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金属有机物化学气相沉积法沉积镍膜的影响因素 被引量：4
1
作者 刘世良 赵立峰 +1 位作者 彭冬生 谢长生 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期4-6,共3页
为了获得高速沉积镍膜的工艺参数 ,以羰基镍 [Ni(CO) 4 ]为前驱体 ,用金属有机物化学气相沉积法进行试验 ,以SEM ,DSC ,XRD测试分析技术探讨了载气、温度和羰基镍的摩尔分数对沉积速率的影响 ;也探讨了温度及羰基镍的摩尔分数对镍膜微... 为了获得高速沉积镍膜的工艺参数 ,以羰基镍 [Ni(CO) 4 ]为前驱体 ,用金属有机物化学气相沉积法进行试验 ,以SEM ,DSC ,XRD测试分析技术探讨了载气、温度和羰基镍的摩尔分数对沉积速率的影响 ;也探讨了温度及羰基镍的摩尔分数对镍膜微观形貌的影响。结果表明 ,以氩气为载气比氦气为载气更容易获得高沉积速率 ;在沉积温度为 15 0℃左右可获得沉积速率较快、微观形貌较好的薄膜 ;随羰基镍摩尔分数的增加 ,沉积速率也明显增大 ,同时薄膜的微观形貌也变得较为粗大 ,但达到 30 %之后 ,沉积速率增速减缓。 展开更多
关键词 化学气相沉积 金属有机物 羰基镍 镍膜
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液态源金属有机物化学气相沉积设备
2
《西安工业大学学报》 CAS 2006年第4期360-360,共1页
关键词 沉积设备 金属有机物 化学气相 可编程逻辑控制器 液态源 自动化程度 人机界面 结构紧凑
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化学气相沉积铝化物涂层组织结构及形成机制
3
作者 孟国辉 齐浩雄 +6 位作者 杜撰 刘梅军 杨冠军 吴勇 孙清云 夏思瑶 董雪 《中国材料进展》 北大核心 2025年第3期275-281,共7页
提高铝化物涂层抗高温氧化和耐热腐蚀性能的关键在于明确铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。采用化学气相沉积法在镍基高温合金Mar-M-247表面制备了铝化物涂层。结合材料热力学模拟软件JMatPro和扫描电子显微镜表征并分析了铝化物涂... 提高铝化物涂层抗高温氧化和耐热腐蚀性能的关键在于明确铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。采用化学气相沉积法在镍基高温合金Mar-M-247表面制备了铝化物涂层。结合材料热力学模拟软件JMatPro和扫描电子显微镜表征并分析了铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。结果表明,Mar-M-247高温合金表面生成的铝化物涂层具有双层结构,外层由单一的β-NiAl相组成,内层主要由β-NiAl相、σ相和μ相组成。铝化物涂层的外层β-NiAl相是Mar-M-247高温合金大量Ni元素外扩散至合金表面,与环境中的Al元素反应生成的。从而使得高温合金中的γ-Ni相和γ′-Ni_(3)Al相含量减少。当Ni元素的体积分数分别降低至55%,52%和38%时,高温合金中顺序析出μ相、β-NiAl相和σ相。最终,当高温合金中Ni元素的体积分数降低至32%时,高温合金完全转变为由β-NiAl相、σ相、μ相和少量碳化物相MC组成的铝化物内层。 展开更多
关键词 镍基高温合金 化学气相沉积 铝化物涂层 微观组织结构 热力学
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化学气相沉积制备硫化零价铁及其活化过硫酸盐降解硫化矿捕收剂
4
作者 廖子维 李其治 +3 位作者 廖婷 李新伟 陈江安 余文 《有色金属(选矿部分)》 2025年第4期88-95,共8页
浮选药剂作为选矿废水中有机污染物的主要来源,其中的大部分硫化矿捕收剂难以自然降解,而残留的选矿药剂将导致废水无法直接排放或是回用。硫化零价铁作为近年来环境领域的热点材料,可有效活化过硫酸盐(PS)降解废水中的有机污染物。以硫... 浮选药剂作为选矿废水中有机污染物的主要来源,其中的大部分硫化矿捕收剂难以自然降解,而残留的选矿药剂将导致废水无法直接排放或是回用。硫化零价铁作为近年来环境领域的热点材料,可有效活化过硫酸盐(PS)降解废水中的有机污染物。以硫磺(S)和微米零价铁粉(mZVI)为原料,利用化学气相沉积法制备硫化微米零价铁(S-mZVI^(CVD)),并将其应用于活化过硫酸盐(PS)降解选矿废水中的常见硫化矿捕收剂。以乙硫氨酯(Z-200)为模型污染物,系统研究了反应条件对S-mZVI^(CVD)/PS体系降解Z-200的影响。试验结果表明,在溶液温度为30℃、溶液初始pH为7.8、S-mZVI^(CVD)用量为0.025 g/L、PS用量为1.5 mmol/L、Z-200初始浓度100 mg/L的条件下,反应40 min后Z-200降解率达到91.62%。此外,S-mZVI^(CVD)/PS体系对其他硫化矿捕收剂丁铵黑药和乙硫氮也有良好的降解效果。为深入探究S-mZVI^(CVD)的结构和性能,利用傅里叶红外光谱和SEM-EDS对S-mZVI^(CVD)进行表征,结果表明S-mZVI^(CVD)表面存在Fe_(1-x)S,Fe和S在S-mZVI^(CVD)表面均匀分布,相比mZVI,硫化后S-mZVI^(CVD)更为粗糙,局部区域疏松多孔,比表面积显著增大。紫外全谱分析表明反应后Z-200分子结构受到明显破坏,S-mZVI^(CVD)/PS体系能够实现对Z-200的有效降解。本文为硫化零价铁的高效率、低成本制备提供了一种新的方法,同时为硫化矿捕收剂的高效降解提供了一种新的技术思路。 展开更多
