c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积

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作者 王子铭 张雅超 +6 位作者 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期420-425,共6页

本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_... 本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_(3)物相构成,在生长温度从360℃变化至425℃均能观察到β-Ga_(2)O_(3)(402)峰,而在370~410℃还能观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰。其中,380和390℃时的样品具有更强的ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰和更低的半峰全宽,以及更低的表面粗糙度。两步生长法为以380℃生长的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜作为缓冲层,而后在400~430℃继续生长ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰强度均高于单步生长法且半峰全宽均更低,在430℃时薄膜的(004)峰摇摆曲线半峰全宽达到0.49°。进一步改变单步生长法的压强,明确缓冲层有效促进ε-Ga_(2)O_(3)沿c轴生长。 展开更多

关键词 ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学气相沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜

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金属有机物化学气相沉积法制备负载型纳米TiO_2光催化剂及性能评价 被引量：9

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作者 徐甦 周明华 +1 位作者 张兴旺 雷乐成 《高校化学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期119-123,共5页

纳米粉末TiO2是有效的光催化剂,但存在回收困难、分散性差、颗粒易团聚等问题,极大地限制了其在废水处理中的实际应用.为解决上述问题,采用常压金属有机物化学气相沉积技术在活性炭表面沉积构成纳米TiO2固定化非均相光催化剂.XRD图谱表... 纳米粉末TiO2是有效的光催化剂,但存在回收困难、分散性差、颗粒易团聚等问题,极大地限制了其在废水处理中的实际应用.为解决上述问题,采用常压金属有机物化学气相沉积技术在活性炭表面沉积构成纳米TiO2固定化非均相光催化剂.XRD图谱表明煅烧温度为773 K时负载的TiO2晶型结构为锐钛矿,873 K时出现金红石相.TEM分析表明负载量为8%(wt)时负载的TiO2颗粒的粒径为10～20 nm;载体负载前后BET面积减少仅为6%.以对氯苯酚(4-CP)为污染物进行了光催化降解实验,结果表明制备的负载型TiO2的光催化活性不仅接近商业粉末光催化剂P25,而且可以重复使用10次其光催化活性保持不变,显示了较好的废水处理应用前景. 展开更多

关键词 金属有机物化学气相沉积 光催化 二氧化钛 难降解废水

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沉积温度对MOCVD法制备固体氧化物燃料电池GDC阻挡层性质的影响

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作者 马超 熊春艳 +1 位作者 徐源来 赵培 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第12期2197-2204,共8页

致密的氧化钆掺杂的氧化铈(GDC)薄膜可以被应用于固体氧化物燃料电池(SOFC)的阴极LSCF与电解质YSZ的阻挡层,防止绝缘相SrZrO3的生成,从而提高电池的耐久性。本文以四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铈(Ce(DPM)_(4))和三(2,2,6,6-四甲基-3,5... 致密的氧化钆掺杂的氧化铈(GDC)薄膜可以被应用于固体氧化物燃料电池(SOFC)的阴极LSCF与电解质YSZ的阻挡层,防止绝缘相SrZrO3的生成,从而提高电池的耐久性。本文以四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铈(Ce(DPM)_(4))和三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)钆(Gd(DPM)_(3))为前驱体,采用智能化学气相沉积设备在723~923 K在YSZ陶瓷基板表面制备GDC薄膜,并研究了不同沉积温度对GDC薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构和电化学性能的影响。在748~923 K时制备了具有(200)择优取向的淡黄色GDC薄膜,且GDC晶粒呈岛状生长模式。在873 K时得到了阻挡效果良好的(200)择优取向的淡黄色GDC薄膜。组装LSCF/GDC/YSZ/GDC/LSCF对称电池,在1073 K下测得电池阻抗为0.08Ω·cm^(2),活化能为1.52 eV,表明873 K为化学气相沉积法制备GDC薄膜的最佳沉积温度。 展开更多

关键词 氧化钆掺杂氧化铈 金属有机物化学气相沉积 沉积温度 固体氧化物燃料电池

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基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长

