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金属有机物分解法制备SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的开关特性
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作者 赵成 石竹南 +4 位作者 毛翔宇 杨晓秋 陈小兵 张志刚 朱劲松 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期600-602,共3页
用金属有机物分解 (MOD)以及sol gel方法制备了SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜。经测量在 75 0℃晶化的SBT薄膜具有很好的铁电性能。通过对SBT样品极化反转过程进行测试 ,得到了外加电压 ( 0 .5~ 5V)与SBT薄膜的开关时间 ( 10 0~6 0 0ns)... 用金属有机物分解 (MOD)以及sol gel方法制备了SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜。经测量在 75 0℃晶化的SBT薄膜具有很好的铁电性能。通过对SBT样品极化反转过程进行测试 ,得到了外加电压 ( 0 .5~ 5V)与SBT薄膜的开关时间 ( 10 0~6 0 0ns)及极化反转电荷的关系。 展开更多
关键词 钽酸锶铋 电滞回线 极化反转 开关时间 铁电薄膜 金属有机物分解
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高纯铟的制备方法 被引量:18
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作者 周智华 莫红兵 曾冬铭 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期40-43,共4页
介绍了由粗铟生产制备高纯铟的几种方法 ,包括升华法、区域熔炼法、真空蒸馏法、金属有机物法、离子交换法、萃取法、电解精炼法等。采用预先纯化和电解精炼相结合的方法 ,控制电解液成分以及电解条件 ,可除去粗铟中的大部分杂质 ,所得... 介绍了由粗铟生产制备高纯铟的几种方法 ,包括升华法、区域熔炼法、真空蒸馏法、金属有机物法、离子交换法、萃取法、电解精炼法等。采用预先纯化和电解精炼相结合的方法 ,控制电解液成分以及电解条件 ,可除去粗铟中的大部分杂质 ,所得铟产品的纯度符合国家In -0 展开更多
关键词 高纯钥 制备方 电解精炼 升华 区域熔炼 真空蒸馏 金属有机物法 离子交换 萃取
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纳米钡铁氧体制备技术的研究进展 被引量:20
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作者 王琦洁 黄英 熊佳 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期49-53,共5页
综述了近年来在M型(磁铅石结构)钡铁氧体超微粉体合成领域的一些研究进展,包括低温化学法、喷雾热解法、化学共沉淀法、水热法、玻璃结晶化法、微乳液法、金属有机物水解法、有机树脂法、自蔓延高温合成法、溶胶-凝胶法等,并分析了上述... 综述了近年来在M型(磁铅石结构)钡铁氧体超微粉体合成领域的一些研究进展,包括低温化学法、喷雾热解法、化学共沉淀法、水热法、玻璃结晶化法、微乳液法、金属有机物水解法、有机树脂法、自蔓延高温合成法、溶胶-凝胶法等,并分析了上述制备方法的优缺点。 展开更多
关键词 纳米钡铁氧体 制备技术 低温化学 喷雾热解 化学共沉淀 水热 玻璃结晶化 微乳液 金属有机物水解 有机树脂 自蔓延高温合成 溶胶-凝胶 永磁铁氧体材料
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退火对Ga_2O_3薄膜特性的影响 被引量:11
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作者 马征征 董鑫 +2 位作者 庄仕伟 许恒 胡大强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期606-610,共5页
采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga_2O_3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,研究了各类退火工艺对Ga_2O_3薄膜特性的影响,对退火所得的薄膜进行了X射线衍射、光致发光谱、紫外透射... 采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga_2O_3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,研究了各类退火工艺对Ga_2O_3薄膜特性的影响,对退火所得的薄膜进行了X射线衍射、光致发光谱、紫外透射谱和原子力显微镜扫描的研究。结果表明,各类退火工艺均能够优化薄膜的晶体质量和表面形貌,同时有效改善了薄膜的光学性质。其中,氧气退火后的样品在可见光波段透射率高达83%,且吸收边更加陡峭;表面粗糙度降至0.564 nm,其表面更为平整。这些结果说明氧气退火对晶体质量的提高最为显著。氮气、真空退火的样品在光致发光谱中出现365 nm的发光峰,这是大量氧空位的存在导致的。 展开更多
关键词 氧化镓 退火 蓝宝石衬底 金属有机物化学气相沉积
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GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱红外探测器光谱特性研究 被引量:3
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作者 胡小英 刘卫国 +2 位作者 段存丽 蔡长龙 关晓 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第8期2305-2308,共4页
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77... 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43μm,8.32μm,与根据薛定谔方程得到器件理论峰值波长8.5μm间误差分别为1.0%,2.1%。实验结果说明MOCVD技术可以满足QWIP生长制备工艺要求,且器件电极压焊点位置与面积大小对器件峰值波长影响不大,而对峰值电流有一定影响。 展开更多
关键词 GA As/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器 金属有机物化学气相沉积 光谱特性
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用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长
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作者 汪韬 杨瑾 +4 位作者 尹飞 王警卫 胡雅楠 张立臣 殷景致 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期511-513,550,555,共5页
用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材... 用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材料可以响应10μm的长波,且具有良好的表面形貌和外延层质量. 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 禁带宽度 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 原子力显微镜(AFM) 光致发光(PL)谱
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可用于高导电性印刷电极的低温固化纳米铜墨水 被引量:5
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作者 Byoungyoon Lee Yoonhyun Kim +3 位作者 Seungnam Yang Inbum Jeong Jooho Moon 方一(编译) 《中国印刷与包装研究》 CAS 2009年第5期70-72,共3页
本文提出了一种可用于轮转印刷工艺的有机金属基铜导电墨水。在高于250℃的温度下烧结时,金属有机物可在柔性基材上分解形成高导电性的铜膜。该纳米导电墨水由癸酸铜与平均粒径小于100nm的复合铜纳米微粒制备得到。铜墨水的黏度范围是10... 本文提出了一种可用于轮转印刷工艺的有机金属基铜导电墨水。在高于250℃的温度下烧结时,金属有机物可在柔性基材上分解形成高导电性的铜膜。该纳米导电墨水由癸酸铜与平均粒径小于100nm的复合铜纳米微粒制备得到。铜墨水的黏度范围是104~105mPa·s(转速为50rpm)。在3%的H2环境中,在高于250℃的温度下烧结20min后得到的导电铜膜电阻率低于10μΩ·cm。在320℃温度下烧结20min后,导电铜膜电阻率可进一步降低到4.4μΩ·cm。当在柔性基材上低温烧结时,纳米铜墨水会继续形成高导电性的金属膜。同时本文也成功地证明了该纳米铜墨水的印刷适性。 展开更多
关键词 金属有机物分解 铜导电墨水 电阻 轮转式
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