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金属有机化学气相沉积法制备ZnO和ZnO：Ni薄膜及其特性分析 被引量：4
1
作者 王辉 王瑾 +7 位作者 赵洋 赵龙 赵旺 史志锋 夏晓川 马艳 杜国同 董鑫 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2717-2720,共4页
采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了分析,结果表明,Ni元素的掺杂虽然降低了薄膜的晶体质量,... 采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了分析,结果表明,Ni元素的掺杂虽然降低了薄膜的晶体质量,但并未改变ZnO的纤锌矿结构.通过紫外-可见分光光度计对薄膜的光学特性进行了测试与分析,结果表明,ZnO∶Ni薄膜在可见光区的平均透过率可达90%,优于ZnO薄膜在可见光区的平均透过率(85%).霍尔(Hall)测试显示ZnO∶Ni薄膜的导电类型仍为n型,但其电阻率已经明显增加,载流子浓度也远低于未掺杂ZnO薄膜的载流子浓度,说明Ni元素的掺杂对ZnO薄膜的特性产生了很大影响. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 ZnO∶Ni薄膜 金属有机化学气相沉积 透过率
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金属有机化学气相沉积法制备SnO_2/MCM-41半导体传感器及其性能研究 被引量：2
2
作者 刘秀丽 高国华 KAWI Sibudjing 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1609-1612,共4页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能,其传感性能的大小与CO和H2的浓度成正比. 展开更多
关键词 半导体传感器 介孔分子筛(MCM-41) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 二氧化锡 薄膜
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金属有机化学气相沉积生长Zn_(1-x)Mn_xSe薄膜的发光和磁光性质
3
作者 鞠振刚 张吉英 +6 位作者 吕有明 申德振 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期805-809,共5页
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增... 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来源,并被分别归因于自由激子跃迁和与Mn有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强,ZnMnSe带隙发光红移是由于类S带和类P带电子与Mn离子的3d5电子的自旋交换作用。 展开更多
关键词 Zn1-xMnxSe 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光致发光 磁光性质
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镍的金属有机化学气相沉积 被引量：5
4
作者 赵立峰 谢长生 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第4期52-54,共3页
介绍了用MOCVD技术沉积镍膜的应用状况,以及几种典型前驱体的沉积性能。着重介绍了羰基镍的沉积特性。结合MOCVD技术的最新进展,对镍的化学气相沉积技术作了简要的展望。
关键词 金属有机化学气相沉积 镍薄膜 MOCVD 镍前驱体 羰基镍
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温度对GaAs（100）晶面上金属有机化学气相沉积TiO2薄膜生长的影响
5
作者 彭补之 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期77-77,共1页
关键词 温度 GaAs(100)晶面 低压金属有机化学气相沉积 TIO2 薄膜生长 影响
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光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
6
作者 周玉刚 李卫平 +7 位作者 沈波 陈鹏 陈志忠 臧岚 张荣 顾书林 施毅 郑有翀 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第8期34-36,共3页
