光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN

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作者 周玉刚 李卫平 +7 位作者 沈波 陈鹏 陈志忠 臧岚 张荣 顾书林 施毅 郑有翀 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第8期34-36,共3页

采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对... 采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。 展开更多

关键词 ALGAN GAN 金属有机化学气相淀积 气相寄生反应 光加热

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用于高质量InGaN/GaN MQWs制备的MOCVD配气系统 被引量：3

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作者 李培咸 郝跃 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期313-316,共4页

本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统,该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件,在多层复杂结构的生长中改善材料质量。本文给出了该配气系统同传统配气方式生长效果的比较,PL对比测试结果表明,该配气系统在多量子阱结... 本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统,该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件,在多层复杂结构的生长中改善材料质量。本文给出了该配气系统同传统配气方式生长效果的比较,PL对比测试结果表明,该配气系统在多量子阱结构的制备中具有良好的效果。 展开更多

关键词 金属有机化学气相淀积 多量子阱 配气系统

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应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用 被引量：7

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作者 俞波 盖红星 +6 位作者 韩军 邓军 邢艳辉 李建军 廉鹏 邹德恕 沈光地 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期81-84,共4页

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A... 使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件。 展开更多

关键词 光电子学 半导体激光器 应变量子阱 金属有机化学气相淀积

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MOCVD生长的动力学模式探讨 被引量：12

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作者 王浩 范广涵 廖常俊 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第2期54-57,共4页

讨论金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释 .应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体生长速度 -原材料输运速度有关的公式 ,并应用这个公式进行了计算 ,计算结果与实际生长时的参数接近 .

关键词 化学反应动力学 分子动力学 金属有机化合物气相沉积 mocvd 晶体生长 生长速度 半导体 外延生长

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TiO_2薄膜的MOCVD法制备及其退火条件的研究 被引量：2

5

作者 王栋 王民 +3 位作者 许效红 侯云 王弘 韩辉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期476-478,共3页

用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。实验结果... 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。实验结果表明,只有在一定的退火温度下薄膜才有较好的结晶性。在退火温度为850°C、退火时间为30min时,可得到完全为金红石相的TiO2薄膜,其固定电荷密度的数量级为1011/cm2,可动电荷密度在(3～4)×1011/cm2,电荷极性为正。 展开更多

关键词 TIO2薄膜 mocvd法 制备 退火条件 金属有机化合物气相淀积 X-射线衍射 BT实验 二氧化钛 栅极绝缘介质 MOS

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基于BP神经网络的MOCVD温度控制系统参数优化 被引量：3

6

作者 赵恒 过润秋 杜凯 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期77-81,共5页

为解决MOCVD设备温度控制的非线性、时变性以及大时滞等问题,提出改进的基于误差反向传播算法(BP)的神经网络控制方法.在传统BP算法基础上附加一个使搜索快速收敛全局极小的惯性项,在微调权值修正量的同时也使学习避免陷入局部最小.该... 为解决MOCVD设备温度控制的非线性、时变性以及大时滞等问题,提出改进的基于误差反向传播算法(BP)的神经网络控制方法.在传统BP算法基础上附加一个使搜索快速收敛全局极小的惯性项,在微调权值修正量的同时也使学习避免陷入局部最小.该方法不仅具有自学习自适应能力,而且具有自调整比例因子功能.仿真和试验表明,神经网络控制器具有很强的鲁棒性、自学习功能和自适应解耦.在整个温度控制范围基本误差可达到1℃‰,有效的改善MOCVD系统温度的控制性能,对实际温度控制具有较好的指导意义. 展开更多