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作者 高楠 房玉龙 +4 位作者 王波 张志荣 尹甲运 韩颖 刘超 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期481-487,共7页

GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H2刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AlN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬... GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H2刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AlN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬底台阶宽度有助于降低半高宽(FWHM)。采用不同表面预处理条件进行材料生长,发现氨气/三甲基铝(NH_(3)/TMAl)交替预处理对台阶有修饰作用,有助于降低GaN(002)晶面X射线衍射(XRD)峰FWHM,对(102)晶面XRD峰FWHM影响较小。最后讨论了AlN生长温度对GaN晶体质量的影响,发现AlN和GaN晶体质量均随温度升高而提高。综合各条件生长得到的GaN(002)晶面XRD峰FWHM为58.5 arcsec的GaN外延层,该FWHM为目前已知最低值,该样品GaN(102)晶面XRD峰FWHM为104.9 arcsec。 展开更多

关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶 高温刻蚀 半高宽(FWHM)

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前驱体加热温度对Pt-Ir合金薄膜的成分与沉积速率的影响 被引量：1

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作者 陈力 胡昌义 +1 位作者 蔡宏中 王云 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期1-3,7,共4页

以乙酰丙酮铱和乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上沉积了PtIr薄膜。研究了前驱体加热温度对PtIr薄膜结构、成分和沉积速率的影响。结果表明,MOCVD的PtIr薄膜为合金膜,Pt-Ir合金薄膜成分、沉积速... 以乙酰丙酮铱和乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在钼基体上沉积了PtIr薄膜。研究了前驱体加热温度对PtIr薄膜结构、成分和沉积速率的影响。结果表明,MOCVD的PtIr薄膜为合金膜,Pt-Ir合金薄膜成分、沉积速率随前躯体加热温度变化而变化,并存在极值点。 展开更多

关键词 复合材料 金属有机物化学气相沉积 Pt—Ir合金膜 成分 沉积速率

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玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究 被引量：2

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作者 王文彦 秦福文 +5 位作者 吴爱民 宋世巍 李瑞 姜辛 徐茵 顾彪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期880-884,共5页

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了... 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。 展开更多

关键词 电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 氮化镓 低温沉积 玻璃衬底

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MOCVD生长的中红外高功率量子级联激光器

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作者 杨鹏昌 李曼 +4 位作者 孙永强 程凤敏 翟慎强 刘峰奇 张锦川 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期794-799,共6页

量子级联激光器(QCL)是中远红外波段的优质光源,具有体积小、重量轻、电光转化效率高等诸多优势,在传感、通信和国防等领域有重要的应用前景。金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为更高效的外延方式,应发展适用于QCL的MOCVD外延生长... 量子级联激光器(QCL)是中远红外波段的优质光源,具有体积小、重量轻、电光转化效率高等诸多优势,在传感、通信和国防等领域有重要的应用前景。金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为更高效的外延方式,应发展适用于QCL的MOCVD外延生长技术以满足快速增长的市场需求。本文报道了全结构由MOCVD技术外延的QCL,通过将传统的“双声子共振”有源区结构修订为“单声子共振结合连续态抽取”结构,减少了电子的热逃逸,改善了器件的温度特性。针对该结构,进一步改变了有源区的掺杂浓度,并对比了不同掺杂浓度对器件性能的影响。腔长8 mm、平均脊宽约6.7μm的较高掺杂有源区器件在20℃下连续输出功率达3.43 W,中心波长约4.6μm,电光转化效率达13.1%;8 mm腔长的较低掺杂有源区器件在20℃下连续输出功率达2.73 W,中心波长约4.5μm,阈值电流仅0.56 A,峰值电光转化效率达15.6%。器件的输出功率和电光转化效率较之前文献报道的MOCVD制备的QCL有明显提高。该结果表明,MOCVD完全具备生长高功率QCL的能力,这对推动QCL的技术进步具有重要意义。 展开更多