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对... 采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。 展开更多
关键词 ALGAN GAN 金属有机化学气相淀积 气相寄生反应 光加热
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金属有机物化学气相沉积法沉积镍膜的影响因素 被引量：4
7
作者 刘世良 赵立峰 +1 位作者 彭冬生 谢长生 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期4-6,共3页
为了获得高速沉积镍膜的工艺参数 ,以羰基镍 [Ni(CO) 4 ]为前驱体 ,用金属有机物化学气相沉积法进行试验 ,以SEM ,DSC ,XRD测试分析技术探讨了载气、温度和羰基镍的摩尔分数对沉积速率的影响 ;也探讨了温度及羰基镍的摩尔分数对镍膜微... 为了获得高速沉积镍膜的工艺参数 ,以羰基镍 [Ni(CO) 4 ]为前驱体 ,用金属有机物化学气相沉积法进行试验 ,以SEM ,DSC ,XRD测试分析技术探讨了载气、温度和羰基镍的摩尔分数对沉积速率的影响 ;也探讨了温度及羰基镍的摩尔分数对镍膜微观形貌的影响。结果表明 ,以氩气为载气比氦气为载气更容易获得高沉积速率 ;在沉积温度为 15 0℃左右可获得沉积速率较快、微观形貌较好的薄膜 ;随羰基镍摩尔分数的增加 ,沉积速率也明显增大 ,同时薄膜的微观形貌也变得较为粗大 ,但达到 30 %之后 ,沉积速率增速减缓。 展开更多
关键词 化学气相沉积 金属有机物 羰基镍 镍膜
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金属有机物脉冲化学气相沉积陶瓷薄膜的生长速率及形貌
8
作者 彭补之 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期68-68,共1页
关键词 金属有机物 脉冲化学气相沉积 陶瓷薄膜 生长速率 形貌
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液态源金属有机物化学气相沉积设备
9
《西安工业大学学报》 CAS 2006年第4期360-360,共1页
关键词 沉积设备 金属有机物 化学气相 可编程逻辑控制器 液态源 自动化程度 人机界面 结构紧凑
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化学气相沉积法制备钨管性能研究 被引量：5
10
作者 马捷 魏建忠 +1 位作者 王从曾 范爱玲 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期703-706,共4页
以WF6、H2为原料,采用化学气相沉积法沉积制备出不同直径难熔金属钨管。对不同沉积温度(500℃,600℃,700℃)沉积制备钨管的纯度、密度、显微硬度、残余应力及钨管强度进行了测试与分析研究。研究结果表明:沉积制备钨管具有高纯度和高致... 以WF6、H2为原料,采用化学气相沉积法沉积制备出不同直径难熔金属钨管。对不同沉积温度(500℃,600℃,700℃)沉积制备钨管的纯度、密度、显微硬度、残余应力及钨管强度进行了测试与分析研究。研究结果表明:沉积制备钨管具有高纯度和高致密度;随着沉积温度、钨管半径(3～20 mm)不同,显微硬度值在500～800 HV之间;沿钨管圆周、半径方向存在较大残余应力;抗拉强度范围在300～500 MPa. 展开更多
关键词 金属材料 化学气相沉积 钨 组织 性能
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金属所大尺寸单晶石墨烯的化学气相沉积法制备及其无损转移取得重要进展
11
《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期146-146,共1页
最近，中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室先进炭材料研究部的成会明、任文才研究员带领的石墨烯研究团队，在大尺寸单晶石墨烯及其薄膜的制备和无损转移方面取得重要进展。
关键词 中科院金属研究所 大尺寸单晶 化学气相沉积法 石墨 无损 制备 材料科学 炭材料
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等离子化学气相沉积硅-硼-氮复合薄膜的组成和结构
12
作者 于翔 于俊峰 王成彪 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期83-85,共3页