关键词 神经网络 BP算法 金属有机化合物化学气相淀积 温度控制 时滞

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基于模糊预测的MOCVD温度控制方法 被引量：2

7

作者 过润秋 赵恒 杜凯 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期268-272,共5页

为解决金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)设备温度控制的非线性、时变性以及大滞后等问题,给出了一种用模糊控制和预测控制相结合的复合控制方法.该模糊预测控制在模糊控制的基础上加入预测环节,通过增加相位超前减少时间滞后所带来的... 为解决金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)设备温度控制的非线性、时变性以及大滞后等问题,给出了一种用模糊控制和预测控制相结合的复合控制方法.该模糊预测控制在模糊控制的基础上加入预测环节,通过增加相位超前减少时间滞后所带来的影响,准确预测温度变化趋势.与传统的控制方法相比较,具有算法简单,鲁棒性好的特点.仿真和试验表明,该方法有着较高的稳态精度和动态特性,在整个温度控制范围基本误差可达到1℃‰,有效改善了MOCVD系统温度的控制性能,对实际温度控制具有较好的指导意义. 展开更多

关键词 金属有机化合物化学气相淀积 模糊预测控制 温度控制 控制算法

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垂直式MOCVD中生长参数对GaN材料生长的影响 被引量：2

8

作者 冯兰胜 过润秋 张进成 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期178-182,共5页

为了更好地研究GaN材料生长过程,笔者对一种垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统生长GaN材料过程中反应物的传递和反应过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室压力和进入反应室的气流速度对GaN的生长速率和厚度均匀性均有影响.随着反应... 为了更好地研究GaN材料生长过程,笔者对一种垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统生长GaN材料过程中反应物的传递和反应过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室压力和进入反应室的气流速度对GaN的生长速率和厚度均匀性均有影响.随着反应气体进入反应室的速度升高,反应室内预反应会增强,GaN生长速率升高,同时GaN厚度的不均匀性也会升高;在同样的进气速率下,反应室压强减小,可在一定范围内提高GaN生长速率,但同时增加衬底中央区域厚度,导致厚度不均匀增加. 展开更多

关键词 GAN 金属有机物化学气相淀积 生长速率 反应动力学

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MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率 被引量：1

9

作者 韩军 邢艳辉 +3 位作者 邓军 朱延旭 徐晨 沈光地 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1227-1229,共3页

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表... 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有很多圆丘,其均方根粗糙度是所有样品中最高的,综合粗化的表面和优化电学特性的p-InGaN接触层的LED光功率提高23%。 展开更多

关键词 Mg掺杂InGaN 金属有机物化学气相淀积 原子力显微镜 X射线双晶衍射

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Si掺杂对MOCVD生长的n型Al_(0.5)Ga_(0.5)N的影响

10

作者 李亮 李忠辉 +4 位作者 董逊 周建军 孔月婵 姜文海 陈辰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期136-139,共4页

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V.... 采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V.s。载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Si掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移,这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。 展开更多

关键词 ALGAN Si掺杂 金属有机化学气相淀积 蓝宝石衬底 外延薄膜

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应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD外延生长模式

11

作者 王浩 廖常俊 +7 位作者 范广涵 刘颂豪 郑树文 李述体 郭志友 孙慧卿 陈贵楚 陈炼辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期128-133,共6页

应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo DiskMOCVD外延生长过程 ,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处 ,当通过控制生长参数达到优质外延时 ,实际上是一种亚原子外延过程 。

关键词 原子层外延法 分子层外延法 金属有机化学气相淀积 参数调整 外延设备 ALE反应装置

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MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究

12

作者 崔旭高 张荣 +4 位作者 陶志阔 李鑫 修向前 谢自力 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期129-132,共4页

用MOCVD技术在[0001]取向的蓝宝石衬底上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7%时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1(LO)模的振动峰向低频方向移动。ESR结果表明... 用MOCVD技术在[0001]取向的蓝宝石衬底上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7%时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1(LO)模的振动峰向低频方向移动。ESR结果表明,二价的Mn离子替换了三价的Ga离子,尽管如此,薄膜还是仅仅表现出顺磁性。通过Brillouin函数拟合以及ESR结果综合考虑可得,Mn在GaN晶格中的存在状态是孤立的二价顺磁性离子。 展开更多

关键词 锰掺杂氮化稼 金属有机化学气相淀积 磁性

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MOCVD系统生长过程的优化精确控制

13

作者 王浩 范广涵 廖长俊 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第2期67-71,共5页

通过对TurboDiscMOCVD设备系统以及部件工作原理的研究,提出了多种对典型器件生产工艺的调整方案,如压力流量的调整,质量流量计(MFC)工作曲线的完善,主动进气补偿等等,实现了MOCVD生长系统生长过程的自动精确控制.并对设备提出了改进意见.

