁移规律,有望成为提高催化效率的新途径。 展开更多
关键词 高氯酸铵 金属氧化物半导体材料 催化剂 禁带宽度
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金属氧化物半导体MEMS气体传感器研究进展 被引量:5
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作者 尹嘉琦 沈文锋 +3 位作者 吕大伍 赵京龙 胡鹏飞 宋伟杰 《材料导报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期30-43,共14页
随着物联网的快速发展,各领域对气体监测的需求越来越大,基于先进微机电系统(Micro-electro-mechanical systems, MEMS)技术的金属氧化物半导体(Metal oxide semiconductor, MOS)气体传感器在过去几十年里取得了很大发展。MEMS微热板的... 随着物联网的快速发展,各领域对气体监测的需求越来越大,基于先进微机电系统(Micro-electro-mechanical systems, MEMS)技术的金属氧化物半导体(Metal oxide semiconductor, MOS)气体传感器在过去几十年里取得了很大发展。MEMS微热板的多样化设计、MOSs纳米结构的多样化以及机器学习算法的出现为MEMS的传感性能以及智能传感系统的构建提供了很大助力。本文从MEMS气体传感器的分类、制备和应用以及传感器阵列的构建等方面综述了金属氧化物半导体MEMS气体传感器的最新研究进展,并对MEMS基气体传感器的发展前景进行了总结和展望。 展开更多
关键词 气体传感器 金属氧化物半导体 微机电系统 传感器阵列 智能传感系统
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金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究进展 被引量:6
3
作者 刘亚东 徐勇 +1 位作者 尤立娟 王学峰 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第10期1-5,共5页
选择性较差一直是金属氧化物半导体(MOS)传感器难以攻破的主要技术瓶颈。本文基于单层结构和分层结构两种角度,对目前解决MOS传感器选择性问题的技术途径进行了综述。基于单层结构提出的技术途径,能够在一定程度上提升传感器的选择性,... 选择性较差一直是金属氧化物半导体(MOS)传感器难以攻破的主要技术瓶颈。本文基于单层结构和分层结构两种角度,对目前解决MOS传感器选择性问题的技术途径进行了综述。基于单层结构提出的技术途径,能够在一定程度上提升传感器的选择性,但在实际应用环境下的抗干扰能力等方面存在一定的未知性和局限性。基于分层结构提出的技术途径,在对气体的响应过程中产生的具有差异性的特征,可以为传感器对目标气体的准确识别提供可靠依据。但分层结构MOS传感器一致性较难控制、制备技术要求较高、使用寿命相对较短等问题仍需进一步改进和完善。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体气体传感器 选择性 技术途径
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石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂制备工艺研究进展
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作者 王宁 林家一 +3 位作者 李涛 薛安 陈璐 黎阳 《工业水处理》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期63-72,共10页
光催化剂因其具有强氧化性、高化学稳定性、环保、无毒性等优点,广泛应用于污水处理、空气净化、疾病治疗、环境修复等领域。为改善纳米光催化剂的光响应范围,添加石墨烯基系列材料已成为国内外的研究热点。综述了石墨烯基材料与半导体... 光催化剂因其具有强氧化性、高化学稳定性、环保、无毒性等优点,广泛应用于污水处理、空气净化、疾病治疗、环境修复等领域。为改善纳米光催化剂的光响应范围,添加石墨烯基系列材料已成为国内外的研究热点。综述了石墨烯基材料与半导体金属氧化物复合光催化剂研究现状,总结了不同制备工艺对石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂形貌结构和光催化性能的影响,对各类制备工艺的优缺点进行了比较,并指出了相关工艺需要克服的关键技术问题,展望了石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂未来发展方向,以期为提高半导体金属氧化物的光催化性能和石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂制备工艺的优化提供参考。 展开更多
关键词 石墨烯 半导体金属氧化物 光催化剂 制备工艺
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量:3
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作者 李强 葛春桥 +4 位作者 陈露 钟威平 梁齐莹 柳春锡 丁金铎 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期447-465,共19页