关键词 化学气相沉积 硫化零价铁 过硫酸盐 硫化矿捕收剂
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化学气相沉积工艺的设备优化分析
5
作者 魏宇浩 《集成电路应用》 2025年第1期69-71,共3页
阐述化学气相沉积(CVD)生产加工设备的优化与改进,提升薄膜制备的效率与质量。通过系统分析化学气相沉积加工流程,包括反应物传输、产物生成、附着与扩散等关键环节,揭示出薄膜质量的主要影响因素。针对现有设备的不足,提出温度、压力... 阐述化学气相沉积(CVD)生产加工设备的优化与改进,提升薄膜制备的效率与质量。通过系统分析化学气相沉积加工流程,包括反应物传输、产物生成、附着与扩散等关键环节,揭示出薄膜质量的主要影响因素。针对现有设备的不足,提出温度、压力、基材、气体流速和流量、反应器设计等多方面的优化措施。同时,强调环境控制、设备升级与维护以及信息化管理系统在提升生产效率与产品质量中的作用。通过实施这些改进措施,能够提高CVD加工设备的性能和稳定性,满足半导体器件中薄膜质量的严格要求。 展开更多
关键词 集成电路制造 化学气相沉积 生产加工设备 工艺优化改进 薄膜沉积
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低对称性二维层状过渡金属硫族化合物合金及异质结的化学气相沉积法制备研究进展 被引量：1
6
作者 邢欢欢 胡萍 +3 位作者 罗政 毛丽秋 盛丽萍 王珊珊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期56-68,共13页
低对称性二维过渡金属硫族化合物(TMDs)合金及异质结是一类面外为层状结构、面内对称元素少的功能纳米材料。它不仅表现出丰富可调的电子能带结构,且在光学、电学、力学等方面显示出独特的各向异性物理特性,因而在偏振光探测器、各向异... 低对称性二维过渡金属硫族化合物(TMDs)合金及异质结是一类面外为层状结构、面内对称元素少的功能纳米材料。它不仅表现出丰富可调的电子能带结构,且在光学、电学、力学等方面显示出独特的各向异性物理特性,因而在偏振光探测器、各向异性逻辑电路、触觉传感器等领域具有广阔应用前景。低对称性二维TMDs合金及异质结的可控制备是发挥其优异性能、保障其潜在应用的前提。本文首先按照元素种类的不同从二维铼(Re)基低对称合金和二维碲(Te)基低对称合金两方面对低对称性二维TMDs合金的化学气相沉积法制备进行归纳。然后,按照异质结构的不同从垂直异质结和水平异质结两方面梳理了低对称性二维TMDs异质结制备的最新进展。最后,对该领域现阶段存在的问题及挑战进行了总结与展望。 展开更多
关键词 低对称性 二维 合金 异质结 化学气相沉积法
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金属有机化学气相沉积法制备ZnO和ZnO：Ni薄膜及其特性分析 被引量：4
7
作者 王辉 王瑾 +7 位作者 赵洋 赵龙 赵旺 史志锋 夏晓川 马艳 杜国同 董鑫 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2717-2720,共4页
采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了分析,结果表明,Ni元素的掺杂虽然降低了薄膜的晶体质量,... 采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了分析,结果表明,Ni元素的掺杂虽然降低了薄膜的晶体质量,但并未改变ZnO的纤锌矿结构.通过紫外-可见分光光度计对薄膜的光学特性进行了测试与分析,结果表明,ZnO∶Ni薄膜在可见光区的平均透过率可达90%,优于ZnO薄膜在可见光区的平均透过率(85%).霍尔(Hall)测试显示ZnO∶Ni薄膜的导电类型仍为n型,但其电阻率已经明显增加,载流子浓度也远低于未掺杂ZnO薄膜的载流子浓度,说明Ni元素的掺杂对ZnO薄膜的特性产生了很大影响. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 ZnO∶Ni薄膜 金属有机化学气相沉积 透过率
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金属有机化学气相沉积法制备SnO_2/MCM-41半导体传感器及其性能研究 被引量：2
8
作者 刘秀丽 高国华 KAWI Sibudjing 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1609-1612,共4页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能,其传感性能的大小与CO和H2的浓度成正比. 展开更多
关键词 半导体传感器 介孔分子筛(MCM-41) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 二氧化锡 薄膜
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金属有机物脉冲化学气相沉积陶瓷薄膜的生长速率及形貌
9
作者 彭补之 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期68-68,共1页
关键词 金属有机物 脉冲化学气相沉积 陶瓷薄膜 生长速率 形貌
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金属有机化学气相沉积生长Zn_(1-x)Mn_xSe薄膜的发光和磁光性质
10
