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压控型脉冲功率半导体器件技术及应用 |
孙瑞泽
陈万军
刘超
刘红华
姚洪梅
张波
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《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
4
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基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性 |
覃新
朱朋
徐聪
杨智
张秋
沈瑞琪
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《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2019 |
9
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电力半导体器件的现状及发展趋势 |
陈烨
吴济钧
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1996 |
1
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功率MOSFET在永磁同步电机控制中的影响和分析 |
田朝阳
朱德明
王兴理
佟月伟
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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大功率半导体技术现状及其进展 |
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
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《机车电传动》
北大核心
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2021 |
14
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MOS控制的晶闸管简介 |
刘成芳
钟利平
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《国外电子元器件》
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1995 |
0 |
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碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究 |
黄润华
钮应喜
杨霏
陶永洪
柏松
陈刚
汪玲
刘奥
卫能
李赟
赵志飞
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《智能电网》
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2015 |
6
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高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响 |
周钦佩
张静
夏经华
许恒宇
万彩萍
韩锴
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《半导体技术》
CSCD
北大核心
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2017 |
2
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含氮MOS栅介质中氮的结键模式 |
张国强
郭旗
陆妩
余学锋
任迪远
严荣良
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
1
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薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析 |
冯耀兰
杨国勇
张海鹏
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
1
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纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展 |
何进
张兴
黄如
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
1
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基于半速率锁相环的5Gb/s CMOS单片时钟恢复电路 |
仇应华
王志功
朱恩
冯军
熊明珍
章丽
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
1
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MOSFET栅极驱动的优化设计 |
杨汝
朱红萍
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《通信电源技术》
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2002 |
11
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薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27~300℃)宽温区高温特性的研究 |
冯耀兰
樊路加
宋安飞
施雪捷
张正璠
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《电子器件》
CAS
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2002 |
0 |
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宽带低噪声CMOS数字电视频率综合器 |
吴烜
孙文
江玮
时龙兴
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
0 |
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高功率宽调谐声光调制器驱动源的研究 |
王锦荣
吴双娥
米成栋
朱梦琦
程子源
高旭珍
史旭蓉
杜胜利
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《量子电子学报》
北大核心
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2025 |
0 |
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DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布 |
赵洪利
曾传滨
刘魁勇
刘刚
罗家俊
韩郑生
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
3
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用于功率MOSFET的新型栅电荷测试电路 |
吴志猛
冯全源
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
4
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增益可控CMOS低噪声放大器 |
胡嘉盛
李巍
任俊彦
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
3
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钟控神经MOS晶体管的建模及其电路仿真 |
曹亚明
汤玉生
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
4
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