关键词 量子级联激光器 中红外 高功率 金属有机物化学气相沉积

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Zn、Si掺杂GaAs纳米线的发光性能

8

作者 郎天宇 王海珠 +2 位作者 于海鑫 王登魁 马晓辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期234-241,共8页

为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs... 为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs纳米线具有更优异的发光质量,带隙随温度的变化规律符合Varshni公式,发光来源为自由激子复合(α>1)。而Zn掺杂纳米线的发光峰出现极大展宽,发光来源为缺陷或杂质相关跃迁(α<1),峰位随激发功率的变化规律与P^(1/3)成正比。结合透射电子显微镜(TEM)测试结果进一步表明,Zn掺杂纳米线中出现了纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混合结构,是导致GaAs纳米线发光质量变差的主要原因。 展开更多

关键词 材料 发光性能 金属有机物化学气相沉积 掺杂GaAs纳米线

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双有源区结构4.7μm中波红外量子级联激光器

9

作者 王渝沛 章宇航 +8 位作者 罗晓玥 钱晨灏 程洋 赵武 魏志祥 韩迪仪 孙方圆 王俊 周大勇 《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1042-1049,共8页

本文报道了一种基于双有源区的4.7μm中波红外量子级联激光器,脊宽为9.5μm,可实现室温连续基横模工作。通过在单有源区中心插入0.8μm InP间隔层,将原有的单有源区转变成双有源区结构,可显著降低器件有源区的峰值温度,同时抑制高阶横... 本文报道了一种基于双有源区的4.7μm中波红外量子级联激光器,脊宽为9.5μm,可实现室温连续基横模工作。通过在单有源区中心插入0.8μm InP间隔层,将原有的单有源区转变成双有源区结构,可显著降低器件有源区的峰值温度,同时抑制高阶横模的产生。在288 K温度下,腔长为5 mm的双有源区器件的阈值电流密度为1.14 kA/cm2,连续输出功率为0.71 W,快轴发散角为27.3°,慢轴发散角为18.1°。同采用常规单有源区结构器件相比,采用双有源区结构的器件,其最大光输出功率未出现退化,同时器件慢轴方向由多模变化为基横模,光束质量得到了显著改善。本工作为改善高功率中波量子级联激光器的慢轴光束质量提供了一种解决思路。 展开更多

关键词 中红外 量子级联激光器 双有源区 金属有机物化学气相沉积 连续输出

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MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性 被引量：1

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作者 林秀华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期324-329,共6页

评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,Ga... 评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度 ,气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高 ,引起PL发光谱峰向长波侧移动 ;GaN缓冲层生长温度必须控制在 5 5 0℃。高的Ⅴ /Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中 5 5 0nm辐射峰产生。为了获得高质量 p AlGaN、GaN层 ,控制生长温度和以Cp2 Mg为杂质源的Mg受主掺杂量 ,并在N2 气氛中 80 0℃快速退火 。 展开更多

关键词 氮化镓薄膜 InGaN/A1GaN双异质结构 MOCVD技术 掺杂 薄膜生长 发光二极管 生长动力学 金属有机物化学沉积 铟镓氮化合物 铝镓氮化合物

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MOCVD法制备多层Ir涂层的显微结构 被引量：13

11

作者 杨文彬 张立同 +2 位作者 成来飞 华云峰 徐永东 《固体火箭技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期56-59,共4页

以三乙酰丙酮铱为先驱体,采用金属有机物化学气相沉积法,通过变温多次沉积在石英基片和热解碳层上制备出多层Ir涂层。XRD研究表明,Ir涂层呈多晶态。试样冲击断裂后,SEM观察横截面显示,涂层与基片以及涂层之间结合良好,无层间开裂发生。... 以三乙酰丙酮铱为先驱体,采用金属有机物化学气相沉积法,通过变温多次沉积在石英基片和热解碳层上制备出多层Ir涂层。XRD研究表明,Ir涂层呈多晶态。试样冲击断裂后,SEM观察横截面显示,涂层与基片以及涂层之间结合良好,无层间开裂发生。内层涂层虽然有孔隙缺陷,但经多次沉积,后继制备的涂层能很好地将其封填。 展开更多

