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金属有机化学气相沉淀反应器结构的模拟优化 被引量：1
1
作者 张红 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1328-1332,共5页
研究了金属有机化学气相沉淀反应器的几何形状对于反应腔内的涡旋产生的影响,表明衬底上方的涡旋不仅会影响到薄膜生长的厚度,而且会影响到薄膜的纯度和成分的均匀性。通过改变反应器的结构和形状来优化反应器设计,从而消除衬底上方的涡... 研究了金属有机化学气相沉淀反应器的几何形状对于反应腔内的涡旋产生的影响,表明衬底上方的涡旋不仅会影响到薄膜生长的厚度,而且会影响到薄膜的纯度和成分的均匀性。通过改变反应器的结构和形状来优化反应器设计,从而消除衬底上方的涡旋,得到光滑而均匀的流场。根据模拟结果发现,流道高度在影响热对流涡旋的几何参数中起主要作用,而流道长度影响较小。对于优化后的反应器,引发自然对流的临界流道高度为H=2.5cm(D=20cm)。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉淀 输运过程 薄膜生长 优化设计
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金属有机化学气相沉积法制备ZnO和ZnO：Ni薄膜及其特性分析 被引量：4
2
作者 王辉 王瑾 +7 位作者 赵洋 赵龙 赵旺 史志锋 夏晓川 马艳 杜国同 董鑫 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2717-2720,共4页
采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了分析,结果表明,Ni元素的掺杂虽然降低了薄膜的晶体质量,... 采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了分析,结果表明,Ni元素的掺杂虽然降低了薄膜的晶体质量,但并未改变ZnO的纤锌矿结构.通过紫外-可见分光光度计对薄膜的光学特性进行了测试与分析,结果表明,ZnO∶Ni薄膜在可见光区的平均透过率可达90%,优于ZnO薄膜在可见光区的平均透过率(85%).霍尔(Hall)测试显示ZnO∶Ni薄膜的导电类型仍为n型,但其电阻率已经明显增加,载流子浓度也远低于未掺杂ZnO薄膜的载流子浓度,说明Ni元素的掺杂对ZnO薄膜的特性产生了很大影响. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 ZnO∶Ni薄膜 金属有机化学气相沉积 透过率
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金属有机化学气相沉积W薄膜 被引量：3
3
作者 李一 李金普 +3 位作者 贾成厂 柳学全 李发长 李楠 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期334-338,共5页
以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究。通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜;研究了沉积速率与上述参数之间的关... 以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究。通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜;研究了沉积速率与上述参数之间的关系,并得出了在本试验条件下应用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备W薄膜的最佳工艺参数:热解温度为320～380℃,载气流量为160～200ml/min。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 六羰基钨(W(CO)6) 薄膜
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常压下用金属有机化学气相沉积法在HP40钢表面制备纳米氧化铝薄膜及表征 被引量：3
4
作者 黄志荣 李攀瑜 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期58-60,64,共4页
常压下用金属有机化学气相沉积法(MOCVD),以仲丁醇铝(ATSB)为前驱体、氮气为载气在HP40钢表面制备了纳米氧化铝薄膜;用光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜等研究了沉积温度等参数对氧化铝薄膜沉积速率的影... 常压下用金属有机化学气相沉积法(MOCVD),以仲丁醇铝(ATSB)为前驱体、氮气为载气在HP40钢表面制备了纳米氧化铝薄膜;用光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜等研究了沉积温度等参数对氧化铝薄膜沉积速率的影响,并对其形貌进行了观察。结果表明:随着沉积温度从503K升高到713K,薄膜沉积速率从0.1mg·cm^(-2)·h^(-1)增加到0.82mg·cm^(-2)·h^(-1);当沉积温度在593～653K范围内,可获得晶粒尺寸为10～15nm的纳米氧化铝薄膜;反应的表观活化能随氮气与ATSB蒸气混合气流速增加而降低,不同的混合气流速有不同的反应级数,ATSB的反应级为0.7±0.02。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积法 氧化铝 沉积速率 纳米薄膜