利用X射线衍射 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)等技术对射频 -直流 -等离子化学气相沉积 (RF -DC -PVCD)在钢基体上Si-B -N复合薄膜的组成和结构进行分析和研究 ;结果表明 ,通过给试样基体加一适当的直流负偏压 ,得到含有显著六方氮化硼 (h_... 利用X射线衍射 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)等技术对射频 -直流 -等离子化学气相沉积 (RF -DC -PVCD)在钢基体上Si-B -N复合薄膜的组成和结构进行分析和研究 ;结果表明 ,通过给试样基体加一适当的直流负偏压 ,得到含有显著六方氮化硼 (h_BN)、立方氮化硼 (c_BN)结晶相的Si-B 展开更多
关键词 Si-B-N复合薄膜 负偏压 结构 组成 硅-硼-氮复合薄膜 金属 表面处理 等离子体化学气相沉积
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不同碳源催化化学气相沉积制备自支撑C/Ni-Fiber复合电极材料的电容脱盐性能 被引量：2
13
作者 王喜文 姜芳婷 +2 位作者 索全伶 方玉珠 路勇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2605-2612,共8页
以甲烷、乙烯、乙醇和正丁醇为碳源,通过催化化学气相沉积在具有三维开放网络结构的烧结8μm-Ni金属纤维上沉积碳的方法,制备了以金属Ni纤维网络为集流极、沉积碳为离子存储库的薄层大面积自支撑C/Ni-fiber复合电极材料.用扫描电子显微... 以甲烷、乙烯、乙醇和正丁醇为碳源,通过催化化学气相沉积在具有三维开放网络结构的烧结8μm-Ni金属纤维上沉积碳的方法,制备了以金属Ni纤维网络为集流极、沉积碳为离子存储库的薄层大面积自支撑C/Ni-fiber复合电极材料.用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、热重分析(TGA)、X射线衍射(XRD)、N_2-吸脱附等温线和循环伏安与电化学阻抗谱对电极材料进行了表征,并考察了其作为电极的电容脱盐性能.乙烯、甲烷、正丁醇和乙醇为碳源的沉积碳形态分别为鱼骨状碳纳米管(CNTs)、石墨烯面取向与轴平行的CNTs、棒状和蠕虫状碳纳米纤维(CNFs).C/Ni-fiber复合电极材料对NaCl的电吸附容量顺序为:乙烯>正丁醇>甲烷>乙醇,这与复合电极的电化学特性、孔结构和碳的纳米结构相关.在1.2 V的工作电压下,以乙烯为碳源制备的C/Ni-fiber复合电极材料对水溶液中NaCl(100 mg·L^(-1))的电吸附容量达159μmol·g^(-1). 展开更多
关键词 碳纳米管 碳纤维 金属纤维 化学气相沉积 自支撑电极 电容脱离子
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石墨烯纤维材料的化学气相沉积生长方法 被引量：15
14
作者 程熠 王坤 +1 位作者 亓月 刘忠范 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第2期34-48,共15页
石墨烯纤维材料是以石墨烯为主要结构基元沿某一特定方向组装而成或由石墨烯包覆纤维状基元形成的宏观一维材料。根据组成基元的不同可将石墨烯纤维材料分为石墨烯纤维和石墨烯包覆复合纤维。石墨烯纤维材料在一维方向上充分发挥了石墨... 石墨烯纤维材料是以石墨烯为主要结构基元沿某一特定方向组装而成或由石墨烯包覆纤维状基元形成的宏观一维材料。根据组成基元的不同可将石墨烯纤维材料分为石墨烯纤维和石墨烯包覆复合纤维。石墨烯纤维材料在一维方向上充分发挥了石墨烯高强度、高导电、高导热等特点,在智能纤维与织物、柔性储能器件、便携式电子器件等领域具有广阔的应用前景。随着化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)制备石墨烯薄膜技术的发展,CVD技术也逐渐应用于石墨烯纤维材料的制备。利用CVD法制备石墨烯纤维可避免传统纺丝工艺中繁琐的氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)还原过程。同时,通过CVD法直接将石墨烯沉积至纤维表面可以保证石墨烯与纤维基底之间强的粘附作用,提高复合纤维的稳定性,同时可实现对石墨烯质量的有效调控。本文综述了石墨烯纤维材料的CVD制备方法,石墨烯纤维材料优异的力学、电学、光学性质及其在智能传感、光电器件、柔性电极等领域的应用,并展望了CVD法制备石墨烯纤维材料未来的发展方向。 展开更多
关键词 化学气相沉积 石墨烯纤维 石墨烯玻璃纤维 石墨烯金属纤维
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激光化学气相沉积法制备铜膜的性能与形态分析
15
作者 茅敦民 连志睿 +1 位作者 金忠 秦启宗 《量子电子学》 CSCD 1995年第2期169-173,共5页