关键词 铱涂层 金属有机物化学气相沉积 多层结构

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退火对Ga_2O_3薄膜特性的影响 被引量：11

12

作者 马征征 董鑫 +2 位作者 庄仕伟 许恒 胡大强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期606-610,共5页

采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga_2O_3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,研究了各类退火工艺对Ga_2O_3薄膜特性的影响,对退火所得的薄膜进行了X射线衍射、光致发光谱、紫外透射... 采用金属有机物化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了高质量的β-Ga_2O_3薄膜,并将样品分别在真空、氧气、氮气氛围下退火30 min,研究了各类退火工艺对Ga_2O_3薄膜特性的影响,对退火所得的薄膜进行了X射线衍射、光致发光谱、紫外透射谱和原子力显微镜扫描的研究。结果表明,各类退火工艺均能够优化薄膜的晶体质量和表面形貌,同时有效改善了薄膜的光学性质。其中,氧气退火后的样品在可见光波段透射率高达83%,且吸收边更加陡峭;表面粗糙度降至0.564 nm,其表面更为平整。这些结果说明氧气退火对晶体质量的提高最为显著。氮气、真空退火的样品在光致发光谱中出现365 nm的发光峰,这是大量氧空位的存在导致的。 展开更多

关键词 氧化镓 退火 蓝宝石衬底 金属有机物化学气相沉积法

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InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究 被引量：4

13

作者 刘英斌 林琳 +2 位作者 陈宏泰 赵润 郑晓光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期113-115,120,共4页

研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度... 研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度和二维生长模型解释了台阶聚集现象的形成。对外延材料进行化学腐蚀,通过双晶X射线衍射(DCXRD)分析发现异质结界面存在应力,用异质结界面岛状InAs富集解释了应力的产生。通过严格控制InGaAs材料的晶格匹配,并优化MOCVD外延生长工艺,制备出厚层InGaAs外延材料,获得了低于1×1015cm-3的背景载流子浓度和良好的晶体质量。 展开更多

关键词 INGAAS 单原子层 台阶聚集 界面 金属有机物化学气相沉积

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SiN_x插入层的生长位置对GaN外延薄膜性质的影响(英文) 被引量：4

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作者 马紫光 王文新 +5 位作者 王小丽 陈耀 徐培强 江洋 贾海强 陈弘 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1014-1019,共6页

系统研究了纳米量级的多孔SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在GaN粗糙层上能够得到最好的晶体质量。利用测量结果分别计算出了螺位错和刃位错的密度。此外,GaN薄膜的光学... 系统研究了纳米量级的多孔SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在GaN粗糙层上能够得到最好的晶体质量。利用测量结果分别计算出了螺位错和刃位错的密度。此外,GaN薄膜的光学、电学性质分别用Raman散射能谱、低温光致发光能谱和霍尔测量的方法进行了表征。实验发现:SiNx插入层的生长位置对GaN薄膜的应变大小基本没有影响;但插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度。 展开更多

关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN SINX 高分辨X射线衍射

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GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As QWIP暗电流特性HRTEM研究 被引量：5

15

作者 胡小英 刘卫国 +3 位作者 段存丽 蔡长龙 韩军 刘钧 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第9期3057-3060,共4页

采用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料，制备300μm×300μm台面，内电极压焊点面积为20μm×20μm，外电极压焊点面积为80μm×80μm的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77~30... 采用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料，制备300μm×300μm台面，内电极压焊点面积为20μm×20μm，外电极压焊点面积为80μm×80μm的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77~300 K暗电流特性测试。结果显示，器件暗电流曲线呈现出正负偏压的不对称性。利用高分辨透射扫描电镜（HRTEM）获得样品纳米尺度横断面高分辨像，分析结果表明：样品横断面处存在不同程度的位错及不均匀性。说明样品内部穿透位错造成相位分离是引起量子阱光电性能变差的根本原因，不同生长次序中AlGaAs与GaAs界面的不对称性与掺杂元素的扩散现象加剧了暗电流曲线的不对称性。 展开更多