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金属有机化学气相沉积法制备SnO_2/MCM-41半导体传感器及其性能研究 被引量：2
5
作者 刘秀丽 高国华 KAWI Sibudjing 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1609-1612,共4页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能,其传感性能的大小与CO和H2的浓度成正比. 展开更多
关键词 半导体传感器 介孔分子筛(MCM-41) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 二氧化锡 薄膜
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光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
6
作者 周玉刚 李卫平 +7 位作者 沈波 陈鹏 陈志忠 臧岚 张荣 顾书林 施毅 郑有翀 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第8期34-36,共3页
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对... 采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。 展开更多
关键词 ALGAN GAN 金属有机化学气相淀积 气相寄生反应 光加热
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金属有机化学气相沉积生长Zn_(1-x)Mn_xSe薄膜的发光和磁光性质
7
作者 鞠振刚 张吉英 +6 位作者 吕有明 申德振 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期805-809,共5页
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增... 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来源,并被分别归因于自由激子跃迁和与Mn有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强,ZnMnSe带隙发光红移是由于类S带和类P带电子与Mn离子的3d5电子的自旋交换作用。 展开更多
关键词 Zn1-xMnxSe 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光致发光 磁光性质
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金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
8
作者 谭春华 范广涵 黄旭光 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2763-2767,共5页
制备磷化铟(InP)反欧泊三维光子晶体的关键是提高InP在欧泊空隙中的填充率。使用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在人工欧泊空隙中生长了InP晶体,分析了影响InP在欧泊空隙中填充的因素及确定了InP的最佳生长条件。实验和理论分析... 制备磷化铟(InP)反欧泊三维光子晶体的关键是提高InP在欧泊空隙中的填充率。使用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在人工欧泊空隙中生长了InP晶体,分析了影响InP在欧泊空隙中填充的因素及确定了InP的最佳生长条件。实验和理论分析的结果较为符合。磷化铟在人工欧泊空隙中的填充率越高,二氧化硅球和空隙间的折射率差越大,人工欧泊光子晶体光学性能的变化就越显著;周期生长、低压、使用和InP失配小的衬底以及异质同构现象有助于InP在欧泊空隙中的填充。在优化的生长条件下制备了填充率较高的SiO2-InP光子晶体。研究结果为制备InP反欧泊结构积累了有益的经验。 展开更多
关键词 光子晶体 人工欧泊 光子带隙 金属有机化学气相沉积 磷化铟
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金属有机化学气相沉积反应器技术及进展 被引量：11
9
作者 许效红 王民 +2 位作者 侯云 周爱秋 王弘 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期410-413,共4页
简要介绍了金属有机化学气相沉积反应器技术的发展 ,描述了几种典型反应器的结构和过程特点 ,讨论了反应器的设计。
关键词 气相沉积 反应器 金属有机化学 薄膜材料 MOCVD 结构 设计 优化
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镍的金属有机化学气相沉积 被引量：5
10
作者 赵立峰 谢长生 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第4期52-54,共3页
介绍了用MOCVD技术沉积镍膜的应用状况,以及几种典型前驱体的沉积性能。着重介绍了羰基镍的沉积特性。结合MOCVD技术的最新进展,对镍的化学气相沉积技术作了简要的展望。
关键词 金属有机化学气相沉积 镍薄膜 MOCVD 镍前驱体 羰基镍
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金属有机化学气相沉积薄膜制备中传热传质的数值模拟 被引量：1