基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶... 基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶硅(a-Si)在TFT中得到推广应用。然而,为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能(如高分辨率、高刷新率等)和更低功耗等多元升级要求,需要迁移率更高的MOS TFTs技术。本文从固体物理学的角度,系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展,并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。最后,总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 薄膜晶体管 场效应迁移率 偏压稳定性
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一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系 被引量:4
6
作者 张天舒 沈瑜生 《传感器技术》 CSCD 1996年第6期18-20,共3页
用NH4)2CO3作沉淀剂制得Cd:Sn=1:1的粉料,经750℃、15h热处理可得单相钛铁矿型β-CdSnO3。元件的电导-温度(G-t)特征表明β-CdSnO3为典型的表面电阻控制型气敏材料,无需掺贵金属催化剂就... 用NH4)2CO3作沉淀剂制得Cd:Sn=1:1的粉料,经750℃、15h热处理可得单相钛铁矿型β-CdSnO3。元件的电导-温度(G-t)特征表明β-CdSnO3为典型的表面电阻控制型气敏材料,无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此,β-CdSnO3很有希望作为一种新型的气敏材料体系。 展开更多
关键词 金属复合氧化物 气敏材料 半导体材料
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多形态双金属氧化物钴酸镍电极材料的超级电容储能性能研究进展
7
作者 韩媛 路露 +1 位作者 周小红 张鑫 《化工新型材料》 北大核心 2025年第10期54-59,64,共7页
电极材料是影响超级电容器、电池等储能元件性能的核心要素。双金属氧化物电极材料具有比单一金属氧化物高几个数量级的电导率因而可以实现更高的输出功率密度。其中,双金属氧化物钴酸镍(NiCo_(2)O_(4))由于具有良好的高电导率、超高的... 电极材料是影响超级电容器、电池等储能元件性能的核心要素。双金属氧化物电极材料具有比单一金属氧化物高几个数量级的电导率因而可以实现更高的输出功率密度。其中,双金属氧化物钴酸镍(NiCo_(2)O_(4))由于具有良好的高电导率、超高的理论比容量、耐腐蚀性和低毒性等优点备受关注。通过对NiCo_(2)O_(4)形貌的调控可以获得高性能电极材料。主要针对纳米线、纳米片、纳米管、纳米球、纳米花等多形态双金属氧化物NiCo_(2)O_(4)电极材料,探索了各种制备方法的基本原理、特点以及对纳米NiCo_(2)O_(4)形貌的调控规律;简要说明了材料形貌与尺寸对其性能影响的机理及规律。 展开更多
关键词 钴酸镍 金属氧化物 电极材料 多形态 储能研究
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钴基双金属氧化物复合碳质材料活化过硫酸盐研究进展
8
作者 王芮 成先雄 +3 位作者 连军锋 刘鑫 唐佳华 姚荣 《现代化工》 北大核心 2025年第5期60-65,共6页
讨论了非均相钴基双金属氧化物协同活化过硫酸盐降解污染物性能,钴基双金属催化剂通过2种金属的协同作用,构建金属离子氧化还原循环系统,能够显著提升催化剂的活性,克服了单金属效率低下和不稳定的问题。探讨了钴基双金属氧化物复合碳... 讨论了非均相钴基双金属氧化物协同活化过硫酸盐降解污染物性能,钴基双金属催化剂通过2种金属的协同作用,构建金属离子氧化还原循环系统,能够显著提升催化剂的活性,克服了单金属效率低下和不稳定的问题。探讨了钴基双金属氧化物复合碳质材料活化过硫酸盐性能,复合材料具有大比表面积和更多的含氧官能团,能够调控催化剂结构,提高电子转移速率,显著提高催化剂活性,同时减少钴的浸出,增强材料的重复使用性能。机理研究表明,针对不同污染物,自由基降解与非自由基降解发挥的主导作用不同,过渡金属通过活化过硫酸盐产生强自由基,碳基兼具自由基和非自由基降解途径。对钴基双金属氧化物复合碳质材料活化过硫酸盐未来研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 高级氧化 钴基双金属氧化物 碳质材料 活化 过硫酸盐
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不同金属氧化物掺杂对锰酸锂正极材料性能的影响
9
作者 谢雪珍 叶有明 +3 位作者 马皓皓 李杰华 韦友欢 曾军 《电源技术》 北大核心 2025年第7期1434-1438,共5页
锰酸锂(LiMn_(2)O_(4),LMO)正极材料Jahn-Teller效应引起的结构畸变问题,可以通过掺杂过渡金属氧化物来改善其电化学性能。以碳酸锂、二氧化锰为原料,三氧化二铁、氧化镁、二氧化钛、二氧化锆四种金属氧化物为掺杂改性剂对锰酸锂正极材... 锰酸锂(LiMn_(2)O_(4),LMO)正极材料Jahn-Teller效应引起的结构畸变问题,可以通过掺杂过渡金属氧化物来改善其电化学性能。以碳酸锂、二氧化锰为原料,三氧化二铁、氧化镁、二氧化钛、二氧化锆四种金属氧化物为掺杂改性剂对锰酸锂正极材料进行改性。结果表明:锰酸锂正极材料掺杂四种金属阳离子均可改善其电化学性能,其中掺杂镁的效果最好,交流阻抗最小,循环性能最佳,在1 C下首次放电比容量为122.93 mAh/g,循环60次后循环保持率为94.58%。掺杂镁有效提高了锰酸锂正极材料的电化学性能,为锰酸锂的工业化应用提供了有力支撑。 展开更多