作者 鞠振刚 张吉英 +6 位作者 吕有明 申德振 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期805-809,共5页
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增... 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来源,并被分别归因于自由激子跃迁和与Mn有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强,ZnMnSe带隙发光红移是由于类S带和类P带电子与Mn离子的3d5电子的自旋交换作用。 展开更多
关键词 Zn1-xMnxSe 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光致发光 磁光性质
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用锌金属有机源和二氧化碳等离子体增强化学气相沉积的方法制备高质量氧化锌薄膜 被引量：3
11
作者 楚振生 李炳生 +3 位作者 刘益春 申德振 范希武 刘毅南 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-384,共2页
报道了用金属锌有机源和二氧化碳混合气源等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)的方法成功地制备高质量择优取向 (0 0 0 2 )的ZnO薄膜。通过X ray衍射谱进行了结构分析得到六方结构 ,择优取向 ,晶粒尺寸大约在 2 2 0nm。并通过原子力显微... 报道了用金属锌有机源和二氧化碳混合气源等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)的方法成功地制备高质量择优取向 (0 0 0 2 )的ZnO薄膜。通过X ray衍射谱进行了结构分析得到六方结构 ,择优取向 ,晶粒尺寸大约在 2 2 0nm。并通过原子力显微镜分析更进一步验证了晶粒的尺寸。通过透射谱分析观察到了典型的激子吸收线。这种方法的特点是可以在低温条件下在任何衬底上生长大面积均匀性好。 展开更多
关键词 氧化锌 薄膜 等离子体增强化学气相沉积
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镍的金属有机化学气相沉积 被引量：5
12
作者 赵立峰 谢长生 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第4期52-54,共3页
介绍了用MOCVD技术沉积镍膜的应用状况,以及几种典型前驱体的沉积性能。着重介绍了羰基镍的沉积特性。结合MOCVD技术的最新进展,对镍的化学气相沉积技术作了简要的展望。
关键词 金属有机化学气相沉积 镍薄膜 MOCVD 镍前驱体 羰基镍
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等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜
13
作者 郭超峰 陈俊芳 +4 位作者 符斯列 薛永奇 王燕 邵士运 赵益冉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期86-88,94,共4页
采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条件下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜。对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N2-(CH3)3Ga等离子体的发射光谱。结果表明,所制备的多晶体GaN薄... 采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条件下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜。对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N2-(CH3)3Ga等离子体的发射光谱。结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N2-(CH3)3Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的,其生长过程符合岛状生长机制。 展开更多
关键词 等离子体 化学气相沉积 GAN 反应 生长机制
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机器学习在化学气相沉积中的应用研究进展 被引量：1
14
作者 谢炜 明帅强 +1 位作者 夏洋 周兰江 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期331-339,共9页
化学气相沉积技术是一种近几十年发展起来的制备无机材料的化工技术。随着机器学习技术的发展,其在化学气相沉积领域也发挥着不小的作用。基于此,本文概述了化学气相沉积的原理与机器学习的发展历程,分析了机器学习在化学气相沉积中的... 化学气相沉积技术是一种近几十年发展起来的制备无机材料的化工技术。随着机器学习技术的发展,其在化学气相沉积领域也发挥着不小的作用。基于此,本文概述了化学气相沉积的原理与机器学习的发展历程,分析了机器学习在化学气相沉积中的典型应用,总结并分析了未来应用的发展趋势。 展开更多
关键词 化学气相沉积 无机材料 薄膜 机器学习
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化学气相沉积HfO_(2)涂层的制备及性能