关键词 mocvd 系统生长过程 精确控制 金属有机化合物气相淀积 生产工艺 质量流量计 半导体

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AlGaAs插入结构对InAlGaAs/AlGaAs多量子阱发光特性的影响

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作者 赵书存 王海珠 +4 位作者 王登魁 甘露露 王祯胜 吕明辉 马晓辉 《发光学报》 北大核心 2025年第4期683-690,共8页

InAlGaAs/AlGaAs多量子阱(MQWs)因其较宽的光谱范围,在近红外及可见光区域受到越来越多的关注,并已经成为新兴的研究热点。本研究采用MOCVD生长技术制备InAlGaAs/AlGaAs多量子阱材料,依据选取插入层(ISL)材料时需要考虑的主要因素及理... InAlGaAs/AlGaAs多量子阱(MQWs)因其较宽的光谱范围,在近红外及可见光区域受到越来越多的关注,并已经成为新兴的研究热点。本研究采用MOCVD生长技术制备InAlGaAs/AlGaAs多量子阱材料,依据选取插入层(ISL)材料时需要考虑的主要因素及理论计算,探究插入层结构对量子阱发光性质的影响。设计并生长了无插入层的InAlGaAs量子阱及不同厚度不同Al组分的AlGaAs插入层。实验结果表明,插入层的引入显著提高了量子阱的发光强度,虽然样品中本身存在局域态,但插入层的存在并未引入更多局域态,同时插入层的存在不会改变量子阱中载流子复合机制。研究结果为InAlGaAs量子阱的结构优化及插入层技术提供了重要的理论分析和实验数据,表明通过合理设计插入层可以显著提高InAlGaAs量子阱的光学性能。 展开更多

关键词 InAlGaAs多量子阱 插入层 金属有机化合物化学气相沉积(mocvd)

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德国MOCVD设备及技术概况

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作者 张永刚 《高技术通讯》 CSCD 1992年第3期15-17,共3页

金属有机物化学气相淀积(MOCVD)亦称金属有机物气相外延(MOVPE),是近年来迅速发展的一种材料生长手段,它利用金属有机化合物及氢化物等作为生长源,经气化后输送到加热的衬底上进行材料生长。MOCVD可用于生长半导体、超导陶瓷及金属等多... 金属有机物化学气相淀积(MOCVD)亦称金属有机物气相外延(MOVPE),是近年来迅速发展的一种材料生长手段,它利用金属有机化合物及氢化物等作为生长源,经气化后输送到加热的衬底上进行材料生长。MOCVD可用于生长半导体、超导陶瓷及金属等多种材料,特别适合于生长一些结构复杂的薄层及多层材料,目前在半导体光电器件和高速电子器件研究中应用较多。 展开更多

关键词 金属有机物化学气相淀积 MOVPE mocvd

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MOCVD外延生长GaN材料的技术进展 被引量：8

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作者 张冠英 梅俊平 解新建 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期201-204,共4页

第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬底材料;MBE... 第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬底材料;MBE技术制备GaN的速度最慢;而MOCVD制备速度适中。因而MOCVD在外延生长GaN材料方面得到广泛应用。介绍了MOCVD法外延生长GaN材料的基本理论、发展概况、利用MOCVD法外延生长GaN材料的技术进展。认为应结合相关技术发展大面积、高质量GaN衬底的制备技术,不断完善缓冲层技术,改进和发展横向外延技术,加快我国具有国际先进水平的MOCVD设备的研发速度,逐步打破进口设备的垄断。 展开更多