11
作者 蔡茜茜 雷知迪 +1 位作者 丁珏 翁培奋 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期732-741,共10页
建立水平式Ga As的金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)数学模型,采用求解压力耦合方程的半隐式(SIMPLE)算法对反应气体流动进行二维数值模拟,并基于边界层动量、热量与扩散传质的相关理论分析了薄膜... 建立水平式Ga As的金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)数学模型,采用求解压力耦合方程的半隐式(SIMPLE)算法对反应气体流动进行二维数值模拟,并基于边界层动量、热量与扩散传质的相关理论分析了薄膜制备过程中化学组分的输运,以及反应前驱物与气相之间的传热过程.计算所得的Ga As生长速率与实验结果吻合较好.同时,数值讨论了反应器进气流量、操作压力以及基底温度对Ga As生长速率的影响.薄膜生长的速率峰值随入口气体速度的升高而有所增大,但薄膜生长逐渐趋于不均匀性.因此,选取气流速度为0.104 m/s.薄膜生长速率随着操作压力的增大而增大,当压力为6 k Pa时,Ga As生长速率较压力为2 k Pa时提高了223%,薄膜具有较好的生长速率和均匀性.基底温度对薄膜生长速率影响显著,在1 050 K时薄膜有良好的生长速率和均匀性,Ga As生长速率比温度为950 K时提高了123%.研究结果为优化MOCVD反应条件及其反应器的结构设计提供了理论依据. 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 GAAS 薄膜生长速率 扩散边界层 数值模拟
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金属有机化学气相沉积反应室磁场数值分析
12
作者 赵丽丽 孙红卫 +1 位作者 李志明 李海玲 《济南大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第6期506-511,共6页
针对金属有机化学气相沉积(MOVCD)反应室中因感生电流的集肤效应而导致衬底温度分布不均匀,从而影响生长薄膜质量的问题,通过对电磁加热式MOCVD反应室建立数值仿真模型,分析电流强度和电流频率对磁场分布和焦耳热分布的影响,同时对不同... 针对金属有机化学气相沉积(MOVCD)反应室中因感生电流的集肤效应而导致衬底温度分布不均匀,从而影响生长薄膜质量的问题,通过对电磁加热式MOCVD反应室建立数值仿真模型,分析电流强度和电流频率对磁场分布和焦耳热分布的影响,同时对不同材料组成的基座结构中的磁场分布和焦耳热分布进行研究。结果表明:磁场分布和焦耳热分布不随电流强度的改变而改变,但磁场和焦耳热的数值与电流强度成正比;磁场分布、焦耳热分布和数值随着电流频率的变化而变化,数值与电流频率成正比,且随着电流频率的增大,趋肤效应越明显;改变组成基座的材料组成可以改变基座中焦耳热分布,从而提高衬底温度分布的均匀性。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 磁场分布 焦耳热 数值模拟
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化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物研究进展
13
作者 王栋 魏子健 +5 位作者 张倩 夏月庆 张秀丽 王天汉 袁志华 兰明明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期156-169,共14页
二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的... 二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的高度可控性使其具有很大优势。本文综述了近期通过CVD制备TMDs的研究进展,探讨了在CVD制备工艺中各种参数对产物生长和最终形貌的影响,包括前驱体、温度、衬底、辅助剂、压力和载气流量等。列举了一些改进的CVD制备工艺,并对其特点进行了总结。最后讨论了目前CVD制备TMDs所面临的挑战并对其发展前景进行展望。 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 化学气相沉积 盐辅助化学气相沉积 金属有机化学气相沉积 二维材料 前驱体 影响因素
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MOCVD载气流量对GaN外延生长的影响
14
作者 李亚洲 马占红 +4 位作者 姚威振 杨少延 刘祥林 李成明 王占国 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期979-985,共7页
