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CVD技术在制备含硅化合物膜层中的应用
被引量：
2
1
作者
刘立
沈复初
+3 位作者
袁骏
叶必光
田丽
郦剑
《材料科学与工程》
CSCD
北大核心
2001年第2期128-131,共4页
本文综述了近十几年来CVD技术在不同基底材料上制取含硅化合物膜层的研究应用 。
关键词
硅
基
底
玻璃
基
底
金属材料基底
CVD
含硅化合物膜
化学气相沉积
薄膜制备
在线阅读
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职称材料
题名
CVD技术在制备含硅化合物膜层中的应用
被引量：
2
1
作者
刘立
沈复初
袁骏
叶必光
田丽
郦剑
机构
浙江大学材料系
出处
《材料科学与工程》
CSCD
北大核心
2001年第2期128-131,共4页
基金
浙江省自然科学基金资助项目 !(5 990 67)
文摘
本文综述了近十几年来CVD技术在不同基底材料上制取含硅化合物膜层的研究应用 。
关键词
硅
基
底
玻璃
基
底
金属材料基底
CVD
含硅化合物膜
化学气相沉积
薄膜制备
Keywords
CVD
silicon
films
分类号
TB43 [一般工业技术]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
CVD技术在制备含硅化合物膜层中的应用
刘立
沈复初
袁骏
叶必光
田丽
郦剑
《材料科学与工程》
CSCD
北大核心
2001
2
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职称材料
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