本文对以二（乙酸丙酮根）合铜（Ⅱ）和二（三甲基乙酰三氟代丙酮根）合铜（Ⅱ）为母体的化合物，用１０．６μｍ和２８０ｎｍ激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针轮廓仪、扫描电子显微镜和四探针法进行了分析，观察到紫外激光... 本文对以二（乙酸丙酮根）合铜（Ⅱ）和二（三甲基乙酰三氟代丙酮根）合铜（Ⅱ）为母体的化合物，用１０．６μｍ和２８０ｎｍ激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针轮廓仪、扫描电子显微镜和四探针法进行了分析，观察到紫外激光生成铜膜中具有环状周期性图案的现象。 展开更多
关键词 激光 化学气相沉积 铜膜 金属有机化合物
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金属氧化物、硅酸盐，磷酸盐和氧化硅的气相沉积
16
作者 彭补之 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期76-76,共1页
关键词 金属氧化物 硅酸盐 磷酸盐 氧化硅 气相沉积
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电子束物理气相沉积工艺制备超薄高温结构材料的研究 被引量：13
17
作者 马李 孙跃 +1 位作者 赫晓东 李垚 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期100-103,共4页
介绍了包括热障涂层、高温合金薄板、金属/陶瓷及金属/金属间化合物微叠层薄板等金属热防护系统结构材料的特点,并简要介绍了电子束物理气相沉积设备的工作原理、结构及其工艺特点。着重评述了利用该工艺制备多种体系高温结构材料的研... 介绍了包括热障涂层、高温合金薄板、金属/陶瓷及金属/金属间化合物微叠层薄板等金属热防护系统结构材料的特点,并简要介绍了电子束物理气相沉积设备的工作原理、结构及其工艺特点。着重评述了利用该工艺制备多种体系高温结构材料的研究现状,最后对未来的发展趋势作出了客观的评价与展望。 展开更多
关键词 金属热防护系统 高温结构材料 电子束物理气相沉积 微叠层材料
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5产品名称：exiTinH430TiN金属硬掩膜物理气相沉积系统
18
《电子工业专用设备》 2016年第2期42-44,共3页
研制单位： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 产品介绍： exiTin H430 TiN金属硬掩膜物理气相沉积系统可满足集成电路300mm（12英寸）生产线28nm物理气相沉积需求。该设备有成膜均匀性好、应力低、操作简单、占地面... 研制单位： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 产品介绍： exiTin H430 TiN金属硬掩膜物理气相沉积系统可满足集成电路300mm（12英寸）生产线28nm物理气相沉积需求。该设备有成膜均匀性好、应力低、操作简单、占地面积小、运行成本低及产能高等特点， 展开更多
关键词 物理气相沉积 沉积系统 产品名称 掩膜 金属 设备工艺 研制单位 产品介绍
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物理气相沉积TiN复合涂层研究进展 被引量：32
19
作者 胡树兵 李志章 梅志 《材料科学与工程》 CSCD 2000年第2期110-115,共6页
物理气相沉积 (PVD) Ti N涂层已获广泛应用。为克服单一 Ti N涂层的缺陷及进一步改善 Ti N涂层的性能 ,近年来致力于复合涂层的研究。本文综述了 Ti N+ Ti、Ti N+化学镀 Ni-P、Ti N+氮化等复合涂层的工艺、组织和性能之间的关系 ,并探... 物理气相沉积 (PVD) Ti N涂层已获广泛应用。为克服单一 Ti N涂层的缺陷及进一步改善 Ti N涂层的性能 ,近年来致力于复合涂层的研究。本文综述了 Ti N+ Ti、Ti N+化学镀 Ni-P、Ti N+氮化等复合涂层的工艺、组织和性能之间的关系 ,并探讨了过渡层的作用。 展开更多
关键词 复合涂层 物理气相沉积 氮化钛 金属表面处理
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物理气相沉积技术制备的硬质涂层耐腐蚀的研究进展 被引量：4
20
作者 张洪涛 王天民 王聪 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第8期15-16,23,共3页
根据物理气相沉积技术制备的硬质涂层的腐蚀机制,指出提高硬质涂层的抗腐蚀性能的关键在于提高涂层的致密性和涂层/基材界面的性能。对提高硬质涂层耐蚀性的各种措施分别予以评述,提出了今后的研究方向。
关键词 物理气相沉积 耐腐蚀性能 氮化钛 陶瓷涂层 金属材料 硬质涂层 研究进展
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