本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在6英寸Si(111)衬底上外延生长了GaN薄膜,通过椭圆偏振光谱仪、高分辨X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜及透射电子显微镜等测试分析手段表征了GaN薄膜的微观结构、表面形貌及晶体质... 本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在6英寸Si(111)衬底上外延生长了GaN薄膜,通过椭圆偏振光谱仪、高分辨X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜及透射电子显微镜等测试分析手段表征了GaN薄膜的微观结构、表面形貌及晶体质量,研究了GaN薄膜生长时的H_(2)载气流量变化对GaN生长均匀性及晶体质量的影响。结果表明,随着H_(2)载气流量的增加,前驱体能够更快地到达衬底表面参与表面反应,从而提高了GaN的生长速率;然而过大的H_(2)载气流量会导致部分混合气体参与GaN生长的时间过短。在H_(2)载气流量为39 slm(标准升每分钟)时,GaN生长速率达到了饱和。提高H_(2)载气流量会导致Ga原子迁移率的增加,然而,当H_(2)载气流量增加到48 slm时,Ga原子迁移率的增加不再带来更平整的表面。AlGaN缓冲层具有V型坑结构形貌,大多数位错在AlGaN缓冲层弯曲、湮灭,并停止向GaN层延伸,这导致GaN生长经历类似横向外延过生长的过程,在一定程度上提高了GaN的晶体质量。 展开更多
关键词 氮化镓 载气流量 SI(111)衬底 金属有机化学气相沉积 异质外延 薄膜
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MOCVD生长ZnO薄膜的气相寄生反应路径研究
15
作者 吴蕊 胡洋 +5 位作者 唐荣芬 阳倩 王序 吴怡逸 聂登攀 王环江 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1608-1619,共12页
本文利用量子化学的密度泛函理论(DFT),研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长ZnO薄膜过程中二乙基锌(DEZn)与叔丁醇(t-BuOH)体系的气相寄生反应机理。通过计算不同温度下反应路径的Gibbs自由能变化,从热力学角度详细分析关键中间产物(... 本文利用量子化学的密度泛函理论(DFT),研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长ZnO薄膜过程中二乙基锌(DEZn)与叔丁醇(t-BuOH)体系的气相寄生反应机理。通过计算不同温度下反应路径的Gibbs自由能变化,从热力学角度详细分析关键中间产物(HOZnOBut、H(ZnO)_(2)But、HZnOH)的水解及二聚物(Zn_(2)O_(2)H_(4)、Zn_(2)O_(4)H_(4)、Zn_(4)O_(4)H_(4))、三聚物(Zn_(3)O_(6)H_(6))的形成,揭示不利于ZnO薄膜生长的纳米颗粒可能的形成路径和产物。研究发现在高温沉积条件下(673.15 K<T<713.15 K),DEZn热解后的中间产物H(ZnO)_(2)But容易与H_(2)O发生双分子碰撞直接生成有利于ZnO薄膜生长的(ZnOH)_(2)。但是这类中间产物同时会通过聚合消去反应形成二聚物和三聚物,这些聚合物是形成纳米颗粒的重要前体,其中由HOZnOBut聚合产生的聚合物(HOZnOBut)2连续脱去C4 H8,并最终形成Zn_(2)O_(4)H_(4)的反应最容易发生。因此,二聚物Zn_(2)O_(4)H_(4)是最有可能提供纳米颗粒的重要前体。 展开更多
关键词 氧化锌 金属有机化学气相沉积 密度泛函理论 寄生反应 薄膜 二聚物
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p型掺杂剂Cp2Mg在MOCVD气相中的反应机理研究 被引量：1
16
作者 张红 唐留 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期3000-3008,共9页
采用量子化学的密度泛函理论计算,提出并研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)气相过程中p型掺杂剂Cp2Mg的反应机理。特别判断了不同温度下各反应进行的可能性。发现Cp2Mg主要有两条相互竞争的反应路径,加合路径和氢解路径。对于加合路径,... 采用量子化学的密度泛函理论计算,提出并研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)气相过程中p型掺杂剂Cp2Mg的反应机理。特别判断了不同温度下各反应进行的可能性。发现Cp2Mg主要有两条相互竞争的反应路径,加合路径和氢解路径。对于加合路径,在293~573 K的温度范围内,会形成络合物Cp2Mg∶NH3或Cp2Mg∶(NH3)2。对于氢解路径,气相中的H自由基是一把"双刃剑"。一方面H自由基对Cp2Mg的分解有积极的辅助作用,明显降低了Cp2Mg的分解温度;另一方面由于钝化作用会形成Mg-H气相络合物,影响p型掺杂效果。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 密度泛函理论 P型掺杂 反应机理 计算化学
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衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga_(2)O_(3)薄膜性质的影响研究
17
作者 韩宇 焦腾 +6 位作者 于含 赛青林 陈端阳 李震 李轶涵 张钊 董鑫 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期438-444,I0003,共8页