关键词 锰酸锂 掺杂 正极材料 金属氧化物
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金属氧化物半导体对庚烷的气固复相光催化反应 被引量:17
10
作者 徐自力 郭晓静 +4 位作者 杜尧国 尚静 井立强 冯一文 张家骅 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期85-88,共4页
制备 Ti O2 ,Fe2 O3 ,Zn O超细粉 ,采用 XRD对制得的超细粉进行结构、粒径表征 .考察不同粒径的超细粉和普通商品 (体相 ) Fe2 O3 ,Ti O2 ,Zn O对庚烷的光催化反应 .结果表明 ,光催化活性大小的顺序为 Ti O2 (锐态矿型 ) >Zn O>Fe... 制备 Ti O2 ,Fe2 O3 ,Zn O超细粉 ,采用 XRD对制得的超细粉进行结构、粒径表征 .考察不同粒径的超细粉和普通商品 (体相 ) Fe2 O3 ,Ti O2 ,Zn O对庚烷的光催化反应 .结果表明 ,光催化活性大小的顺序为 Ti O2 (锐态矿型 ) >Zn O>Fe2 O3 ,锐钛矿型 Ti O2 光催化活性较金红石型 Ti O2 好 ,对于同一结构的粒子来说 ,粒径越小 。 展开更多
关键词 庚烷 光催化反应 金属氧化物半导体 气固复相光催化反应
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掺杂对金属半导体氧化物气敏性能影响的研究 被引量:8
11
作者 姜涛 吴一平 +1 位作者 陈建国 乔学亮 《材料导报》 EI CAS CSCD 1996年第2期25-28,共4页
综述了金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术,探讨了掺杂作用的机理,列举了对最典型半导体气敏元件的掺杂以及掺杂对气敏元件灵敏度和选择性的影响作用。
关键词 气敏元件 掺杂 金属氧化物 半导体
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CdO-Fe_2O_3复合氧化物半导体气敏材料的制备和性能 被引量:8
12
作者 刘杏芹 徐正良 +1 位作者 刘亚飞 沈瑜生 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期49-54,共6页
采用化学共沉淀法,制备了系列CdO-Fe2O3复合氧化物气敏半导体材料,研究了制备条件对电导和气敏性能的影响.结果表明:组分氧化物之间在250℃开始发生反应;Cd/Fe=1/2共沉淀粉料在600℃时形成单一尖晶石Cd... 采用化学共沉淀法,制备了系列CdO-Fe2O3复合氧化物气敏半导体材料,研究了制备条件对电导和气敏性能的影响.结果表明:组分氧化物之间在250℃开始发生反应;Cd/Fe=1/2共沉淀粉料在600℃时形成单一尖晶石CdFe2O4相;电导率和气敏性能随材料体系的化学组成及烧成温度不同而变化;Cd/Fe为1/2产物对乙醇有最高灵敏度和很好的选择性;优化制备工艺制得的气敏元件,对低浓度乙醇气体(100ppm)灵敏度高达20多倍,相当于1000ppm汽油灵敏度的5倍左右,具有应用开发前景. 展开更多
关键词 半导体 氧化 氧化二铁 复合氧化物 气敏材料
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红外和雷达复合隐身材料——掺杂氧化物半导体 被引量:42
13
作者 马格林 曹全喜 黄云霞 《红外技术》 CSCD 北大核心 2003年第4期77-80,共4页
从红外隐身、雷达隐身原理及电磁波在半导体表面层的吸收和反射的机理出发 ,从理论上分析了掺杂氧化物半导体材料同时实现红外和雷达隐身的可能性 ,指出ZAO(掺铝氧化锌 )作为红外和雷达隐身复合隐身材料是很有发展前景的。
关键词 掺杂氧化物半导体 红外隐身 雷达隐身 隐身材料 ZA0 掺铝氧化
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半导体复合氧化物气敏材料研究进展 被引量:7
14
作者 牛新书 杜卫平 蒋凯 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期737-740,共4页
综述了近几年半导体复合氧化物的发展,包括分类、气敏机理、制备方法等,对其发展趋势提出了一些看法。引用文献33篇。
关键词 半导体 复合氧化物 气敏材料
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金属氧化物半导体气敏机理探析 被引量:27
15
作者 田敬民 李守智 《西安理工大学学报》 CAS 2002年第2期144-147,共4页
讨论了金属氧化物半导体表面的气 -气、气 -固反应及其相应的电子过程 ,建立了分析气敏作用机理的理论模型 ,并提出了改进传感器性能的指导性意见。
关键词 气敏机理 气敏传感器 金属氧化物半导体 晶粒势垒
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金属氧化物半导体电阻型气敏传感器作用机理 被引量:10
16
作者 徐毓龙 曹全喜 周晓华 《传感技术学报》 CAS CSCD 1992年第2期53-64,共12页
根据实验所得规律,知金属氧化物表面发生的气—固、气—气反应及其相关的电子过程是气敏作用机理的基础.添加剂、表面处理、温度控制等都能够影响这些反应过程,可用来改善传感器的灵敏度和选择性.