关键词 金属有机化合物化学气相沉积 氮化镓 异质外延 横向外延 mocvd设备

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红外测量技术在MOCVD中的应用 被引量：4

17

作者 路孟喜 曹健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期689-691,731,共4页

简要说明了红外辐射测量技术的工作原理与理论基础以及红外测量的特点。MOCVD硅片外延生长过程中反射率是实时变化的,但传统红外测量方法无法实现反射率的实时测量,因此造成较大的测量误差,无法准确反应外延片的表面温度,同时无法实现... 简要说明了红外辐射测量技术的工作原理与理论基础以及红外测量的特点。MOCVD硅片外延生长过程中反射率是实时变化的,但传统红外测量方法无法实现反射率的实时测量,因此造成较大的测量误差,无法准确反应外延片的表面温度,同时无法实现对生长速率的在位测量。德国AIXTRON公司的MOCVD测量系统中加入了由脉冲信号控制的LED红外发光器件,实现了温度与反射率、生长速率与膜厚的在位实时测量,从而达到对温度和膜厚的精确控制,取得良好的实验效果。 展开更多

关键词 红外辐射 温度测量 膜厚测量 在位实时测量 金属有机物化学气相淀积

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(111)AInP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

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作者 刘瑞东 于丽娟 +2 位作者 芦秀玲 黄永箴 张福甲 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期87-91,共5页

为了研究 (111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器 ,利用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)研究了 (111)AInP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)AInP衬底的悬挂键密度比较低 ,在生长过程中有意提高了V/Ш比。通过... 为了研究 (111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器 ,利用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)研究了 (111)AInP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)AInP衬底的悬挂键密度比较低 ,在生长过程中有意提高了V/Ш比。通过扫描电子显微镜 (SEM )和光荧光 (PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现 ,表面形貌和光学特性随V/Ш比和温度的变化非常大。最佳V/Ш比和温度分别为 4 0 0和 6 2 5℃。 展开更多

关键词 金属有机化学气相淀积 磷化铟衬底 表面形貌 铟镓砷磷 扫描电子显微镜分析 半导体材料

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MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究

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作者 朱光耀 顾书林 朱顺明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期337-340,共4页

采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状... 采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状生长模式转变为准二维层状生长模式。研究发现,高温退火时氧气气氛下900℃是较合适的退火温度,可以最大限度地激活原子使之移动到合适的晶格位置,有利于晶体择优取向生长,而更高的温度将导致ZnO的分解,从而大大降低晶体质量。 展开更多

关键词 氧化锌 金属有机物化学气相淀积 缓冲层 表面形貌 晶体质量

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2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响

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作者 甘露露 王海珠 +4 位作者 张崇 赵书存 王祯胜 王登魁 马晓辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期2011-2020,共10页

为探明GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱材料发光性能的影响问题,基于InGaAs/InAlGaAs和InGaAs/AlGaAs两种量子阱材料,利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,制备了905 nm波段的InGaAs多量子阱材料。通过AFM和XRD测试发现,G... 为探明GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱材料发光性能的影响问题,基于InGaAs/InAlGaAs和InGaAs/AlGaAs两种量子阱材料,利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,制备了905 nm波段的InGaAs多量子阱材料。通过AFM和XRD测试发现,GaAs插入层可以优化两种材料的表面粗糙度和结晶质量。室温PL测试进一步说明,GaAs插入层可以改善两种材料的能带结构,增强发光效果。变温和变功率PL测试表明,引入GaAs插入层后InGaAs/InAlGaAs发光波长随温度升高呈现“S”型变化,特征值α<1,低温下的辐射复合机制从自由激子复合发光变成了“局域态”发光。而对于InGaAs/AlGaAs材料,GaAs插入层并没有改变其辐射复合机制。本文在深入研究GaAs插入层对InGaAs/InAlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性能和载流子复合机制的影响方面具有一定意义。 展开更多

关键词 多量子阱 GaAs插入层 局域态 金属有机化合物化学气相沉积(mocvd)

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