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在Fe掺杂的(001)、(010)和(201)晶面的氧化镓(Ga_(2)O_(3))衬底上实现了Si掺杂n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜的同质外延生长,系统研究了衬底晶面对生长的薄膜晶体质量、生长速度及电学性能的影响。研... 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在Fe掺杂的(001)、(010)和(201)晶面的氧化镓(Ga_(2)O_(3))衬底上实现了Si掺杂n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜的同质外延生长,系统研究了衬底晶面对生长的薄膜晶体质量、生长速度及电学性能的影响。研究结果表明,同质外延生长的n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜样品均表现出与衬底一致的晶面取向,且双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM)均很小,具有较高的晶体质量;各薄膜的表面粗糙度较低,基本呈现台阶流的生长特征;不同晶面衬底上薄膜同质生长速度存在较大差异,其中(001)晶面衬底上薄膜的生长速度较快,可达1μm/h以上。在(010)晶面衬底上生长的n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜,其载流子浓度与迁移率最高,在器件的制备中更具潜力。该项研究将为Ga_(2)O_(3)基器件制备提供有力的数据支撑。 展开更多
关键词 氧化镓 金属有机化学气相沉积 同质外延 掺杂 迁移率 生长速率
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H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响 被引量：3
18
作者 邓旭光 韩军 +6 位作者 邢艳辉 汪加兴 崔明 陈翔 范亚明 朱建军 张宝顺 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期776-781,共6页
在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚... 在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚度随着H2流量的增加而增加,即H2流量增加会导致AlN生长速率的提高。原子力显微镜测试表明:随着H2流量的增加,AlN表面粗糙度也呈上升趋势。XRD测试表明:随着AlN生长时的H2流量的增加,GaN的(0002)和(1012)峰值半宽增大,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于AlN缓冲层的表面形貌较差,导致GaN的晶体质量有所下降。实验结果表明:采用较低的H2流量生长AlN缓冲层可以控制AlN的生长速率,在一定程度上有助于提高GaN的晶体质量。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) ALN缓冲层 H2载气 SI衬底 金属有机化学气相沉积
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双生长腔互联MOCVD外延生长氧化镓异质结构及其紫外光电探测器件的研究
19
作者 王月飞 高冲 +2 位作者 吴哲 李炳生 刘益春 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期426-437,共12页
本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进... 本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进行了表征;同时也利用光电测试系统对氧化镓平面和异质结型器件的紫外光电探测性能进行了研究。结果显示,AlN缓冲层的引入可以降低薄膜与衬底之间的晶格失配,有效提高了不同衬底外延氧化镓薄膜的结晶质量。利用双腔优势,分别在蓝宝石、p-Si(111)衬底上引入AlN缓冲层,获得具有(201)优选取向的高结晶质量的β-Ga_(2)O_(3)薄膜,显著提升了异质结日盲紫外光电探测器的器件性能。此外,还将β-Ga_(2)O_(3)与p型GaN结合制备了pn异质结构,研究了不同氧化层厚度对异质结光电探测性能的影响,最终制备了氧化镓基高性能紫外光电探测器件。 展开更多
关键词 氧化镓 宽禁带半导体 金属有机化学气相沉积 外延生长 异质结 紫外光电探测
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用于高质量InGaN/GaN MQWs制备的MOCVD配气系统 被引量：3
20
作者 李培咸 郝跃 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期313-316,共4页
本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统,该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件,在多层复杂结构的生长中改善材料质量。本文给出了该配气系统同传统配气方式生长效果的比较,PL对比测试结果表明,该配气系统在多量子阱结... 本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统,该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件,在多层复杂结构的生长中改善材料质量。本文给出了该配气系统同传统配气方式生长效果的比较,PL对比测试结果表明,该配气系统在多量子阱结构的制备中具有良好的效果。 展开更多
关键词 金属有机化学气相淀积 多量子阱 配气系统
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