15
作者 何锐朋 朱利安 +4 位作者 王震 叶益聪 李顺 唐宇 白书欣 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期67-75,共9页
采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结... 采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结果表明:HfO_(2)涂层与基体结合良好,在经历25~2000℃,100次循环热震后涂层表面未出现宏观剥落;划痕法测定的涂层附着力约23 N;在2.5~5μm波段,涂层表面平均发射率为0.48,将Mo在该波段的平均发射率提高了近5倍。 展开更多
关键词 化学气相沉积 氧化铪涂层 热力学计算 发射率 抗热震性
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低压金属有机化学气相外延生长室热流场的模拟与分析 被引量：3
16
作者 任爱光 任晓敏 +3 位作者 王琦 熊德平 黄辉 黄永清 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期662-665,共4页
本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在。
关键词 有机金属化学气相外延 SIMPLE算法 旋转垂直腔
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铜箔衬底对化学气相沉积法制备石墨烯的影响 被引量：1
17
作者 王云鹏 刘宇宁 +3 位作者 王同波 张嘉凝 莫永达 娄花芬 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期173-177,共5页
化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下... 化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯用的铜箔往往要求其表面平整、具有较大晶粒、大面积的Cu(111)晶面取向。本研究采用不同厚度的商用压延铜箔与电解铜箔为衬底,对比分析了铜箔表面形貌、晶粒尺度与Cu(111)面的差异,并探讨了在相同条件下两类铜箔对生长石墨烯的影响。研究表明,电解铜箔的表面粗糙度在预处理与退火后均大于压延铜箔。压延铜箔由于经历变形,退火处理后晶粒尺寸为37μm,Cu(111)面比例约40%,电解铜箔退火后晶粒尺寸约为24μm,Cu(111)面比例约为28%,压延铜箔优于电解铜箔。CVD制备石墨烯后发现压延铜箔上生长的石墨烯岛的面积大于电解铜箔,石墨烯缺陷要少于电解铜箔,即相同制备条件与相同厚度下压延铜箔上制备的石墨烯质量优于电解铜箔上制备的石墨烯。 展开更多
关键词 电解铜箔 压延铜箔 化学气相沉积法 石墨烯
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温度对GaAs（100）晶面上金属有机化学气相沉积TiO2薄膜生长的影响
18
作者 彭补之 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期77-77,共1页
关键词 温度 GaAs(100)晶面 低压金属有机化学气相沉积 TIO2 薄膜生长 影响
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化学气相沉积合成纯单层石墨烯的技术综述
19
作者 徐洋健 肖润涵 +1 位作者 王浩敏 于广辉 《固体电子学研究与进展》 2024年第6期568-575,共8页
石墨烯的各种优异性能使其在半导体领域中具有广阔的应用前景,同时其单原子层的特殊结构使得石墨烯的层数对其各种特性有着显著的影响。因此,高质量和层数可控的石墨烯薄膜的规模化稳定制备是实现其在微电子、光学和传感器等领域中各种... 石墨烯的各种优异性能使其在半导体领域中具有广阔的应用前景,同时其单原子层的特殊结构使得石墨烯的层数对其各种特性有着显著的影响。因此,高质量和层数可控的石墨烯薄膜的规模化稳定制备是实现其在微电子、光学和传感器等领域中各种关键器件应用的基础。目前,在众多的石墨烯制备方法中,大尺寸、高质量石墨烯薄膜制备的最主要手段是化学气相沉积法。本文综述了近年来利用化学气相沉积法合成纯单层石墨烯连续薄膜的相关研究进展,针对纯单层石墨烯薄膜的制备,分别从碳源供应、生长气氛、衬底工程等角度出发,对纯单层石墨烯生长控制机理与生长工艺进行了介绍,并对各种方法生长的石墨烯晶体质量、层数均匀性进行了说明,最后对该领域的发展进行了展望。 展开更多
关键词 单层石墨烯 化学气相沉积 层数控制
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光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
20
作者 周玉刚 李卫平 +7 位作者 沈波 陈鹏 陈志忠 臧岚 张荣 顾书林 施毅 郑有翀 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第8期34-36,共3页
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对... 采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。 展开更多
关键词 ALGAN GAN 金属有机化学气相淀积 气相寄生反应 光加热
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