关键词 量子阱红外探测器 GAAS/ALGAAS 金属有机物化学气相沉积 暗电流 高分辨透射扫描电镜

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脱除氢气流中AsH_3和PH_3的专用浸渍活性炭及滤毒罐(英文) 被引量：4

16

作者 郭坤敏 谢自立 +1 位作者 马兰 袁存乔 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第2期54-56,共3页

在半导体领域的金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)过程中 ,排出含有剧毒AsH3 和PH3 的氢气 ,必须经过治理达标才能放空。为此 ,在从瑞典引进的MOCVD装置VP5 0 RP中 ,配套使用了德国DragerB3P3滤毒罐。研制出一种新型四元浸渍活性炭及滤毒... 在半导体领域的金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)过程中 ,排出含有剧毒AsH3 和PH3 的氢气 ,必须经过治理达标才能放空。为此 ,在从瑞典引进的MOCVD装置VP5 0 RP中 ,配套使用了德国DragerB3P3滤毒罐。研制出一种新型四元浸渍活性炭及滤毒罐 ,其在同等条件下对氢气流中AsH3 和PH3 的脱除能力为DragerB3P3罐的2倍～ 3倍。 展开更多

关键词 浸渍活性炭 AsH3 PH3 金属有机物化学气相沉积 半导体 脱氢 滤毒罐

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腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长GaN质量的影响 被引量：5

17

作者 赵广才 李培咸 郝跃 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期624-627,共4页

使用熔融的KOH在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了GaN材料的外延生长。通过X射线衍射结果比较了两组衬... 使用熔融的KOH在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了GaN材料的外延生长。通过X射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机理。 展开更多

关键词 图形衬底 金属有机物化学气相沉积 氮化镓

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GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱红外探测器光谱特性研究 被引量：3

18

作者 胡小英 刘卫国 +2 位作者 段存丽 蔡长龙 关晓 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第8期2305-2308,共4页

采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77... 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43μm,8.32μm,与根据薛定谔方程得到器件理论峰值波长8.5μm间误差分别为1.0%,2.1%。实验结果说明MOCVD技术可以满足QWIP生长制备工艺要求,且器件电极压焊点位置与面积大小对器件峰值波长影响不大,而对峰值电流有一定影响。 展开更多

关键词 GA As/Al0.3Ga0.7As 量子阱红外探测器 金属有机物化学气相沉积法 光谱特性

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外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究 被引量：4

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作者 李影智 邢艳辉 +3 位作者 韩军 陈翔 邓旭光 徐晨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1084-1088,共5页

采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/... 采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。 展开更多

关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(GaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(PL)光谱

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Fe/GaN、Fe_3N/GaN的生长及其性能研究 被引量：2

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作者 陶志阔 张荣 +3 位作者 陈琳 修向前 谢自力 郑有炓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期2647-2650,共4页

应用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在c轴取向的GaN上生长出Fe颗粒薄膜以及Fe3N薄膜。应用XRD、AFM、XPS以及SQUID等技术对薄膜的结构、表面形貌以及磁学性能等性质进行了分析,结果表明六方结构的GaN上生长的Fe为立方结构,且以Fe(1... 应用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在c轴取向的GaN上生长出Fe颗粒薄膜以及Fe3N薄膜。应用XRD、AFM、XPS以及SQUID等技术对薄膜的结构、表面形貌以及磁学性能等性质进行了分析,结果表明六方结构的GaN上生长的Fe为立方结构,且以Fe(110)//GaN(0002)晶面以及Fe[001]//GaN[11■0]轴的方式存在,而生长的Fe3N为六方结构,且以Fe3N(0002)//GaN(0002)晶面以及Fe3N[11■0]//GaN[1ī00]轴的方式存在。同时,磁学分析表明,平行于薄膜方向为易磁化方向,垂直于薄膜方向为难磁化方向。 展开更多

关键词 自旋注入 金属有机物化学气相沉积 铁磁薄膜

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