金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistors,MOTFTs)因其具有较高的载流子迁移率和较好的电学稳定性,在大尺寸发光显示驱动背板应用方面极具潜力。此外,MOTFTs与非晶硅薄膜晶体管的制备工艺兼容,制造成本较低,具有较大市...金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistors,MOTFTs)因其具有较高的载流子迁移率和较好的电学稳定性,在大尺寸发光显示驱动背板应用方面极具潜力。此外,MOTFTs与非晶硅薄膜晶体管的制备工艺兼容,制造成本较低,具有较大市场竞争优势。然而,衡量MOTFTs性能的两个关键指标——迁移率和稳定性之间的矛盾限制了其高端显示应用。因此,开发高迁移率兼具高稳定性的MOTFTs成为研究热点和产业竞争焦点。大量研究表明,稀土掺杂氧化物有源半导体材料体系有望实现这一目标。本文重点综述兼具高迁移率和高稳定性的稀土掺杂氧化物材料设计及MOTFTs已达到的性能,探讨稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管(RE-MOTFTs)面临的挑战和发展潜力。展开更多
文摘金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistors,MOTFTs)因其具有较高的载流子迁移率和较好的电学稳定性,在大尺寸发光显示驱动背板应用方面极具潜力。此外,MOTFTs与非晶硅薄膜晶体管的制备工艺兼容,制造成本较低,具有较大市场竞争优势。然而,衡量MOTFTs性能的两个关键指标——迁移率和稳定性之间的矛盾限制了其高端显示应用。因此,开发高迁移率兼具高稳定性的MOTFTs成为研究热点和产业竞争焦点。大量研究表明,稀土掺杂氧化物有源半导体材料体系有望实现这一目标。本文重点综述兼具高迁移率和高稳定性的稀土掺杂氧化物材料设计及MOTFTs已达到的性能,探讨稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管(RE-MOTFTs)面临的挑战和发展潜力。