关键词 气敏传感器 金属氧化物 半导体
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金属氧化物半导体气敏传感器稳定性研究进展 被引量:10
17
作者 周志刚 胡木林 李鄂胜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期52-56,共5页
金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变... 金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变化的贡献;微裂纹的加剧使器件的电阻发生漂移,并且为水蒸气、氧气和待测气体扩散到敏感膜内部提供便捷的通道;电极的退化影响电极与气敏材料之间的接触电阻Rc;温度和湿度的改变使气体的吸附、脱附、反应活性和电子迁移率等都发生变化,因而器件的稳定性得不到保证。在机理分析的基础上,分别介绍了提高器件稳定性的方法。 展开更多
关键词 气敏传感器 金属氧化物半导体 稳定性
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测量鱼鲜度的三甲胺[N(CH_3)_3]半导体金属氧化物传感元件的研制 被引量:8
18
作者 张忠孝 孟阿兰 +1 位作者 李厚福 张艳臣 《传感器技术》 CSCD 1995年第3期31-34,共4页
研制了一种新型的TiO2系鱼鲜度传感元件。它是以TiO2为基质,掺杂少量铟(In)制成的。其特点是响应快、响应下限低,选择性好和灵敏度高。
关键词 传感元件 三甲胺 鱼鲜度 半导体 金属氧化物
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金属氧化物半导体纳米晶液相法控制合成研究进展 被引量:1
19
作者 施利毅 王竹仪 +1 位作者 袁帅 赵尹 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2465-2475,共11页
对金属氧化物纳米晶的晶型、形貌及晶粒大小调控方法进行了综述,重点介绍了液相合成体系中表面活性剂、溶剂、杂质离子等因素对纳米晶形貌、晶型的调控作用以及各种方法的特点,提出发展绿色、高选择性合成方法制备单分散结构可控的金属... 对金属氧化物纳米晶的晶型、形貌及晶粒大小调控方法进行了综述,重点介绍了液相合成体系中表面活性剂、溶剂、杂质离子等因素对纳米晶形貌、晶型的调控作用以及各种方法的特点,提出发展绿色、高选择性合成方法制备单分散结构可控的金属氧化物半导体纳米晶仍是今后重要的研究方向之一。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 纳米晶 液相合成 形貌 晶型
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高压高温合成复合氧化物半导体纳米块体材料的结构和电学性质 被引量:1
20
作者 王疆瑛 陶明德 +1 位作者 谭辉 韩英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期667-668,共2页
采用高压高温合成方法制备出锰镍复合氧化物半导体纳米块体材料。用X射线衍射(XRD),高分辨电子显微镜(HTEM)表征纳米块体材料的结构。用恒压源测定室温下电流-电压曲线(零功率)。实验结果表明:纳米固体材料微观结构存在长程有... 采用高压高温合成方法制备出锰镍复合氧化物半导体纳米块体材料。用X射线衍射(XRD),高分辨电子显微镜(HTEM)表征纳米块体材料的结构。用恒压源测定室温下电流-电压曲线(零功率)。实验结果表明:纳米固体材料微观结构存在长程有序的晶粒结构与界面无序态的结构。纳米固体材料的电学特性与材料的微观结构有关。 展开更多
关键词 高温高压合成 纳米块体材料 氧化物半导体
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